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Innovation of energy and environment-friendly devices by nanocrystal effect
纳米晶效应创新能源环保器件
基本信息
- 批准号：24000013
- 负责人：
- 金额：$ 344.86万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012 至 2016
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Selective Area Growth of GaN Nanocolumns on Graphene/Si02 with Thin GaN/AIN Buffer Layer
具有薄 GaN/AlN 缓冲层的石墨烯/SiO2 上 GaN 纳米柱的选择性区域生长
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Deng Xiao;Akihiro Okamoto;Kazuhito Hashimoto;佐藤一磨;Y. Konno and K. Kishino
- 通讯作者：Y. Konno and K. Kishino
ウィスバリングギャラリーモード微小光共振機構によるセンシングシステムの検討
晶须画廊模式微光学共振机制传感系统研究
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：光野徹也;酒井優;岸野克巳;原和彦
- 通讯作者：原和彦
White light emission from high density GaN-based nano-umbrellas acting as whispering gallery mode resonators
作为回音壁模式谐振器的高密度 GaN 基纳米伞发射白光
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Kouno;K. Kishino;M. Sakai;and K. Hara
- 通讯作者：and K. Hara
Nanotemplate Selective Area Growth of InGaN/GaN Nanocolumns using Nanoimprint-Patterned 2-inch AlN/Si Substrates
使用纳米压印图案 2 英寸 AlN/Si 基板进行 InGaN/GaN 纳米柱的纳米模板选择性区域生长
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Yamano;K. Hikosaka;K. Kishino
- 通讯作者：K. Kishino
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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Innovation of Three Primary Colors Emitting Devices by Nanocolumn Crystals
纳米柱晶体三基色发光器件的创新
- 批准号：
19H00874 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 344.86万 - 项目类别：
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基于纳米柱的人造纳米晶体的设计和新光学功能的创造
- 批准号：
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Innovation of Three Primary Colors Emitting Devices by Nanocolumn Crystals
纳米柱晶体三基色发光器件的创新
- 批准号：
19H00874 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 344.86万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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- 批准号：
18K04233 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 344.86万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Development of nanocolumn rectenna
纳米柱整流天线的研制
- 批准号：
17K18887 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 344.86万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Investigation of optical characterizations in nitride semiconductor/metal hybrid nanostructures and their optoelectronic device applications
氮化物半导体/金属杂化纳米结构的光学特性及其光电器件应用研究
- 批准号：
17K18110 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 344.86万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Investigation on topological photonic effect by semiconductor nanocolumns
半导体纳米柱拓扑光子效应研究
- 批准号：
17K19059 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 344.86万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
スペックルフリーInGaN系ナノコラムフォトニック結晶レーザー
无散斑InGaN纳米柱光子晶体激光器
- 批准号：
26870581 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 344.86万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Study of electrically driven quantum entanglement diode
电驱动量子纠缠二极管的研究
- 批准号：
26420320 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 344.86万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
InN／InGaNナノコラム太陽電池の探索的研究
InN/InGaN纳米柱太阳能电池的探索性研究
- 批准号：
24656056 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 344.86万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research