In situ gravimetric monitoring of atomic layr epitaxy using

原子层外延的原位重力监测

• 批准号: 06452108
• 负责人: KOUKITU Akinori
• 金额: $ 4.48万
• 依托单位: Tokyo University of Agriculture and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
• 财政年份: 1994
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1994 至 1995
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-06452108/
• 关键词: In situ monitoring; In situ gravimetric monitoring; In situ optical monitoring; Atomic layr epitaxy (ALE); reconstruction; GaAs; In situ gravimetric Monitoring; reconstruction; その場測定; グラヴィメトリック法; 原子層エピタキシ-; III-V族半導体; 化合物半導体; 気相成長; 有機金属; 結晶

In situ monitoring techniques play an important role in the investigation on the atomic layr epitaxy (ALE) growth mechanism. In this research, we have investigated in situ gravimetric monitoring of ALE using metalorganic sources. The main results obtained are summarized as follows :(1) The resistance furnace is suitable heating system for the substrate.(2) In the short purge time, which is used for the common ALE growth, the gtowth rate is unity in each ALE cycle. However, the growth rate decreases to the constant value, 0.75, for the long purge time, which corresponds to the As coverage on a (2x4) reconstructed surface.The gravimetric and optical in situ methods were employed in this study. These methods provides real-time information under an atmospheric pressure. In particular, the gravimetric method is a powerful tool for the investigation of the ALE mechanism.

原位监测技术在对原子外恋（ALE）生长机制的研究中起重要作用。在这项研究中，我们使用金属有机源研究了对啤酒的原位重量监测。所获得的主要结果总结如下：（1）电阻炉是针对基材的合适的加热系统。（2）在短吹扫时间中，用于公共啤酒的生长，gtowth速率在每个啤酒循环中是统一性。但是，在长期清除时间内，生长速率降低到恒定值0.75，这对应于（2x4）重建的表面上的AS覆盖率。在这项研究中采用了重量​​和光学原位方法。这些方法在大气压力下提供了实时信息。特别是，重量法是研究啤酒机制的强大工具。

项目成果

纐纈明伯: "GaAs原子層エピタキシ-のその場観察-グラヴィメトリック法および表面光吸収法-" 日本結晶成長学会誌. 21. 32-37 (1994)

Akihaku Kokei：“GaAs原子层外延的原位观察-重量法和表面光吸收法”日本晶体生长学会杂志21. 32-37 (1994)。

A.KOUKITU: "In situ gravimetric monitoring of arsenic desorption in GaAs atomic layer expitaxy" Journal of Crystal Growth. 146. 239-245 (1995)

A.KOUKITU：“GaAs 原子层外延中砷解吸的原位重力监测”《晶体生长杂志》。

第9回「大学と科学」公開シンポジウム組織委員会編: "結晶成長のしくみを探る原子レベルでの成長メカニズム" (株)クバプロ, 189 (1995)

第九届‘大学与科学’公共研讨会组委会编：《探索原子水平上晶体生长的机制》Kubapro Co., Ltd.，189（1995）

A.Koukitu: "In Situ Gravimetric Monitoring of Arsenic Descrption in GaAs Atomic Layer Epitaxy" J.Crystal Growth. 146. 239-245 (1995)

A.Koukitu：“GaAs 原子层外延中砷描述的原位重力监测”J.Crystal Growth。

第9回「大学と科学」公開シンポジウム組織委員会編: "結晶成長のしくみを探る 原子レベルでの成長メカニズム" (株)クバプロ, 189 (1995)

第九届“大学与科学”公共研讨会组委会编：《探索晶体生长的机制：原子水平的生长机制》Kubapro Co., Ltd.，189（1995）