Fundamental Study on Cubic Diamond Heteroepitaxial Growth on Trigonal Sapphire Substrate

三角蓝宝石基片上立方金刚石异质外延生长的基础研究

基本信息

  • 批准号:
    19H02616
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 8.15万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-04-01 至 2022-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(94)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
ダイヤモンド半導体ウェハとデバイス技術の最近の進展
金刚石半导体晶片和器件技术的最新进展
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高橋秀実;池山潤;山地真由;小林成貴;丸山美帆子;中嶋誠;岡田修司;吉村政志;森勇介;中林誠一郎;吉川洋史;Kotaro Kajikawa;Yasushi Shinohara;嘉数 誠
  • 通讯作者:
    嘉数 誠
Polycrystalline defects; origin of leakage current; in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes identified via ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography
通过超高灵敏发射显微镜和同步加速器 X 射线形貌识别卤化物气相外延 (001) β-Ga2O3 肖特基势垒二极管中的多晶缺陷;
  • DOI:
    10.35848/1882-0786/abde74
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.3
  • 作者:
    Sayleap Sdoeung;Kohei Sasaki;Katsumi Kawasaki;Jun Hirabayashi;Akito Kuramata;Makoto Kasu
  • 通讯作者:
    Makoto Kasu
Observation of Reverse Leakage Current in (001) Halide Vapor Phase Epitaxial (HVPE)-grown b-Gallium Oxide Schottky Barrier Diodes by High Sensitive Emission Microscope
高灵敏发射显微镜观察 (001) 卤化物气相外延 (HVPE) 生长的 b 氧化镓肖特基势垒二极管的反向漏电流
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Sayleap Sdoeung;Kohei Sasaki;Katsumi Kawasaki;Jun Hirabayashi;Akito Kuramata;and Makoto Kasu
  • 通讯作者:
    and Makoto Kasu
Fabrication and Electrical properties for diamond Schottky Barrier Diodes with small area Schottky electrode using All-Ion-Implantation Process
采用全离子注入工艺的小面积肖特基电极金刚石肖特基势垒二极管的制造和电性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Shigematsu;Y. Seki;Y. Hoshino;J. Nakata;T. Oishi;and M. Kasu
  • 通讯作者:
    and M. Kasu
高感度エミッション顕微鏡による(001β型酸化ガリウムショットキーバリアダイオードの漏れ電流の観察
使用高灵敏度发射显微镜观察001β型氧化镓肖特基势垒二极管的漏电流
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    スダーン セイリープ;佐々木公平;倉又朗人;嘉数 誠
  • 通讯作者:
    嘉数 誠
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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Ag形ゼオライトのクラスター崩壊過程におけるXAFS及びPLの時間変化
Ag型沸石团簇塌陷过程中XAFS和PL的时间变化
  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Oshima Takayoshi;Hashiguchi Akihiro;Moribayashi Tomoya;Koshi Kimiyoshi;Sasaki Kohei;Kuramata Akito;Ueda Osamu;Oishi Toshiyuki;Kasu Makoto;米谷陸杜・山内一真・宮永崇史・鈴木裕史
  • 通讯作者:
    米谷陸杜・山内一真・宮永崇史・鈴木裕史
β-Ga2O3結晶中の欠陥のTEMによる評価
通过 TEM 评估 β-Ga2O3 晶体的缺陷
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Oshima Takayoshi;Hashiguchi Akihiro;Moribayashi Tomoya;Koshi Kimiyoshi;Sasaki Kohei;Kuramata Akito;Ueda Osamu;Oishi Toshiyuki;Kasu Makoto;米谷陸杜・山内一真・宮永崇史・鈴木裕史;上田修
  • 通讯作者:
    上田修

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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    $ 8.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

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    24K01365
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    2003
  • 资助金额:
    $ 8.15万
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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    08232223
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    1996
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    $ 8.15万
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  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 8.15万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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  • 批准号:
    04227217
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 8.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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  • 批准号:
    04750246
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 8.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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  • 批准号:
    04650016
  • 财政年份:
    1992
  • 资助金额:
    $ 8.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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  • 批准号:
    04205118
  • 财政年份:
    1990
  • 资助金额:
    $ 8.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
MBE法によるカルコパライト型IーIIIーVI_2族化合物のヘテロエピタキシャル成長
MBE法异质外延生长I-III-VI_2型黄铜矿化合物
  • 批准号:
    02205105
  • 财政年份:
    1990
  • 资助金额:
    $ 8.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
{{ showInfoDetail.title }}

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