Nouvelles filière de composants GaN

在具体情况下，<s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:2> <s:2>的电子交换和电子交换和rôle的电子交换和重要的电子交换和混合的电子交换和混合的电子交换和混合的电子交换和混合的电子交换和混合的电子交换和混合的电子交换和混合的电子交换和混合的电子交换和混合的电子交换。该公司最大的技术优势是硅酸盐技术，该技术已被广泛应用于硅酸盐技术。独立的、新技术的使用会损害有限的中心承办权、效率、<s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1> <s:1>与<s:1> <s:1> <s:1>与<s:1>。技术方面的缺陷是需要解决的问题，技术方面的缺陷是需要解决的问题，技术方面的缺陷是需要解决的问题，技术方面的缺陷是需要解决的问题，技术方面的缺陷是需要解决的问题，技术方面的缺陷是需要解决的问题，技术方面的缺陷是需要解决的问题，技术方面的问题是需要解决的问题。一种解决方案提出了利用半导体镓（GaN）的超高速移动、电子和张力的超高速移动和超高速移动的超高速移动。该技术的主要应用领域是：<s:1> 650 V / s晶体管、高度可移动的<s:1>电子转换器（HEMTs）和<s:1>拓扑水平转换器、基片转换器构成的<s:1>电子转换器、电子转换器、电子转换器和电子转换器。“技术的进步”提供了“性能的进步”、“潜力的进步”、“技术的进步”、“技术的进步”、“技术的进步”、“技术的进步”、“技术的进步”和“技术的进步”。在此之前，“科学研究”的“科学研究”表明，“科学研究”的“科学研究”表明，“科学研究”的“科学研究”与“科学研究”的“科学研究”是合理的。在该项目中，研究人员提出了一种基于氮化镓基片的新型异质外延材料的制备方法。因此，在整个过程中，所有的电子元件和电子元件都具有相同的特性，例如：电子元件、电子元件、电子元件、电子元件、电子元件、电子元件和电子元件。+安可,那个determinante de ce计划est la combinaison苏尔de 5种de la meme深褐色composants现在洛杉矶meme technologie de制造、知道,le HEMTs le晶体管立式(场效应晶体管),le晶体管立式bipolaire拉二极管肖特基拉二极管PN。例如，在项目中有两个不同的命题：一个是单一的，一个是单独的，一个是单独的，一个是单独的，一个是单独的，一个是单独的，一个是单独的。“不可抗力”是指不可抗力，“不可抗力”是指不可抗力，“不可抗力”是指不可抗力，“不可抗力”是指不可抗力，“不可抗力”是指不可抗力，“不可抗力”是指不可抗力，“不可抗力”是指不可抗力，“不可抗力”是指不可抗力。

Dans un contexte actuel où l'énergie électrique joue un rôle de plus en plus important dans le mix énergétique en raison de l'utilisation mondiale croissante des énergies renouvelables, le marché des composants microélectronique est en augmentation constante tant en taille qu'en complexité afin de répondre aux besoins actuels et futures. Ce marché est largement dominé par la technologie Silicium du fait de son bas coût et de sa grande maturité. Cependant, cette technologie ne permet d'offrir qu'un compromis limité entre encombrement, efficacité énergétique et fiabilité. Alors que des technologies émergentes demandent des solutions technologiques de plus en plus performantes, il apparaît alors crucial de repousser ces limites pour pouvoir répondre à ces changements technologiques en faisant appel à des approches alternatives. Une solution prometteuse réside dans l'utilisation du semi-conducteur Nitrure de Gallium (GaN) bien supérieur en termes de mobilité électronique et de tension de claquage. La technologie GaN est actuellement utilisée dans des applications jusqu'à 650 V avec des transistors à haute mobilité électronique (HEMTs) et à topologie horizontale crue sur substrat porteur constitué de matériaux autres que le GaN. Bien que la technologie GaN HEMT offre des performances impressionnantes, la pleine potentialité de ce matériau n'est pas entièrement exploitée du fait des limitations venant de la croissance sur substrat porteur. Cependant, des progrès récents en science des matériaux permettent d'envisager la fabrication de substrats GaN à coûts raisonnables. Ainsi, dans ce projet, on va surmonter les limitations actuelles des composants latéraux à base de GaN en utilisant une approche de croissance homo-epitaxiale sur substrat GaN. En effet, des travaux précédents publiés dans la littérature ont mis en valeur le gain de performance important en terme de densité de puissance en utilisant l'architecture verticale d'un composant GaN fabriqué sur substrat massif. Plus encore, l'idée déterminante de ce programme est la combinaison sur la même puce de 5 types de composants en utilisant la même technologie de fabrication, à savoir, le HEMTs, le transistor vertical type (FET), le transistor vertical type bipolaire, la diode Schottky et la diode PN. Ainsi, cette proposition de projet se distingue des travaux précédents par le fait que, pour la première fois, nous démontrerons l'intégration monolithique de tous ces 5 composants sur la même puce. Ce défi technologique représentera donc une avancée majeure qui est cependant tout à fait réalisable grâce aux infrastructures disponibles à l'université de Sherbrooke et à l'expertise développée au sein du groupe de recherche du professeur Maher.