Innovation of Three Primary Colors Emitting Devices by Nanocolumn Crystals
Innovation of Three Primary Colors Emitting Devices by Nanocolumn Crystals
批准号:
19H00874
负责人:
KISHINO Katsumi
金额:
$29.29万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份:
2019
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2019-04-01 至 2022-03-31
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DOI:
10.35848/1347-4065/abfeaa
发表时间:
2021
期刊:
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子:
1.5
作者:
[T. Oto;Masato Okamura;Yuzo Matsui;Kai Motoyama;S. Ishizawa;R. Togashi;K. Kishino]
通讯作者:
T. Oto;Masato Okamura;Yuzo Matsui;Kai Motoyama;S. Ishizawa;R. Togashi;K. Kishino
Carrier density dependence of localized carrier recombination dynamics in orange-emitting InGaN/GaN nanocolumns
橙光发射 InGaN/GaN 纳米柱中局域载流子复合动力学的载流子密度依赖性
DOI:
10.1063/5.0018363
发表时间:
2020
期刊:
J. Appl. Phys.
影响因子:
--
作者:
[N. Shimosako, Y. Inose, K. Kinjo, T. Nakaoka, T. Oto, K. Kishino, and K. Ema]
通讯作者:
and K. Ema
赤色発光MQWsを有するInGaN系ナノコラムにおけるAlGaN小壁装のAl組成非依存性
具有红光发射 MQW 的 InGaN 纳米柱中 AlGaN 小壁的 Al 成分独立性
DOI:
--
发表时间:
2022
期刊:
影响因子:
--
作者:
[山田順平, 本田達也, 水野愛, 富樫理恵, 野村一郎, 山口智広, 本田徹, 岸野克巳]
通讯作者:
岸野克巳
低充填率と高充填率InGaN/GaN規則配列ナノコラムにおける発光色変化メカニズムの比較検討
低填充率与高填充率InGaN/GaN有序阵列纳米柱发光颜色变化机制对比研究
DOI:
--
发表时间:
2020
期刊:
影响因子:
--
作者:
[吉村賢哉, 滝本啓司, 成田一貴, 富樫理恵, 野村一郎, 岸野克巳]
通讯作者:
岸野克巳
低温GaN層挿入によるSi基板上GaNナノコラム構造への影響
低温GaN层插入对Si衬底上GaN纳米柱结构的影响
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[細谷優人, 山口智広, 尾沼猛儀, 本田徹]
通讯作者:
本田徹
共 58 条
Innovation of energy and environment-friendly devices by nanocrystal effect
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批准号:24000013
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项目类别:Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
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资助金额:$344.86万
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财政年份:2012
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负责人:KISHINO Katsumi
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依托单位:
Basic research on optical communication wavelength inter-subband transition of III-nitride semiconductors
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批准号:14205057
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$34.78万
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财政年份:2002
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负责人:KISHINO Katsumi
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依托单位:
Study of Ill-V Nitride Semiconductor Resonant Cavity Enhanced Photodetector by Molecular Beam Epitaxy
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批准号:09650388
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.18万
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财政年份:1997
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负责人:KISHINO Katsumi
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依托单位:
Research on II-VI Compounds Semiconductor Lasers
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批准号:04452178
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$3.39万
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财政年份:1992
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负责人:KISHINO Katsumi
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依托单位:
RESEARCH OF STACKED TWIN-ACTIVE LAYER GaInAsP/InP DYNAMIC SINGLE MODE LASERS
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批准号:63550295
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1988
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负责人:KISHINO Katsumi
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依托单位:
海外基金