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Study on III-Nitride Based MIS-Transistors with Low-loss and High-breakdown voltage Characteristics

Study on III-Nitride Based MIS-Transistors with Low-loss and High-breakdown voltage Characteristics
低损耗高击穿电压III族氮化物MIS晶体管的研究
批准号：
25420328
负责人：
Kuzuhara Masaaki
金额：
$3.33万
依托单位：
University of Fukui
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25420328/
关键词：
窒化物半導体HEMTMOSFETゲート絶縁膜パッシベーション耐圧電流コラプスパワーデバイス表面保護膜トランジスタＭＩＳゲート電流ヘテロ接合

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Interface Properties of n-GaN MIS Diodes with ZrO2/Al2O3 Laminated Films as a Gate Insulator
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DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [S. Kodama, H. Tokuda, and M. Kuzuhara]
通讯作者： and M. Kuzuhara
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发表时间： 2014-04-01
期刊： APPLIED PHYSICS EXPRESS
影响因子： 2.3
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通讯作者： Kuzuhara, Masaaki
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发表时间： 2015
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影响因子： --
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通讯作者： and Masaaki Kuzuhara
GaN-based Heterojunction FETs for Power Applications
用于电源应用的 GaN 基异质结 FET
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [H. Kobayashi, Shun-ichi Takaoka, Yoshio Yamaguchi, M. Kuzuhara]
通讯作者： M. Kuzuhara
共 18 条
    Study on high-voltage and high-power nitrided-based transistor amplifiers operated at quasi-millimeter wave frequencies
    Study on lateral breakdown field in GaN-based transistors
    • 批准号：
      16H04347
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $10.73万
    • 财政年份：
      2016
    • 负责人：
      Kuzuhara Masaaki
    • 依托单位：
      University of Fukui
    国内基金
    海外基金
    异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
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    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      叶然
    • 依托单位：