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Laser Beam Selected Epitaxy of III-V Compounds

Laser Beam Selected Epitaxy of III-V Compounds
III-V 族化合物的激光束选择外延
批准号:
8820245
负责人:
S. Bedair
金额:
$29.8万
依托单位国家:
美国
项目类别:
Continuing Grant
财政年份:
1989
资助国家:
美国
项目状态:
已结题
起止时间:
1989-01-01 至 1992-06-30

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
这项研究是美国国家科学基金会对北卡罗莱纳州立大学S. M. Bedair教授的一项资助的延续,目的是研究激光增强金属有机气相沉积在镓硅衬底上选择性沉积化合物半导体外延膜的潜力。该基金会之前授予Bedair教授的奖项是“特别创意奖”。在之前的拨款期间,取得了几项重大成就,例如,建立了选择性外延的实验条件,并在砷化镓和硅衬底上直接写入砷化镓、砷化铝、砷化镓磷化镓和砷化铟镓的单晶。利用激光增强化学气相沉积在最低温度(250℃)下生长化合物半导体,以及利用化学气相沉积在没有气体开关的情况下生长超晶格。这一延续期的研究将着重于以下方面:激光增强化学沉积过程中的热加工,热应力对薄膜质量的影响研究,生长过程中的气体动力学研究,薄膜的掺杂行为和电学性能研究,以及低温沉积,沉积过程中的直接激光写入。该研究涉及光电子器件的无掩模写入和生长,以及集成光电子材料的先进外延生长。光电材料将影响对美国经济竞争力至关重要的通信和光处理设备。在这项资助下,学生们在从事这些重要材料的研究方面得到了良好的培训。
英文摘要
The research is a renewal of a grant by The National Science Foundation to Professor S. M. Bedair, North Carolina State University, to investigate the potential of laser enhanced metallorganic vapor deposition to selectively deposit epitaxial films of compound semiconductors on gallium silicon substrates. The previous award by the Foundation to Professor Bedair was a Special Creativity Award. During the previous grant several significant accomplishments were made, e.g., establishment of the experimental conditions for selective epitaxy and direct writing of single crystals of gallium arsenide, aluminum gallium arsenide, gallium arsenic phosphide, and indium gallium arsenide on gallium arsenide and silicon substrates, growth of compound semiconductors by laser-enhanced chemical vapor deposition at the lowest reported temperatures (250oC), and growth of superlattices using chemical vapor deposition without gas switching. The research during this continuation period will emphasize the following: thermal processing during laser-enhanced chemical deposition, study of effects of thermal stress on the quality of the films, study of gas dynamics during growth, study of doping behavior and electrical properties of the films, and low temperature deposition, direct laser writing during deposition. The research is relevant to maskless writing and growth of optoelectronic devices, and advanced epitaxial growth of integrated optical and electronic materials. Optoelectronic materials will impact communications and optical processing devices which are important to the economic competitiveness of the United States. Students are receiving excellent training under the grant for careers in research on these vital materials.
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会议论文
EAGER: Tandem solar cells of two dissimilar material systems
  • 批准号:
    1665211
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 资助金额:
    $29.99万
  • 财政年份:
    2017
  • 负责人:
    S. Bedair
  • 依托单位:
Engineering Strain in InGaN/GaN Multiple Quantum Wells for Improved Optical Devices
  • 批准号:
    1407772
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 资助金额:
    $36.3万
  • 财政年份:
    2014
  • 负责人:
    S. Bedair
  • 依托单位:
Growth of Low Defect Density III-Nitride Compounds on Nanowires
  • 批准号:
    1105842
  • 项目类别:
    Continuing Grant
  • 资助金额:
    $37.58万
  • 财政年份:
    2011
  • 负责人:
    S. Bedair
  • 依托单位:
GOALI:Cooperative Integration of High Efficiency Multijunction Solar Cell Structures
  • 批准号:
    1102060
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 资助金额:
    $38.56万
  • 财政年份:
    2011
  • 负责人:
    S. Bedair
  • 依托单位:
国内基金
海外基金
基于二极磁铁电源驱动的beam dump系统研究
  • 批准号:
    12405177
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    30.00万元
  • 批准年份:
    2024
  • 负责人:
    任航
  • 依托单位:
完全共振高次带导数Beam方程的拟周期解研究
  • 批准号:
    12301229
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    30.00万元
  • 批准年份:
    2023
  • 负责人:
    葛传芳
  • 依托单位:
基于CPU+多GPU构架的图像引导放疗低剂量Cone Beam CT高质量重建系统的研究
  • 批准号:
    81803056
  • 项目类别:
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  • 资助金额:
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  • 批准年份:
    2018
  • 负责人:
    宋莹
  • 依托单位:
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