Fundamental Study on Cubic Diamond Heteroepitaxial Growth on Trigonal Sapphire Substrate
三角蓝宝石基片上立方金刚石异质外延生长的基础研究
基本信息
- 批准号:19H02616
- 负责人:
- 金额:$ 8.15万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2019
- 资助国家:日本
- 起止时间:2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(94)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Polycrystalline defects; origin of leakage current; in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes identified via ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography
通过超高灵敏发射显微镜和同步加速器 X 射线形貌识别卤化物气相外延 (001) β-Ga2O3 肖特基势垒二极管中的多晶缺陷;
- DOI:10.35848/1882-0786/abde74
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:Sayleap Sdoeung;Kohei Sasaki;Katsumi Kawasaki;Jun Hirabayashi;Akito Kuramata;Makoto Kasu
- 通讯作者:Makoto Kasu
ダイヤモンド半導体ウェハとデバイス技術の最近の進展
金刚石半导体晶片和器件技术的最新进展
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:高橋秀実;池山潤;山地真由;小林成貴;丸山美帆子;中嶋誠;岡田修司;吉村政志;森勇介;中林誠一郎;吉川洋史;Kotaro Kajikawa;Yasushi Shinohara;嘉数 誠
- 通讯作者:嘉数 誠
Observation of Reverse Leakage Current in (001) Halide Vapor Phase Epitaxial (HVPE)-grown b-Gallium Oxide Schottky Barrier Diodes by High Sensitive Emission Microscope
高灵敏发射显微镜观察 (001) 卤化物气相外延 (HVPE) 生长的 b 氧化镓肖特基势垒二极管的反向漏电流
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Sayleap Sdoeung;Kohei Sasaki;Katsumi Kawasaki;Jun Hirabayashi;Akito Kuramata;and Makoto Kasu
- 通讯作者:and Makoto Kasu
Fabrication and Electrical properties for diamond Schottky Barrier Diodes with small area Schottky electrode using All-Ion-Implantation Process
采用全离子注入工艺的小面积肖特基电极金刚石肖特基势垒二极管的制造和电性能
- DOI:
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:S. Shigematsu;Y. Seki;Y. Hoshino;J. Nakata;T. Oishi;and M. Kasu
- 通讯作者:and M. Kasu
イオン注入法のみでドーピングし作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード
仅使用离子注入方法制造的金刚石肖特基势垒二极管
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Kasu;N.C. Saha;S.-W. Kim;and T. Oishi;重松 誠弥,関 裕平,星野 靖,中田 穣治,大石 敏之,嘉数 誠
- 通讯作者:重松 誠弥,関 裕平,星野 靖,中田 穣治,大石 敏之,嘉数 誠
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Kasu Makoto其他文献
Ag形ゼオライトのクラスター崩壊過程におけるXAFS及びPLの時間変化
Ag型沸石团簇塌陷过程中XAFS和PL的时间变化
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Oshima Takayoshi;Hashiguchi Akihiro;Moribayashi Tomoya;Koshi Kimiyoshi;Sasaki Kohei;Kuramata Akito;Ueda Osamu;Oishi Toshiyuki;Kasu Makoto;米谷陸杜・山内一真・宮永崇史・鈴木裕史 - 通讯作者:
米谷陸杜・山内一真・宮永崇史・鈴木裕史
β-Ga2O3結晶中の欠陥のTEMによる評価
通过 TEM 评估 β-Ga2O3 晶体的缺陷
- DOI:
- 发表时间:
2017 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Oshima Takayoshi;Hashiguchi Akihiro;Moribayashi Tomoya;Koshi Kimiyoshi;Sasaki Kohei;Kuramata Akito;Ueda Osamu;Oishi Toshiyuki;Kasu Makoto;米谷陸杜・山内一真・宮永崇史・鈴木裕史;上田修 - 通讯作者:
上田修
Kasu Makoto的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Kasu Makoto', 18)}}的其他基金
Measurements and analysis of electronic properties and interface structure of diamond MOS structures with extremely high two-dimensional carrier concentration
极高二维载流子浓度金刚石MOS结构的电子性能和界面结构测量与分析
- 批准号:
15H03977 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 8.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似海外基金
結晶格子の異なる基板上のインチ径ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長機構の学理
不同晶格基底上英寸直径金刚石异质外延生长机理理论
- 批准号:
23K23242 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 8.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
グラフェンを用いたヘテロエピタキシャル成長の改善
使用石墨烯改善异质外延生长
- 批准号:
24K01365 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 8.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
立方晶窒化ホウ素のヘテロエピタキシャル成長を目指した新規プラズマプロセシング開発
开发针对立方氮化硼异质外延生长的新型等离子体处理技术
- 批准号:
03F00055 - 财政年份:2003
- 资助金额:
$ 8.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
ゼオライト薄膜のヘテロエピタキシャル成長による特殊反応場の構築
沸石薄膜异质外延生长构建特殊反应场
- 批准号:
08232223 - 财政年份:1996
- 资助金额:
$ 8.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
ファンデアワールス相互作用によるヘテロエピタキシャル成長と界面構造の解明
阐明范德华相互作用引起的异质外延生长和界面结构
- 批准号:
05211206 - 财政年份:1993
- 资助金额:
$ 8.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
顕微ラマン分光によるヘテロエピタキシャル成長層の歪緩和の研究
使用显微拉曼光谱研究异质外延生长层的应变弛豫
- 批准号:
04227217 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 8.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
シリコン基板上への不整合界面を制御した誘電体のヘテロエピタキシャル成長
硅衬底上具有受控失配界面的电介质的异质外延生长
- 批准号:
04750246 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 8.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
ACプラズマアシストCVDによるβ-SiCのSiへのヘテロエピタキシャル成長
通过 AC 等离子体辅助 CVD 在 Si 上异质外延生长 β-SiC
- 批准号:
04650016 - 财政年份:1992
- 资助金额:
$ 8.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
MBE法によるカルコパイライト型I-III-VI_2族化合物のヘテロエピタキシャル成長
MBE法异质外延生长黄铜矿I-III-VI_2族化合物
- 批准号:
04205118 - 财政年份:1990
- 资助金额:
$ 8.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
MBE法によるカルコパイライト型IーIIIーVI_2族化合物のヘテロエピタキシャル成長
MBE法异质外延生长黄铜矿I-III-VI_2族化合物
- 批准号:
03205107 - 财政年份:1990
- 资助金额:
$ 8.15万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas