安定フェノキシルラジカルからなるアモルファス固体の軟質磁性に関する研究

スピン密度の増大を目指し、トリアリールフェノキシルラジカル－２量体系を用いて二つの手法を検討した。（１）では、アリール基上に安定ラジカル部位であるTEMPOL（4-ヒドロキシ-2,2,6,6-テトラメチルピペリジン-1-オキシル）部位を置換した新規分子の合成に概ね成功している。一方（２）では、従来のアモルファス固体とラジカル分子からなる結晶を固相摩砕することで、TEMPOLが最大5％含まれた分子性錯体（混合アモルファス）の調製に成功した。得られた混合アモルファスの磁化率測定を行ったところ、弱いながらもスピン間に磁気的相互作用がある可能性が示唆された。TEMPOLの比率が低い理由としては、TEMPOL分子とフェノキシルラジカル分子の分子構造が相当異なっているためであろうから、今後は両者の分子構造をより近づけることで、ラジカル分子の含有率がより高く、その結果強い分子間相互作用が期待できる混合アモルファスの調製を目指す。これと平行して、種々の条件下でのトリアリールフェノキシル－２量体系のアモルファス形成共同を検討した。固化条件が変わるとアモルファス固体中のフェノキシル／２量体比（組成比）は変化したが、その下限は2:98であった。ただし、それらの粉末Ｘ線回折パターンや熱分解温度に概ね同じだった。さらに、アモルファス固体を前駆体フェノールの結晶と混合撹拌したところ、フェノキシル／２量体の組成比は2:98で変わらないまま、フェノールがアモルファス中に取り込まれた混合アモルファスが得られた。以上の実験結果は、フェノキシルと２量体が物質量比2:98で含まれるクラスターがアモルファス固体の基本構造になっていること、またフェノールやTEMPOLといったゲスト分子はクラスターに構造に影響を与えず、それらの間に取り込まれることを強く示唆している。

スピン密度の増大を目指し、トリアリールフェノキシルラジカル－２量体系を用いて二つの手法を検討した。（１）では、アリール基上に安定ラジカル部位であるTEMPOL（4-ヒドロキシ-2,2,6,6-テトラメチルピペリジン-1-オキシル）部位を置換した新規分子の合成に概ね成功している。一方（２）では、従来のアモルファス固体とラジカル分子からなる結晶を固相摩砕することで、TEMPOLが最大5％含まれた分子性錯体（混合アモルファス）の調製に成功した。得られた混合アモルファスの磁化率測定を行ったところ、弱いながらもスピン間に磁気的相互作用がある可能性が示唆された。TEMPOLの比率が低い理由としては、TEMPOL分子とフェノキシルラジカル分子の分子構造が相当異なっているためであろうから、今後は両者の分子構造をより近づけることで、ラジカル分子の含有率がより高く、その結果強い分子間相互作用が期待できる混合アモルファスの調製を目指す。これと平行して、種々の条件下でのトリアリールフェノキシル－２量体系のアモルファス形成共同を検討した。固化条件が変わるとアモルファス固体中のフェノキシル／２量体比（組成比）は変化したが、その下限は2:98であった。ただし、それらの粉末Ｘ線回折パターンや熱分解温度に概ね同じだった。さらに、アモルファス固体を前駆体フェノールの結晶と混合撹拌したところ、フェノキシル／２量体の組成比は2:98で変わらないまま、フェノールがアモルファス中に取り込まれた混合アモルファスが得られた。以上の実験結果は、フェノキシルと２量体が物質量比2:98で含まれるクラスターがアモルファス固体の基本構造になっていること、またフェノールやTEMPOLといったゲスト分子はクラスターに構造に影響を与えず、それらの間に取り込まれることを強く示唆している。