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Thick and high quarity InGaN growth by THVPE
通过 THVPE 生长厚且高质量的 InGaN
基本信息
- 批准号：26246018
- 负责人：
- 金额：$ 27.04万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（27）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN and InGaN Layers
厚 GaN 和 InGaN 层的三卤化物气相外延
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Murakami;T. Hirasaki;Q. T. Thieu;R. Togashi;Y. Kumagai; K. Matsumoto;A. Koukitu
- 通讯作者：A. Koukitu
High-Speed Growth of Thick InGaN Ternary Alloy by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy
三卤化物气相外延法高速生长厚InGaN三元合金
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Murakami;T. Hirasaki;M. Meguro;Q.-T. Thieu;R. Togashi;Y. Kumagai;B. Monemar;A. Koukitu
- 通讯作者：A. Koukitu
Temperature Dependence of InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase epitaxy
三卤化物气相外延生长 InGaN 的温度依赖性
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Hirasaki;Y. Watanabe;T. Hasegawa;H. Murakami;Y. Kumagai;A. Koukitu
- 通讯作者：A. Koukitu
Recent Progress in Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN and InGaN
厚GaN和InGaN三卤化物气相外延最新进展
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Hisashi Murakami;Nao Takekawa;Takahide Hirasaki;Yoshinao Kumagai;Kou Matsumoto;Akinori Koukitu
- 通讯作者：Akinori Koukitu
Growth of thick InGaN layers by tri-halide vapor phase epitaxy
- DOI：10.7567/jjap.53.05fl02
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Takahide Hirasaki;Kazuma Asano;Mizuki Banno;M. Ishikawa;F. Sakuma;H. Murakami;Y. Kumagai;A. Koukitu
- 通讯作者：Takahide Hirasaki;Kazuma Asano;Mizuki Banno;M. Ishikawa;F. Sakuma;H. Murakami;Y. Kumagai;A. Koukitu
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KOUKITU Akinori其他文献
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Is it possible to grow InGaN ternary alloy by HVPE?
是否可以通过HVPE生长InGaN三元合金？
- 批准号：
24656011 - 财政年份：2012
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$ 27.04万 - 项目类别：
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10555003 - 财政年份：1998
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$ 27.04万 - 项目类别：
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14J05164 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 27.04万 - 项目类别：
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New Growth Method for Bulk GaN using molecule-controlling method
使用分子控制方法的块状 GaN 的新生长方法
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23360008 - 财政年份：2011
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$ 27.04万 - 项目类别：
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