In situ gravimetric monitoring of atomic layr epitaxy using

原子层外延的原位重力监测

• 批准号: 06452108
• 负责人: KOUKITU Akinori
• 金额: $ 4.48万
• 依托单位: Tokyo University of Agriculture and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 1995
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-06452108/
• 关键词: In situ monitoring; In situ gravimetric monitoring; In situ optical monitoring; Atomic layr epitaxy (ALE); reconstruction; GaAs; In situ gravimetric Monitoring; reconstruction; その場測定; グラヴィメトリック法; 原子層エピタキシ-; III-V族半導体; 化合物半導体; 気相成長; 有機金属; 結晶

In situ monitoring techniques play an important role in the investigation on the atomic layr epitaxy (ALE) growth mechanism. In this research, we have investigated in situ gravimetric monitoring of ALE using metalorganic sources. The main results obtained are summarized as follows :(1) The resistance furnace is suitable heating system for the substrate.(2) In the short purge time, which is used for the common ALE growth, the gtowth rate is unity in each ALE cycle. However, the growth rate decreases to the constant value, 0.75, for the long purge time, which corresponds to the As coverage on a (2x4) reconstructed surface.The gravimetric and optical in situ methods were employed in this study. These methods provides real-time information under an atmospheric pressure. In particular, the gravimetric method is a powerful tool for the investigation of the ALE mechanism.

原位监测技术在研究原子层外延（ALE）生长机理中起着重要的作用。在本研究中，我们研究了利用金属有机源对ALE进行原位重力监测。主要研究结果总结如下：(1)电阻炉是一种适用于基体的加热系统。(2)在普通ALE生长所用的短吹扫时间内，每个ALE周期的生长速率是统一的。然而，随着吹扫时间的延长，生长速率降至恒定值0.75，这相当于（2x4）重构表面上的As覆盖率。本研究采用了重量法和光学原位法。这些方法提供大气压力下的实时信息。特别是，重力法是研究ALE机制的有力工具。

项目成果

纐纈明伯: "GaAs原子層エピタキシ-のその場観察-グラヴィメトリック法および表面光吸収法-" 日本結晶成長学会誌. 21. 32-37 (1994)

Akihaku Kokei：“GaAs原子层外延的原位观察-重量法和表面光吸收法”日本晶体生长学会杂志21. 32-37 (1994)。

A.KOUKITU: "In situ gravimetric monitoring of arsenic desorption in GaAs atomic layer expitaxy" Journal of Crystal Growth. 146. 239-245 (1995)

A.KOUKITU：“GaAs 原子层外延中砷解吸的原位重力监测”《晶体生长杂志》。

A.Koukitu: "In Situ Gravimetric Monitoring of Arsenic Descrption in GaAs Atomic Layer Epitaxy" J.Crystal Growth. 146. 239-245 (1995)

A.Koukitu：“GaAs 原子层外延中砷描述的原位重力监测”J.Crystal Growth。

第9回「大学と科学」公開シンポジウム組織委員会編: "結晶成長のしくみを探る原子レベルでの成長メカニズム" (株)クバプロ, 189 (1995)

第九届‘大学与科学’公共研讨会组委会编：《探索原子水平上晶体生长的机制》Kubapro Co., Ltd.，189（1995）

第9回「大学と科学」公開シンポジウム組織委員会編: "結晶成長のしくみを探る 原子レベルでの成長メカニズム" (株)クバプロ, 189 (1995)

第九届“大学与科学”公共研讨会组委会编：《探索晶体生长的机制：原子水平的生长机制》Kubapro Co., Ltd.，189（1995）