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Influence of Sputtering Parameters on Film Structure
溅射参数对薄膜结构的影响
基本信息
- 批准号：8000933
- 负责人：
- 金额：$ 4.23万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Standard Grant
- 财政年份：1980
- 资助国家：美国
- 起止时间：1980-05-15 至 1982-05-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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会议论文数量（0）
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C. Houska其他文献
THERMAL EXPANSION AND ATOMIC VIBRATION AMPLITUDES FOR TiC, TiN, ZrC, ZrN, AND PURE TUNGSTEN
- DOI：
10.1016/0022-3697(64)90001-0 - 发表时间：
1963-12 - 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：
C. Houska - 通讯作者：
C. Houska
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购置薄膜溅射设备
- 批准号：
7811753 - 财政年份：1979
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$ 4.23万 - 项目类别：
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7517201 - 财政年份：1976
- 资助金额：
$ 4.23万 - 项目类别：
Standard Grant
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研究单晶和多晶复合材料扩散的 X 射线衍射技术的发展
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$ 4.23万 - 项目类别：
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液相通量控制溅射法水分解光电化学电池的研制
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- 批准号：
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粉末溅射超微量掺杂功能薄膜的开发
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23K03373 - 财政年份：2023
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$ 4.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
UHV Sputtering System for the Deposition of Ultrathin Films and Heterostructures
用于沉积超薄膜和异质结构的 UHV 溅射系统
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517957243 - 财政年份：2023
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$ 4.23万 - 项目类别：
Major Research Instrumentation
Advanced Thin Film Sputtering Fabrication Facility (TF-FAB)
先进薄膜溅射制造设备 (TF-FAB)
- 批准号：
EP/X030202/1 - 财政年份：2023
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Research Grant
Novel group-IV nitride films by reactive sputtering as potential nonlinear optical materials in Si photonics
反应溅射新型 IV 族氮化物薄膜作为硅光子学中潜在的非线性光学材料
- 批准号：
23K03941 - 财政年份：2023
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$ 4.23万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
CDS&E: Thin Film Analysis by XPS: Quantitative Modeling of Sputtering and Depth Profile Data, Machine Learning Classifiers, and Novel Applications
CDS
- 批准号：
2203841 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 4.23万 - 项目类别：
Standard Grant
Vacancy-Rich Palladium Hydride Synthesis Using Tandem Electrochemical Loading and Metal Sputtering
采用串联电化学负载和金属溅射合成富空位氢化钯
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572781-2022 - 财政年份：2022
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$ 4.23万 - 项目类别：
Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Master's
MBE-Sputtering-system for antiferromagnetic spintronic materials
用于反铁磁自旋电子材料的 MBE 溅射系统
- 批准号：
504979810 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 4.23万 - 项目类别：
Major Research Instrumentation
Sputtering System for Thin Films in Microsystems
微系统中的薄膜溅射系统
- 批准号：
501131927 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 4.23万 - 项目类别：
Major Research Instrumentation