Measurements and analysis of electronic properties and interface structure of diamond MOS structures with extremely high two-dimensional carrier concentration
Measurements and analysis of electronic properties and interface structure of diamond MOS structures with extremely high two-dimensional carrier concentration
极高二维载流子浓度金刚石MOS结构的电子性能和界面结构测量与分析
批准号：
15H03977
负责人：
Kasu Makoto
金额：
$11.07万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2016.11.094
发表时间：
2017-06
期刊：
Journal of Crystal Growth
影响因子：
1.8
作者：
[Satoshi Masuya;K. Hanada;Tomoya Moribayashi;H. Sumiya;M. Kasu]
通讯作者：
Satoshi Masuya;K. Hanada;Tomoya Moribayashi;H. Sumiya;M. Kasu
DOI：
10.7567/jjap.55.030303
发表时间：
2016-03-01
期刊：
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
影响因子：
1.5
作者：
[Hanada, Kenji, Moribayashi, Tomoya, Kasu, Makoto]
通讯作者：
Kasu, Makoto
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Shigeomi Hara, Makoto Kasu]
通讯作者：
Makoto Kasu
EFG成長したβ-Ga2O3結晶中の欠陥評価(2) - 板状のナノボイドおよび双晶
EFG 生长的 β-Ga2O3 晶体的缺陷评估 (2) - 板状纳米空隙和孪晶
EFG 生长的 β-Ga2O3 晶体的缺陷评估 (2) - 板状纳米空隙和孪晶
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[上田 修, 池永訓昭, 森林朋也, 輿 公祥, 飯塚和幸, 倉又朗人, 嘉数 誠]
通讯作者：
嘉数 誠
Fabrication of diamond field-effect transistors with double NO2 hole doping and low-temperature-deposited Al2O3 gate insulator layer
双NO2空穴掺杂低温沉积Al2O3栅绝缘层金刚石场效应晶体管的制备
双NO2空穴掺杂低温沉积Al2O3栅绝缘层金刚石场效应晶体管的制备
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Kasu, K. Hanada, K. Funaki, S. Masuya, T. Oshima, and T. Oishi]
通讯作者：
and T. Oishi
共 96 条
Fundamental Study on Cubic Diamond Heteroepitaxial Growth on Trigonal Sapphire Substrate
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批准号：19H02616
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$8.15万
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财政年份：2019
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负责人：Kasu Makoto
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依托单位：
海外基金