刷新
{{item.name}}会员
Chemical etching of semiconductors assisted by graphene derivatives towords nano- and micro- fabrication.
石墨烯衍生物辅助的半导体化学蚀刻适用于纳米和微米制造。
基本信息
- 批准号：20H02450
- 负责人：
- 金额：$ 11.48万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2020
- 资助国家：日本
- 起止时间：2020-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（28）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
フッ硝酸を用いた酸化グラフェンアシストシリコンエッチング
使用氟硝酸的氧化石墨烯辅助硅蚀刻
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：上田恭介;上田隆統志;成島尚之;真部研吾;窪田 航，島川 紘，宇都宮 徹，一井 崇，杉村 博之
- 通讯作者：窪田 航，島川 紘，宇都宮 徹，一井 崇，杉村 博之
気相中酸化グラフェンアシストシリコンエッチング
氧化石墨烯辅助硅气相蚀刻
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：真部 研吾;中野 美紀;三宅 晃司;則包 恭央;小畠秀和，隼瀬俊介，後藤琢也，小澤俊平，白鳥英，杉岡健一;窪田 航，宇都宮 徹，一井 崇，杉村 博之
- 通讯作者：窪田 航，宇都宮 徹，一井 崇，杉村 博之
MoS2ナノシートを用いた気相中アシストシリコンエッチング
使用 MoS2 纳米片进行气相辅助硅蚀刻
- DOI：
- 发表时间：2023
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Moritz Kindelmann;Ke Ran;Wolfgang Rheinheimer;Martin Bram;Koji Morita;Olivier Guillon;幸塚駿佑 ，○上田純平，田部勢津久，中西貴之，武田隆史，廣崎尚登;Kazuho Murata and Masaru Aniya;中山将伸;山本快知，窪田航，宇都宮徹，一井崇，杉村博之
- 通讯作者：山本快知，窪田航，宇都宮徹，一井崇，杉村博之
遷移金属ダイカルコゲナイド援用シリコンエッチング
过渡金属二硫属化物辅助硅蚀刻
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Morita;H. Yoshida;B.-N. Kim;中山 将伸;山本快知，窪田航，宇都宮徹，一井崇，杉村博之
- 通讯作者：山本快知，窪田航，宇都宮徹，一井崇，杉村博之
電気化学剥離酸化グラフェンのLFM解析
电化学剥离氧化石墨烯的 LFM 分析
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：佐原亮二;K. Kohli;S. Kr. Bhattacharya;P. Ghosh;上田恭介;成島尚之;伯山流星，石黒涼太，清宮優作，小澤俊平;廣富 祐二，宇都宮 徹，一井 崇，杉村 博之
- 通讯作者：廣富 祐二，宇都宮 徹，一井 崇，杉村 博之
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Utsunomiya Toru其他文献
KMnO4/H+二次酸化による酸化グラフェンの蛍光増強
KMnO4/H+二次氧化增强氧化石墨烯的荧光
- DOI：
- 发表时间：
2016 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Tu Yudi;Utsunomiya Toru;Ichii Takashi;Sugimura Hiroyuki;屠宇迪，宇都宮徹，一井崇，杉村博之;Yudi Tu，Toru Utsunomiya，Takashi Ichii，Hiroyuki Sugimura;屠宇迪，宇都宮徹，一井崇，杉村博之 - 通讯作者：
屠宇迪，宇都宮徹，一井崇，杉村博之
酸化グラフェンの熱アシスト光還元
氧化石墨烯的热辅助光还原
- DOI：
- 发表时间：
2016 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Tu Yudi;Utsunomiya Toru;Ichii Takashi;Sugimura Hiroyuki;屠宇迪，宇都宮徹，一井崇，杉村博之 - 通讯作者：
屠宇迪，宇都宮徹，一井崇，杉村博之
日本古代における日蝕と時刻
古代日本的日食和时间
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Yamada Yuya;Ichii Takashi;Utsunomiya Toru;Kimura Kuniko;Kobayashi Kei;Yamada Hirofumi;Sugimura Hiroyuki;Аяко Кадзи;吉田拓矢 - 通讯作者：
吉田拓矢
Protective layer for cycloolefin polymer against an aromatic solvent prepared by chemical vapor deposition using cyclosiloxane as a raw molecule
以环硅氧烷为原料分子通过化学气相沉积制备的环烯烃聚合物对芳香族溶剂的保护层
- DOI：
10.1016/j.tsf.2017.07.026 - 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：2.1
- 作者：
Utsunomiya Toru;Kanzawa Taiki;Ichii Takashi;Sugimura Hiroyuki - 通讯作者：
Sugimura Hiroyuki
Vacuum-ultraviolet Photochemical Fabrication of Micro Conductive Reduced Graphene Oxide Patterns: Light Collimation to Improve Patterning Precision
真空紫外光化学制备微导电还原氧化石墨烯图案：光准直提高图案精度
- DOI：
- 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Tu Yudi;Utsunomiya Toru;Ichii Takashi;Khatri Om Prakash;Sugimura Hiroyuki - 通讯作者：
Sugimura Hiroyuki
Utsunomiya Toru的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Utsunomiya Toru', 18)}}的其他基金
Synthetic methods of heteroatom-doped graphene through photoirradiation
光辐照合成杂原子掺杂石墨烯的方法
- 批准号：
16K17519 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 11.48万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似海外基金
窒化物半導体スラブ型フォトニック結晶の品質改善と光集積回路への応用
氮化物半导体板片型光子晶体的品质提升及其在光集成电路中的应用
- 批准号：
20K14788 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 11.48万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
III-nitride semiconductor photonic crystals integrating active and passive devices
集成有源和无源器件的III族氮化物半导体光子晶体
- 批准号：
19K23508 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 11.48万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
Research on ultrafine nitride semiconductor nanostructure for optical device platform fabricated by low-damege etching technique
低损伤刻蚀技术制备光器件平台超细氮化物半导体纳米结构的研究
- 批准号：
17H02747 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 11.48万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of crystal defect revelation technique for next-generation power semiconductor material Ga2O3
开发下一代功率半导体材料Ga2O3晶体缺陷揭示技术
- 批准号：
16K17516 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 11.48万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Creation of semiconductor surfaces by catalytic tools loaded with atomically controlled graphene
通过装载原子控制石墨烯的催化工具创建半导体表面
- 批准号：
16K14133 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 11.48万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
窒化物半導体多孔質ナノ構造の電気化学的形成と機能化による可視光応答光触媒への応用
氮化物半导体多孔纳米结构的电化学形成和功能化在可见光响应光催化剂中的应用
- 批准号：
14J01371 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 11.48万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
FORMATION OF THREE-DIMENSIONAL SHAPES IN SEMICONDUCTOR SURFACES FOR FUNCTIONAL DEVICES THROUGH PHOTOCHEMICAL REACTION WITH ELECTROPHILIC FLUORINATION AGENTS
通过与亲电氟化剂的光化学反应在功能器件的半导体表面形成三维形状
- 批准号：
26289017 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 11.48万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Fabrication of non-polar GaN and nitride semiconductor crystals using newly developed control technique of crystal planes
利用新开发的晶面控制技术制造非极性GaN和氮化物半导体晶体
- 批准号：
25390064 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 11.48万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
半導体デバイス応用を目指したグラフェンナノリボンの創製
为半导体器件应用创建石墨烯纳米带
- 批准号：
13F03352 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 11.48万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Exploration of novel materials for photochemical water splitting based on semiconductor nanowires and nanostructures
基于半导体纳米线和纳米结构的光化学分解水新型材料的探索
- 批准号：
24656196 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 11.48万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research