Chemical etching of semiconductors assisted by graphene derivatives towords nano- and micro- fabrication.

石墨烯衍生物辅助的半导体化学蚀刻适用于纳米和微米制造。

基本信息

  • 批准号:
    20H02450
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.48万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2020
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2020-04-01 至 2023-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(28)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
フッ硝酸を用いた酸化グラフェンアシストシリコンエッチング
使用氟硝酸的氧化石墨烯辅助硅蚀刻
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    上田恭介;上田隆統志;成島尚之;真部研吾;窪田 航,島川 紘,宇都宮 徹,一井 崇,杉村 博之
  • 通讯作者:
    窪田 航,島川 紘,宇都宮 徹,一井 崇,杉村 博之
気相中酸化グラフェンアシストシリコンエッチング
氧化石墨烯辅助硅气相蚀刻
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    真部 研吾;中野 美紀;三宅 晃司;則包 恭央;小畠秀和,隼瀬俊介,後藤琢也,小澤俊平,白鳥英,杉岡健一;窪田 航,宇都宮 徹,一井 崇,杉村 博之
  • 通讯作者:
    窪田 航,宇都宮 徹,一井 崇,杉村 博之
遷移金属ダイカルコゲナイド援用シリコンエッチング
过渡金属二硫属化物辅助硅蚀刻
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Morita;H. Yoshida;B.-N. Kim;中山 将伸;山本快知,窪田航,宇都宮徹,一井崇,杉村博之
  • 通讯作者:
    山本快知,窪田航,宇都宮徹,一井崇,杉村博之
電気化学剥離酸化グラフェンのLFM解析
电化学剥离氧化石墨烯的 LFM 分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    佐原亮二;K. Kohli;S. Kr. Bhattacharya;P. Ghosh;上田恭介;成島尚之;伯山流星,石黒涼太,清宮優作,小澤俊平;廣富 祐二,宇都宮 徹,一井 崇,杉村 博之
  • 通讯作者:
    廣富 祐二,宇都宮 徹,一井 崇,杉村 博之
MoS2ナノシートを用いた気相中アシストシリコンエッチング
使用 MoS2 纳米片进行气相辅助硅蚀刻
  • DOI:
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Moritz Kindelmann;Ke Ran;Wolfgang Rheinheimer;Martin Bram;Koji Morita;Olivier Guillon;幸塚駿佑 ,○上田純平,田部勢津久,中西貴之,武田隆史,廣崎尚登;Kazuho Murata and Masaru Aniya;中山将伸;山本快知,窪田航,宇都宮徹,一井崇,杉村博之
  • 通讯作者:
    山本快知,窪田航,宇都宮徹,一井崇,杉村博之
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Utsunomiya Toru其他文献

KMnO4/H+二次酸化による酸化グラフェンの蛍光増強
KMnO4/H+二次氧化增强氧化石墨烯的荧光
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tu Yudi;Utsunomiya Toru;Ichii Takashi;Sugimura Hiroyuki;屠宇迪,宇都宮徹,一井崇,杉村博之;Yudi Tu,Toru Utsunomiya,Takashi Ichii,Hiroyuki Sugimura;屠宇迪,宇都宮徹,一井崇,杉村博之
  • 通讯作者:
    屠宇迪,宇都宮徹,一井崇,杉村博之
酸化グラフェンの熱アシスト光還元
氧化石墨烯的热辅助光还原
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tu Yudi;Utsunomiya Toru;Ichii Takashi;Sugimura Hiroyuki;屠宇迪,宇都宮徹,一井崇,杉村博之
  • 通讯作者:
    屠宇迪,宇都宮徹,一井崇,杉村博之
日本古代における日蝕と時刻
古代日本的日食和时间
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yamada Yuya;Ichii Takashi;Utsunomiya Toru;Kimura Kuniko;Kobayashi Kei;Yamada Hirofumi;Sugimura Hiroyuki;Аяко Кадзи;吉田拓矢
  • 通讯作者:
    吉田拓矢
Protective layer for cycloolefin polymer against an aromatic solvent prepared by chemical vapor deposition using cyclosiloxane as a raw molecule
以环硅氧烷为原料分子通过化学气相沉积制备的环烯烃聚合物对芳香族溶剂的保护层
  • DOI:
    10.1016/j.tsf.2017.07.026
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.1
  • 作者:
    Utsunomiya Toru;Kanzawa Taiki;Ichii Takashi;Sugimura Hiroyuki
  • 通讯作者:
    Sugimura Hiroyuki
Enhancing the Electrical Conductivity of VUV-reduced Graphene Oxide by Multilayered Stacking
通过多层堆叠增强真空紫外还原氧化石墨烯的导电性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Tu Yudi;Utsunomiya Toru;Ichii Takashi;Sugimura Hiroyuki;屠宇迪,宇都宮徹,一井崇,杉村博之;Yudi Tu,Toru Utsunomiya,Takashi Ichii,Hiroyuki Sugimura
  • 通讯作者:
    Yudi Tu,Toru Utsunomiya,Takashi Ichii,Hiroyuki Sugimura

Utsunomiya Toru的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('Utsunomiya Toru', 18)}}的其他基金

Synthetic methods of heteroatom-doped graphene through photoirradiation
光辐照合成杂原子掺杂石墨烯的方法
  • 批准号:
    16K17519
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 11.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

相似海外基金

Development of lightly-tilted crystal face trench MOS channels toward the realization of ultra-low resistance GaN power devices
开发微倾斜晶面沟槽MOS沟道以实现超低电阻GaN功率器件
  • 批准号:
    22K14294
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 11.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Controllability Improvement of Silicon Surface Finishing Using Electroless Reaction and Its Application for Resource Recovery and Elemental Analysis
化学镀反应硅表面处理的可控性改进及其在资源回收和元素分析中的应用
  • 批准号:
    22K04779
  • 财政年份:
    2022
  • 资助金额:
    $ 11.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Nonequilibrium surface reactions of plasma-assisted atomic layer processes
等离子体辅助原子层工艺的非平衡表面反应
  • 批准号:
    21H04453
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 11.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
Elucidation of plasma-induced defect generation mechanism during atomic layer etching
阐明原子层蚀刻过程中等离子体引起的缺陷产生机制
  • 批准号:
    20K14453
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 11.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
窒化物半導体スラブ型フォトニック結晶の品質改善と光集積回路への応用
氮化物半导体板片型光子晶体的品质提升及其在光集成电路中的应用
  • 批准号:
    20K14788
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 11.48万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了