Mikromagnetismus und Transportverhalten von (Ga,Mn)As Nanostrukturen

通过对（Ga，Mn）As和铁磁金属的明显各向异性和磁化矩的研究，发现（Ga，Mn）As和铁磁金属的磁化强度是相同的。这是一个非常重要的发展磁电子纳米元件的方法。在这一方法中，我们可以得到一个由（Ga，Mn）As纳米结构组成的磁电子动力学韦尔登。基于这种研究韦尔登，采用非均匀各向异性的磁性纳米结构，bzw。在非常复杂的Koerzitivfeldern hergestellt中，10 nm的Breite gekoppelt的Einschnürungen是。一个由韦尔登运输实验室组成的结构，在室内通过一个单独的Einschnürung eingefangen和由Strompulse zwischen和韦尔登控制的Einschnürungen控制。磁性纳米结构通过宽支架或局部隧道连接韦尔登进入。Auf diese Art und Weise韦尔登die notwendigen Grundlagen für neue extreme kleine Magnetowiderstandselemente für programmierbare Elektronik geschaffen.

Aufgrund der starken Anisotropie und des geringen magnetischen Moments verhält sich die Magnetisierung von (Ga,Mn)As deutlich anders als die ferromagnetischer Metalle. Ein Verständnis dieses Verhaltens ist wichtig für die Entwicklung magnetoelektronischer Nanobauelemente.In diesem Vorhaben soll zunächst an Einzelstrukturen und Arrays von (Ga,Mn)As-Nanostrukturen die Magnetisierungsdynamik untersucht werden. Basierend auf diesen Forschungen werden anschließend magnetische Nanostrukturen mit unterschiedlicher Anisotropie, bzw. unterschiedlichen Koerzitivfeldern hergestellt, die über Einschnürungen von wenigen 10 nm Breite gekoppelt sind. An diesen gekoppelten Strukturen werden Transportexperimente durchgeführt, bei denen Domänenwände gezielt an einer solchen Einschnürung eingefangen und durch Strompulse zwischen verschiedenen Einschnürungen kontrolliert hin- und herbewegt werden. Die Magnetisierungszustände einzelner Nanostrukturen können hierbei entweder durch Widerstandsmessungen oder durch lokale Tunnelkontakte ausgelesen werden. Auf diese Art und Weise werden die notwendigen Grundlagen für neue extrem kleine Magnetowiderstandselemente für programmierbare Elektronik geschaffen.