Is it possible to grow InGaN ternary alloy by HVPE?

是否可以通过HVPE生长InGaN三元合金？

• 批准号: 24656011
• 负责人: KOUKITU Akinori
• 金额: $ 2.58万
• 依托单位: Tokyo University of Agriculture and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2012
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2012 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-24656011/
• 关键词: 窒化物半導体; InGaN, HVPE成長,原料分子制御; 気相成長; エピタキシャル成長; InGaN; HVPE成長; 原料分子制御

On the study, InGaNof the key material for Energy-saving society could be grown using a new growth system, where high quality growth of InGaN and high growth rate were realized.The wavelength emitted from InGaN can be varied from 365nm to 1900nm by controlling the solid In composition in InGaN alloy. Therefore, InGaN has attracted attention as a high-efficiency LED, LD and solar cell. However, it is difficult to grow InGaN of In >20%. There is no example of successful high quality InGaN. It was found that InGaN ofIn > 20% could be grown by a new growth system.

在本研究中，采用一种新的生长体系对节能社会的关键材料InGaN进行生长，实现了InGaN的高质量生长和高增长率。通过控制InGaN合金中固体In的组成，InGaN发射的波长可以在365nm到1900nm之间变化。因此，InGaN作为一种高效LED、LD和太阳能电池而备受关注。然而，要想让InGaN增长20%是很困难的。没有成功的高质量InGaN的例子。结果表明，一种新的生长体系可以使InGaN的生长速率达到20%。

项目成果

HVPE growth of the group III nitrides for bulk growth -from thermodynamic analysis to crystalgrowth?

用于体生长的 III 族氮化物的 HVPE 生长 - 从热力学分析到晶体生长？

• 发表时间: 2013
• 作者: T. Hirasaki;H. Murakami;Y. Kumagai and A. Koukitu;Hisashi Murakami;A. Koukitu;A. Koukitu
• 通讯作者: A. Koukitu

Thermodynamic analysis of InGaN-HVPE growth using III-bromides and III-iodides

使用 III 族溴化物和 III 族碘化物生长 InGaN-HVPE 的热力学分析

• 发表时间: 2012
• 作者: T. Hirasaki;H. Murakami;Y. Kumagai and A. Koukitu
• 通讯作者: Y. Kumagai and A. Koukitu

様々なハロゲン化合物を用いたInGaN-HVPE成長の熱力学解析

使用各种卤素化合物生长 InGaN-HVPE 的热力学分析

• 发表时间: 2012
• 作者: 平崎貴英;花岡幸史;村上尚;熊谷義直;纐纈明伯
• 通讯作者: 纐纈明伯

Effects of substrate nitridation and buffer layer on the crystalline improvements of semi-polar InN(10- 13) crystal on GaAs(110) by MOVPE

衬底氮化和缓冲层对MOVPE半极性InN(10-13)晶体在GaAs(110)上结晶改善的影响

• DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.020
• 发表时间: 2013
• 期刊: Journal of Crystal Growth
• 影响因子: 1.8
• 作者: H.C. Cho;R. Togashi;H. Murakami;Y. Kumagai;A. Koukitu
• 通讯作者: A. Koukitu

Suppression of twin formation for the growth of InN(10-1-3) on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy

金属有机气相外延在GaAs(110)上生长InN(10-1-3)孪晶的抑制

• DOI: 10.1002/pssc.201200685
• 发表时间: 2012
• 期刊: Physica Status Solide C
• 作者: T. Hirasaki;H. Murakami;Y. Kumagai and A. Koukitu;Hisashi Murakami
• 通讯作者: Hisashi Murakami