Chemical etching of semiconductors assisted by graphene derivatives towords nano- and micro- fabrication.
Chemical etching of semiconductors assisted by graphene derivatives towords nano- and micro- fabrication.
石墨烯衍生物辅助的半导体化学蚀刻适用于纳米和微米制造。
批准号：
20H02450
负责人：
Utsunomiya Toru
金额：
$11.48万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
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フッ硝酸を用いた酸化グラフェンアシストシリコンエッチング
使用氟硝酸的氧化石墨烯辅助硅蚀刻
使用氟硝酸的氧化石墨烯辅助硅蚀刻
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[上田恭介, 上田隆統志, 成島尚之, 真部研吾, 窪田 航，島川 紘，宇都宮 徹，一井 崇，杉村 博之]
通讯作者：
窪田 航，島川 紘，宇都宮 徹，一井 崇，杉村 博之
気相中酸化グラフェンアシストシリコンエッチング
氧化石墨烯辅助硅气相蚀刻
氧化石墨烯辅助硅气相蚀刻
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[真部 研吾, 中野 美紀, 三宅 晃司, 則包 恭央, 小畠秀和，隼瀬俊介，後藤琢也，小澤俊平，白鳥英，杉岡健一, 窪田 航，宇都宮 徹，一井 崇，杉村 博之]
通讯作者：
窪田 航，宇都宮 徹，一井 崇，杉村 博之
MoS2ナノシートを用いた気相中アシストシリコンエッチング
使用 MoS2 纳米片进行气相辅助硅蚀刻
使用 MoS2 纳米片进行气相辅助硅蚀刻
DOI：
--
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Moritz Kindelmann, Ke Ran, Wolfgang Rheinheimer, Martin Bram, Koji Morita, Olivier Guillon, 幸塚駿佑 ，○上田純平，田部勢津久，中西貴之，武田隆史，廣崎尚登, Kazuho Murata and Masaru Aniya, 中山将伸, 山本快知，窪田航，宇都宮徹，一井崇，杉村博之]
通讯作者：
山本快知，窪田航，宇都宮徹，一井崇，杉村博之
遷移金属ダイカルコゲナイド援用シリコンエッチング
过渡金属二硫属化物辅助硅蚀刻
过渡金属二硫属化物辅助硅蚀刻
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[K. Morita, H. Yoshida, B.-N. Kim, 中山 将伸, 山本快知，窪田航，宇都宮徹，一井崇，杉村博之]
通讯作者：
山本快知，窪田航，宇都宮徹，一井崇，杉村博之
電気化学剥離酸化グラフェンのLFM解析
电化学剥离氧化石墨烯的 LFM 分析
电化学剥离氧化石墨烯的 LFM 分析
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[佐原亮二, K. Kohli, S. Kr. Bhattacharya, P. Ghosh, 上田恭介, 成島尚之, 伯山流星，石黒涼太，清宮優作，小澤俊平, 廣富 祐二，宇都宮 徹，一井 崇，杉村 博之]
通讯作者：
廣富 祐二，宇都宮 徹，一井 崇，杉村 博之
共 23 条
Synthetic methods of heteroatom-doped graphene through photoirradiation
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批准号：16K17519
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项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2016
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负责人：Utsunomiya Toru
-
依托单位：
海外基金