Nouveaux composants à base de GaN (Nitrure de Gallium).

Dans le Domaine de la MicroéElectronique，le Matériau le Plus Utiliséest le Silicium.Pour Répondre Aux De Diffandes Demandes du Marchéde Plus en plus Exameantes，Les Labatoire de Recherche Are Are Fire Des努力考虑小型化和作曲家Tout Eéant LimitéS Par les PropriétéS体质谦逊de ce Matériau。《机会与机遇报》第三至第五章介绍了S的另类半导体和半导体材料，其中包括硅胶材料的生产和生产。在此之前，我们有一个计划，那就是从技术到成分再加上氮化镓(GaN)的特殊要求，S大本营(GAP)。在此背景下，L所在的舍布鲁克大学采用了新的作曲家和作曲家技术。Dans MON PROGRAM DE REARCHE CHE JE CICBLE EN SPARTIER DUXER TYPE DO作曲家：

Dans le domaine de la microélectronique, le matériau le plus utilisé est le silicium. Pour répondre aux diverses demandes du marché de plus en plus exigeantes, les laboratoires de recherche arrivent à faire des efforts considérables sur la miniaturisation du composant tout en étant limités par les propriétés physiques modestes de ce matériau. Ceci présente une grande opportunité pour les semi-conducteurs III-V qui offrent une très bonne alternative et un choix très varié de matériaux avec des propriétés électriques et optiques dépassant largement celles du Silicium. Ainsi, mon programme de recherche traite de la technologie de fabrication de composants à base de ces matériaux III-V et plus particulièrement à base du nitrure de Gallium (GaN) qui est un matériau à très grand bande interdite (gap). Dans ce contexte, je développe à l'Université de Sherbrooke une nouvelle filière technologique de fabrication de composants sur substrat GaN. Dans mon programme de recherche je cible en particulier deux types de composants :