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Development of tunnel field-effect transistor with steep switching based on dimensional control of density-of-state

Development of tunnel field-effect transistor with steep switching based on dimensional control of density-of-state
基于态密度尺寸控制的陡峭开关隧道场效应晶体管的研制
批准号：
20K14797
负责人：
Kato Kimihiko
金额：
$2.75万
依托单位：
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K14797/
关键词：
トンネルFETTFETシリコン低消費電力急峻スイッチングオン電流集積回路

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DOI： --
发表时间： 2022
期刊：
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通讯作者： 加藤 公彦
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发表时间： 2021
期刊： Solid-State Electronics
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发表时间： 2021
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通讯作者： 森 貴洋
共 10 条
    国内基金
    海外基金
    基于二维高迁移率材料InSe的新型TFET器件物理研究
    • 批准号：
      61974176
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      59.0万元
    • 批准年份：
      2019
    • 负责人：
      梁世军
    • 依托单位：
      南京大学
    混合维度范德瓦尔斯异质结TFET的输运关键技术研究
    • 批准号：
      61904136
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      23.0万元
    • 批准年份：
      2019
    • 负责人：
      陈树鹏
    • 依托单位：
      西安电子科技大学
    Si基应变多子沟道TFET研究
    • 批准号：
      61704130
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      24.0万元
    • 批准年份：
      2017
    • 负责人：
      王斌
    • 依托单位：
      西安电子科技大学
    基于多场集中效应的新型TFET高开关电流比理论与结构
    • 批准号：
      61574027
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      55.0万元
    • 批准年份：
      2015
    • 负责人：
      王向展
    • 依托单位：
      电子科技大学