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Study on lateral breakdown field in GaN-based transistors

Study on lateral breakdown field in GaN-based transistors
GaN基晶体管横向击穿场研究
批准号：
16H04347
负责人：
Kuzuhara Masaaki
金额：
$10.73万
依托单位：
University of Fukui
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16H04347/
关键词：
窒化物半導体HEMT絶縁破壊耐圧リーク電流半絶縁性基板バッファ層抵抗率GaN半絶縁性破壊電界漏れ電流パワーデバイス基板高電子移動度トランジスタ電子デバイス・機器トランジスタ

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AlGaN/GaN HEMTs on Free-standing GaN substrate with Breakdown Voltage of 5 kV and Effective Lateral Critical Field of 1 MV/cm
独立式 GaN 衬底上的 AlGaN/GaN HEMT，击穿电压为 5 kV，有效横向临界场为 1 MV/cm
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [J. H. Ng, J. T. Asubar, H. Tokuda, and M. Kuzuhara]
通讯作者： and M. Kuzuhara
Electron concentration in highly resistive GaN substrates co-doped with Si, C, and Fe
DOI： 10.7567/jjap.57.071001
发表时间： 2018-07-01
期刊： JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子： 1.5
作者： [Tokuda, Hirokuni, Suzuki, Kosuke, Kuzuhara, Masaaki]
通讯作者： Kuzuhara, Masaaki
Study on breakdown field in Fe-doped semi-insulating GaN substrates
Fe掺杂半绝缘GaN衬底击穿场研究
DOI： --
发表时间： 2018
期刊：
影响因子： --
作者： [A. Aoai, K. Suzuki, J. T. Asubar, H. Tokuda, N. Okada, K. Tadatomo, and M. Kuzuhara]
通讯作者： and M. Kuzuhara
Advanced breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMTs fabricated on free-standing GaN substrates
在独立式 GaN 衬底上制造的 AlGaN/GaN HEMT 的高级击穿特性
DOI： --
发表时间： 2017
期刊：
影响因子： --
作者： [Yoshiaki Kanamori, Daisuke Ema, and Kazuhiro Hane, 山本文子, M. Kuzuhara]
通讯作者： M. Kuzuhara
共 23 条
    Study on high-voltage and high-power nitrided-based transistor amplifiers operated at quasi-millimeter wave frequencies
    Study on III-Nitride Based MIS-Transistors with Low-loss and High-breakdown voltage Characteristics
    • 批准号：
      25420328
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.33万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      Kuzuhara Masaaki
    • 依托单位：
      University of Fukui
    国内基金
    海外基金
    异质结极化场局域调控机制与选区外延p-GaN HEMT研究
    图形化衬底调控极端电应力下硅基氮化 镓HEMT器件位错缺陷的形成演化机制研 究
    面向无人机应用的增强型p-gate AlGaN/GaN HEMT高功率微波辐射效应及 机理研究
    AlGaN/GaN HEMT射频器件ESD应力下损伤机理研究
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2024
    • 负责人：
      叶然
    • 依托单位：