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Study on high-voltage and high-power nitrided-based transistor amplifiers operated at quasi-millimeter wave frequencies

Study on high-voltage and high-power nitrided-based transistor amplifiers operated at quasi-millimeter wave frequencies
准毫米波频率高压大功率氮化晶体管放大器的研究
批准号：
19H00761
负责人：
Kuzuhara Masaaki
金额：
$29.12万
依托单位：
Kwansei Gakuin University (2020-2021)University of Fukui (2019)
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19H00761/
关键词：
準ミリ波HEMTAlGaN/GaN電力増幅器無線電力伝送破壊電界電力利得トランジスタ窒化物半導体高出力高電子移動度トランジスタ電力増幅耐圧

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Mist chemical vapor deposited-Al2O3/AlGaN interfacial characterization for GaN MIS-HEMTs
GaN MIS-HEMT 的雾化学气相沉积-Al2O3/AlGaN 界面表征
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Motoyama, Z. Yatabe, Y. Nakamura, A. Baratov, R. S. Low, S. Urano, J. T. Asubar, M. Kuzuhara]
通讯作者： M. Kuzuhara
Recessed gate GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric deposited by mist-CVD method
采用喷雾 CVD 法沉积 Al2O3 栅介质的凹栅 GaN 基 MIS-HEMT
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [M. Ishiguro, S. Urano, R. S. Low, M. Faris, I. Nagase, A. Baratov, J. T. Asubar, T. Motoyama, Y. Nakamura, Z. Yatabe, M. Kuzuhara]
通讯作者： M. Kuzuhara
GaN HEMT technology for low-loss and high-voltage applications
适用于低损耗和高电压应用的 GaN HEMT 技术
DOI： --
发表时间： 2021
期刊：
影响因子： --
作者： [M. Ishiguro, S. Urano, R. S. Low, M. Faris, I. Nagase, A. Baratov, J. T. Asubar, T. Motoyama, Y. Nakamura, Z. Yatabe, M. Kuzuhara, Masaaki Kuzuhara]
通讯作者： Masaaki Kuzuhara
Normally-off recessed-gate ZrO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with regrown AlGaN barrier
具有再生长 AlGaN 势垒的常关凹进栅极 ZrO2/AlGaN/GaN MIS-HEMT
DOI： --
发表时间： 2020
期刊：
影响因子： --
作者： [Itsuki Nagase, Joel T. Asubar, Rui Shan Low, Shun Urano, Hirokuni Tokuda, Akio Yamamoto, Masaaki Kuzuhara]
通讯作者： Masaaki Kuzuhara
共 31 条
    Study on lateral breakdown field in GaN-based transistors
    • 批准号：
      16H04347
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.73万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Kuzuhara Masaaki
    • 依托单位：
      University of Fukui
    Study on III-Nitride Based MIS-Transistors with Low-loss and High-breakdown voltage Characteristics
    • 批准号：
      25420328
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.33万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      Kuzuhara Masaaki
    • 依托单位：
      University of Fukui
    国内基金
    海外基金
    面向无人机应用的增强型p-gate AlGaN/GaN HEMT高功率微波辐射效应及 机理研究
    AlGaN/GaN HEMT射频器件ESD应力下损伤机理研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      叶然
    • 依托单位：
    硅基AlGaN/GaN HEMT高K介质体电场优化设计与机理研究
    • 批准号：
      62104176
    • 项目类别：
      青年科学基金项目（C类）
    • 资助金额：
      30.0万元
    • 批准年份：
      2021
    • 负责人：
      曹震
    • 依托单位：
      西安电子科技大学
    β-Ga2O3/GaN复合栅结构AlGaN/GaN HEMT型日盲深紫外探测器载流子输运机制研究
    • 批准号：
      --
    • 项目类别：
      青年科学基金项目
    • 资助金额：
      30万元
    • 批准年份：
      2021
    • 负责人：
      曾巧玉
    • 依托单位：
      广东省科学院半导体研究所