Innovation of energy and environment-friendly devices by nanocrystal effect
Innovation of energy and environment-friendly devices by nanocrystal effect
批准号:
24000013
负责人:
KISHINO Katsumi
金额:
$344.86万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
财政年份:
2012
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2012 至 2016
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Selective Area Growth of GaN Nanocolumns on Graphene/Si02 with Thin GaN/AIN Buffer Layer
具有薄 GaN/AlN 缓冲层的石墨烯/SiO2 上 GaN 纳米柱的选择性区域生长
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Deng Xiao, Akihiro Okamoto, Kazuhito Hashimoto, 佐藤一磨, Y. Konno and K. Kishino]
通讯作者:
Y. Konno and K. Kishino
ウィスバリングギャラリーモード微小光共振機構によるセンシングシステムの検討
晶须画廊模式微光学共振机制传感系统研究
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[光野徹也, 酒井優, 岸野克巳, 原和彦]
通讯作者:
原和彦
White light emission from high density GaN-based nano-umbrellas acting as whispering gallery mode resonators
作为回音壁模式谐振器的高密度 GaN 基纳米伞发射白光
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[T. Kouno, K. Kishino, M. Sakai, and K. Hara]
通讯作者:
and K. Hara
グラフェン上GaNナノコラムの選択成長
石墨烯上氮化镓纳米柱的选择性生长
DOI:
--
发表时间:
2016
期刊:
影响因子:
--
作者:
[今野裕太, 林宏暁, 岸野克巳]
通讯作者:
岸野克巳
Nanotemplate Selective Area Growth of InGaN/GaN Nanocolumns using Nanoimprint-Patterned 2-inch AlN/Si Substrates
使用纳米压印图案 2 英寸 AlN/Si 基板进行 InGaN/GaN 纳米柱的纳米模板选择性区域生长
DOI:
--
发表时间:
2015
期刊:
影响因子:
--
作者:
[K. Yamano, K. Hikosaka, K. Kishino]
通讯作者:
K. Kishino
共 270 条
Innovation of Three Primary Colors Emitting Devices by Nanocolumn Crystals
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批准号:19H00874
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$29.29万
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财政年份:2019
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负责人:KISHINO Katsumi
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依托单位:
Basic research on optical communication wavelength inter-subband transition of III-nitride semiconductors
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批准号:14205057
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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资助金额:$34.78万
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财政年份:2002
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负责人:KISHINO Katsumi
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依托单位:
Study of Ill-V Nitride Semiconductor Resonant Cavity Enhanced Photodetector by Molecular Beam Epitaxy
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批准号:09650388
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$2.18万
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财政年份:1997
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负责人:KISHINO Katsumi
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依托单位:
Research on II-VI Compounds Semiconductor Lasers
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批准号:04452178
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$3.39万
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财政年份:1992
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负责人:KISHINO Katsumi
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依托单位:
RESEARCH OF STACKED TWIN-ACTIVE LAYER GaInAsP/InP DYNAMIC SINGLE MODE LASERS
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批准号:63550295
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.47万
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财政年份:1988
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负责人:KISHINO Katsumi
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依托单位:
海外基金