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Development of 1.0 micron-band monolithic semiconductor photonics integrated circuits for near-infrared sensing

Development of 1.0 micron-band monolithic semiconductor photonics integrated circuits for near-infrared sensing
开发用于近红外传感的1.0微米波段单片半导体光子集成电路
批准号：
19H00757
负责人：
Nakano Yoshiaki
金额：
$28.87万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19H00757/
关键词：
光センシングInGaAsPGaAsイメージング高速

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使用非冗余光学相控阵的超高分辨率光学偏转：建议和演示
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [福井太一郎, 田之村亮汰, 小松憲人, 山下大之, 高橋俊, 中野義昭, 種村拓夫]
通讯作者： 種村拓夫
全結合型光干渉計によるロバストな光ユニタリ変換器の検討
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发表时间： 2021
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影响因子： --
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通讯作者： 中野義昭
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DOI： --
发表时间： 2019
期刊：
影响因子： --
作者： [種村拓夫, 福井太一郎, 河野佑亮, 小松憲人, 中野義昭, Taichiro Fukui, Taichiro Fukui, Takuo Tanemura, 中野義昭, 種村拓夫, Shota Onoduka, Taichiro Fukui, Samar Emara, Takuo Tanemura]
通讯作者： Takuo Tanemura
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单片 InP 100 端口光学相控阵
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [Kento Komatsu, Yusuke Kohno, Yoshiaki Nakano, and Takuo Tanemura]
通讯作者： and Takuo Tanemura
共 51 条
    Development of p- and n-type organic thermoelectric materials with porous structure
    • 批准号：
      18K05260
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $2.83万
    • 财政年份：
      2018
    • 负责人：
      Nakano Yoshiaki
    • 依托单位：
      Kyoto University
    Research on building response against tsunami-debris collision and evaluation of its impact load
    • 批准号：
      15H04072
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.82万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Nakano Yoshiaki
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    Development of organic conducting and magnetic materials based on high-symmetric molecules for thermoelectric application
    • 批准号：
      15K17901
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.66万
    • 财政年份：
      2015
    • 负责人：
      Nakano Yoshiaki
    • 依托单位：
      Kyoto University
    国内基金
    海外基金
    1.55微米InP基InGaAsP量子阱-InAs量子点耦合激光器研究
    • 批准号：
      61504140
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      21.0万元
    • 批准年份：
      2015
    • 负责人：
      罗帅
    • 依托单位：
      中国科学院半导体研究所
    晶格异变GaInP/GaAs/InGaAsP/InGaAs 四结太阳电池研究
    GSMBE 1.55微米 InAs/InGaAsP 量子点激光器材料与器件
    • 批准号：
      60976015
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      40.0万元
    • 批准年份：
      2009
    • 负责人：
      王海龙
    • 依托单位：
      曲阜师范大学
    基于InGaAsP双模激光器腔内自混频效应产生太赫兹波研究
    • 批准号：
      60877059
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      12.0万元
    • 批准年份：
      2008
    • 负责人：
      何健
    • 依托单位：
      华中科技大学