Study on high-voltage and high-power nitrided-based transistor amplifiers operated at quasi-millimeter wave frequencies

准毫米波频率高压大功率氮化晶体管放大器的研究

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Mist chemical vapor deposited-Al2O3/AlGaN interfacial characterization for GaN MIS-HEMTs
GaN MIS-HEMT 的雾化学气相沉积-Al2O3/AlGaN 界面表征
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T. Motoyama;Z. Yatabe;Y. Nakamura;A. Baratov;R. S. Low;S. Urano;J. T. Asubar;M. Kuzuhara
  • 通讯作者：
    M. Kuzuhara
Recessed gate GaN-based MIS-HEMTs with Al2O3 gate dielectric deposited by mist-CVD method
采用喷雾 CVD 法沉积 Al2O3 栅介质的凹栅 GaN 基 MIS-HEMT
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    M. Ishiguro;S. Urano;R. S. Low;M. Faris;I. Nagase;A. Baratov;J. T. Asubar;T. Motoyama;Y. Nakamura;Z. Yatabe;M. Kuzuhara
  • 通讯作者：
    M. Kuzuhara
GaN HEMT technology for low-loss and high-voltage applications
适用于低损耗和高电压应用的 GaN HEMT 技术
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    M. Ishiguro;S. Urano;R. S. Low;M. Faris;I. Nagase;A. Baratov;J. T. Asubar;T. Motoyama;Y. Nakamura;Z. Yatabe;M. Kuzuhara;Masaaki Kuzuhara
  • 通讯作者：
    Masaaki Kuzuhara
Normally-off recessed-gate ZrO2/AlGaN/GaN MIS-HEMTs with regrown AlGaN barrier
具有再生长 AlGaN 势垒的常关凹进栅极 ZrO2/AlGaN/GaN MIS-HEMT
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Itsuki Nagase;Joel T. Asubar;Rui Shan Low;Shun Urano;Hirokuni Tokuda;Akio Yamamoto;Masaaki Kuzuhara
  • 通讯作者：
    Masaaki Kuzuhara
Improved interfaces of high-k ZrO2 and AlGaN via ex-situ MOVPE regrowth
通过异位 MOVPE 再生长改善高 k ZrO2 和 AlGaN 的界面
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Itsuki Nagase;Joel T. Asubar; Rui Shan Low;Shun Urano;Shunsuke Kamiya;Ali Baratov;Hirokuni Tokuda;Akio Yamamoto;Masaaki Kuzuhara
  • 通讯作者：
    Masaaki Kuzuhara
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者：
    {{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI：
    {{ item.doi }}
  • 发表时间：
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊：
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子：
    {{ item.factor }}
  • 作者：
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者：
    {{ item.author }}
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{{ showInfoDetail.title }}

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