Fundamental Study on Cubic Diamond Heteroepitaxial Growth on Trigonal Sapphire Substrate

三角蓝宝石基片上立方金刚石异质外延生长的基础研究

• 批准号: 19H02616
• 负责人: Kasu Makoto
• 金额: $ 8.15万
• 依托单位: Saga University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-04-01 至 2022-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19H02616/
• 关键词: ダイヤモンド; ヘテロエピタキシャル成長; パワー半導体; パワー半導体デバイス; シンクロトロン光; 転位; ワイドギャップ半導体; 結晶成長機構; 成長機構

项目成果

Polycrystalline defects; origin of leakage current; in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes identified via ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography

通过超高灵敏发射显微镜和同步加速器 X 射线形貌识别卤化物气相外延 (001) β-Ga2O3 肖特基势垒二极管中的多晶缺陷；

• DOI: 10.35848/1882-0786/abde74
• 发表时间: 2021
• 期刊: Applied Physics Express
• 影响因子: 2.3
• 作者: Sayleap Sdoeung;Kohei Sasaki;Katsumi Kawasaki;Jun Hirabayashi;Akito Kuramata;Makoto Kasu
• 通讯作者: Makoto Kasu

ダイヤモンド半導体ウェハとデバイス技術の最近の進展

金刚石半导体晶片和器件技术的最新进展

• 发表时间: 2021
• 作者: 高橋秀実;池山潤;山地真由;小林成貴;丸山美帆子;中嶋誠;岡田修司;吉村政志;森勇介;中林誠一郎;吉川洋史;Kotaro Kajikawa;Yasushi Shinohara;嘉数 誠
• 通讯作者: 嘉数 誠

Observation of Reverse Leakage Current in (001) Halide Vapor Phase Epitaxial (HVPE)-grown b-Gallium Oxide Schottky Barrier Diodes by High Sensitive Emission Microscope

高灵敏发射显微镜观察 (001) 卤化物气相外延 (HVPE) 生长的 b 氧化镓肖特基势垒二极管的反向漏电流

• 发表时间: 2022
• 作者: Sayleap Sdoeung;Kohei Sasaki;Katsumi Kawasaki;Jun Hirabayashi;Akito Kuramata;and Makoto Kasu
• 通讯作者: and Makoto Kasu

Fabrication and Electrical properties for diamond Schottky Barrier Diodes with small area Schottky electrode using All-Ion-Implantation Process

采用全离子注入工艺的小面积肖特基电极金刚石肖特基势垒二极管的制造和电性能

• 发表时间: 2022
• 作者: S. Shigematsu;Y. Seki;Y. Hoshino;J. Nakata;T. Oishi;and M. Kasu
• 通讯作者: and M. Kasu

イオン注入法のみでドーピングし作製したダイヤモンドショットキーバリアダイオード

仅使用离子注入方法制造的金刚石肖特基势垒二极管

• 发表时间: 2021
• 作者: M. Kasu;N.C. Saha;S.-W. Kim;and T. Oishi;重松 誠弥，関 裕平，星野 靖，中田 穣治，大石 敏之，嘉数 誠
• 通讯作者: 重松 誠弥，関 裕平，星野 靖，中田 穣治，大石 敏之，嘉数 誠