Fundamental Study on Cubic Diamond Heteroepitaxial Growth on Trigonal Sapphire Substrate
Fundamental Study on Cubic Diamond Heteroepitaxial Growth on Trigonal Sapphire Substrate
三角蓝宝石基片上立方金刚石异质外延生长的基础研究
批准号：
19H02616
负责人：
Kasu Makoto
金额：
$8.15万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
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Polycrystalline defects; origin of leakage current; in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes identified via ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography
通过超高灵敏发射显微镜和同步加速器 X 射线形貌识别卤化物气相外延 (001) β-Ga2O3 肖特基势垒二极管中的多晶缺陷；
通过超高灵敏发射显微镜和同步加速器 X 射线形貌识别卤化物气相外延 (001) β-Ga2O3 肖特基势垒二极管中的多晶缺陷；
DOI：
10.35848/1882-0786/abde74
发表时间：
2021
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
[Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, Makoto Kasu]
通讯作者：
Makoto Kasu
ダイヤモンド半導体ウェハとデバイス技術の最近の進展
金刚石半导体晶片和器件技术的最新进展
金刚石半导体晶片和器件技术的最新进展
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[高橋秀実, 池山潤, 山地真由, 小林成貴, 丸山美帆子, 中嶋誠, 岡田修司, 吉村政志, 森勇介, 中林誠一郎, 吉川洋史, Kotaro Kajikawa, Yasushi Shinohara, 嘉数 誠]
通讯作者：
嘉数 誠
Observation of Reverse Leakage Current in (001) Halide Vapor Phase Epitaxial (HVPE)-grown b-Gallium Oxide Schottky Barrier Diodes by High Sensitive Emission Microscope
高灵敏发射显微镜观察 (001) 卤化物气相外延 (HVPE) 生长的 b 氧化镓肖特基势垒二极管的反向漏电流
高灵敏发射显微镜观察 (001) 卤化物气相外延 (HVPE) 生长的 b 氧化镓肖特基势垒二极管的反向漏电流
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Sayleap Sdoeung, Kohei Sasaki, Katsumi Kawasaki, Jun Hirabayashi, Akito Kuramata, and Makoto Kasu]
通讯作者：
and Makoto Kasu
Fabrication and Electrical properties for diamond Schottky Barrier Diodes with small area Schottky electrode using All-Ion-Implantation Process
采用全离子注入工艺的小面积肖特基电极金刚石肖特基势垒二极管的制造和电性能
采用全离子注入工艺的小面积肖特基电极金刚石肖特基势垒二极管的制造和电性能
DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
作者：
[S. Shigematsu, Y. Seki, Y. Hoshino, J. Nakata, T. Oishi, and M. Kasu]
通讯作者：
and M. Kasu
イオン注入法のみでドーピングし作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード
仅使用离子注入方法制造的金刚石肖特基势垒二极管
仅使用离子注入方法制造的金刚石肖特基势垒二极管
DOI：
--
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Kasu, N.C. Saha, S.-W. Kim, and T. Oishi, 重松 誠弥，関 裕平，星野 靖，中田 穣治，大石 敏之，嘉数 誠]
通讯作者：
重松 誠弥，関 裕平，星野 靖，中田 穣治，大石 敏之，嘉数 誠
共 83 条
Measurements and analysis of electronic properties and interface structure of diamond MOS structures with extremely high two-dimensional carrier concentration
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批准号：15H03977
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.07万
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财政年份：2015
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负责人：Kasu Makoto
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依托单位：
海外基金