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Nouveaux composants à base de GaN (Nitrure de Gallium).

Nouveaux composants à base de GaN (Nitrure de Gallium).
新成分 à GaN 基 (Nitre de Gallium)。
批准号:
RGPIN-2015-03765
负责人:
Maher, Hassan
金额:
$1.6万
依托单位:
依托单位国家:
加拿大
项目类别:
Discovery Grants Program - Individual
财政年份:
2019
资助国家:
加拿大
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-01-01 至 2020-12-31

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
在微电子领域,最常用的材料是硅。为了应对日益迫切的市场需求,研究实验室开始努力通过材料的物理模型来实现对材料成分的全面限制。Ceci presente une appropriately opportunité pour les semiconductorIII-V whi offrent une très bonne alternative et un choix très varié de matériaux avec des propriétés électriques et optiques dépassant acelles du Silicium. Ainsi,mon programme de recherche traite de la technologie de fabrication de composants à base de ces matériaux III-V et plus particulièrement à base du nitrure de Gallium(GaN)whi is un matériau à très grand bande interdite(gap).在此背景下,我向舍布鲁克大学提供了一种新的GaN衬底上的复合材料制造技术。Dans mon programme de recherche je cible en particulier deux types de composants:* Convertisseurs DC-DC ou DC-RF pour la fabrication de systèmes à très mountainissance et à très haute efficacité énergétique. *射频合成物用于毫米波领域的电路操作。*这些非常有价值的成分在我的研究活动中具有现实意义,在电信、航空航天、军事、航空、汽车、能源和图像等领域具有多种应用类型和特别的潜力。在表面上,这些成分呈现出一种非常有效的能量,这是十年前发展技术所必需的。在该方案的干部中,有7名学生参加了一项特殊的培训,并对在微电子领域从事连续发射的尖端技术进行了培训,这些学生每天都有一项非常罕见的专门知识。
英文摘要
Dans le domaine de la microélectronique, le matériau le plus utilisé est le silicium. Pour répondre aux diverses demandes du marché de plus en plus exigeantes, les laboratoires de recherche arrivent à faire des efforts considérables sur la miniaturisation du composant tout en étant limités par les propriétés physiques modestes de ce matériau. Ceci présente une grande opportunité pour les semi-conducteurs III-V qui offrent une très bonne alternative et un choix très varié de matériaux avec des propriétés électriques et optiques dépassant largement celles du Silicium. Ainsi, mon programme de recherche traite de la technologie de fabrication de composants à base de ces matériaux III-V et plus particulièrement à base du nitrure de Gallium (GaN) qui est un matériau à très grand bande interdite (gap). Dans ce contexte, je développe à l'Université de Sherbrooke une nouvelle filière technologique de fabrication de composants sur substrat GaN. Dans mon programme de recherche je cible en particulier deux types de composants :**** Convertisseurs DC-DC ou DC-RF pour la fabrication de systèmes à très grande puissance et à très haute efficacité énergétique.**** Composants RF destinés aux circuits opérants dans le domaine millimétrique.****Les composants à très grande valeur ajoutée qui seront réalisés dans le cadre de mes activités de recherche, ont un fort potentiel pour plusieurs types d'applications et plus particulièrement dans les domaines de la télécommunication, aérospatial, militaire, avionique, automotive, énergie et imagerie. De surcroit, ces composants présentent une très grande efficacité énergétique, un critère essentiel pour le développement technologique de la prochaine décennie. Dans le cadre de ce programme, 7 étudiants seront formés dans un environnement exceptionnel et bénéficieront d'une formation sur une technologie de pointe qui leur permettra éventuellement de continuer leur carrière dans le domaine de la microélectronique avec une expertise, de nos jours, très rare.******
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会议论文
Nouvelles filière de composants GaN
  • 批准号:
    RGPIN-2020-07052
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $2.4万
  • 财政年份:
    2022
  • 负责人:
    Maher, Hassan
  • 依托单位:
Nouvelles filière de composants GaN
  • 批准号:
    RGPIN-2020-07052
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $2.4万
  • 财政年份:
    2021
  • 负责人:
    Maher, Hassan
  • 依托单位:
Nouvelles filière de composants GaN
  • 批准号:
    RGPIN-2020-07052
  • 项目类别:
    Discovery Grants Program - Individual
  • 资助金额:
    $2.4万
  • 财政年份:
    2020
  • 负责人:
    Maher, Hassan
  • 依托单位:
Advanced back end processing for high breakdown voltage and low thermal resistance GaN power transistor
  • 批准号:
    497994-2016
  • 项目类别:
    Collaborative Research and Development Grants
  • 资助金额:
    $6.99万
  • 财政年份:
    2020
  • 负责人:
    Maher, Hassan
  • 依托单位:
海外基金