Équipements requis dans le cycle de fabrication des circuits MMIC à base de HEMT-GaN.

微电子结结，微电子结结，微电子结结，微电子结结。由于各种各样的要求，所以所有的<s:2> <s:2>和/或所有的<s:2> /或所有的<s:2> /或所有的<s:2> /或所有的<s:2> /或所有的<s:2> /或所有的<s:2> /或所有的<s:2> /或所有的<s:2> /或所有的<s:2> /或所有的<s:2> /或所有的<s:2> /或所有的。塞西介绍一个grande opportunite倒les semi-conducteurs III-V offrent一非常好的替代等个选择非常佑天兰de materiaux用des proprietes规程等optique depassant largement细胞du硅。莱斯,我提出traitent de la technologie de制造des MMIC电路基本de ces materiaux III-V et + particulierement基地du nitrure de镓是联合国materiau非常大差距。在瑞士舍布鲁克大学的纳米加工和纳米金刚石加工研究中心（CRN2）的研究中，研究了纳米加工技术在电路制造中的应用。这些组成部分是由不同的领域（应用、中心、通信、交换、交换、空间和交换）组成的。

Dans le domaine de la microélectronique, le matériau le plus utilisé est le silicium. Pour répondre aux diverses demandes du marché de plus en plus exigeantes, ce matériau arrive à faire des efforts considérables sur la miniaturisation du composant tout en étant limité par ses propriétés physiques très modestes. Ceci présente une grande opportunité pour les semi-conducteurs III-V qui offrent une très bonne alternative et un choix très varié de matériaux avec des propriétés électriques et optiques dépassant largement celles du Silicium. En effet, les sujets proposés traitent de la technologie de fabrication des circuits MMIC à base de ces matériaux III-V et plus particulièrement à base du nitrure de Gallium qui est un matériau à très grand gap. Dans ce contexte on développe au sein du Centre de Recherche en Nano-fabrication et Nano-caractérisation (CRN2) de l'Université de Sherbrooke une nouvelle filière technologique de fabrication de circuits HEMT à base du GaN. Ces composants répondront aux besoins de différents domaines d'applications, entre autres, télécommunications, sécurité, défense, spatiale et énergie.