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Technologie GaN pour des applications de puissance

Technologie GaN pour des applications de puissance
GaN 技术在强大应用中的应用
批准号：
449525-2013
负责人：
Maher, Hassan
金额：
$1.82万
依托单位：
Université de Sherbrooke
依托单位国家：
加拿大
项目类别：
Engage Grants Program
财政年份：
2013
资助国家：
加拿大
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-01-01 至 2014-12-31
来源：
https://www.nserc-crsng.gc.ca/ase-oro/Details-Detailles_eng.asp?id=538503
关键词：
TechnologieGaNpourdesapplications

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
在微电子领域，最常用的材料是硅。Pour répondre aux diverses
英文摘要
Dans le domaine de la microélectronique, le matériau le plus utilisé est le silicium. Pour répondre aux diverses
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会议论文
Nouvelles filière de composants GaN
  • 批准号：
    RGPIN-2020-07052
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $2.4万
  • 财政年份：
    2022
  • 负责人：
    Maher, Hassan
  • 依托单位：
    Université de Sherbrooke
Nouvelles filière de composants GaN
  • 批准号：
    RGPIN-2020-07052
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $2.4万
  • 财政年份：
    2021
  • 负责人：
    Maher, Hassan
  • 依托单位：
    Université de Sherbrooke
Nouvelles filière de composants GaN
  • 批准号：
    RGPIN-2020-07052
  • 项目类别：
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额：
    $2.4万
  • 财政年份：
    2020
  • 负责人：
    Maher, Hassan
  • 依托单位：
    Université de Sherbrooke
Advanced back end processing for high breakdown voltage and low thermal resistance GaN power transistor
  • 批准号：
    497994-2016
  • 项目类别：
    Collaborative Research and Development Grants
  • 资助金额：
    $6.99万
  • 财政年份：
    2020
  • 负责人：
    Maher, Hassan
  • 依托单位：
    Université de Sherbrooke
国内基金
海外基金
垂直型GaN肖特基势垒二极管研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    --
  • 批准年份：
    2026
  • 负责人：
    刘梦涵
  • 依托单位：
    南京信息职业技术学院
异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
基于金刚石高效散热封装的高功率高压GaN器件研发与产业化
复合抗磨涂层仿生微结构化表面自润滑 金刚石砂轮的制备与其磨削单晶GaN基础 研究
  • 批准号：
  • 项目类别：
    省市级项目
  • 资助金额：
    10.0万元
  • 批准年份：
    2025
  • 负责人：
    戴厚富
  • 依托单位：
    汕头大学