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Thick and high quarity InGaN growth by THVPE

Thick and high quarity InGaN growth by THVPE
通过 THVPE 生长厚且高质量的 InGaN
批准号：
26246018
负责人：
KOUKITU Akinori
金额：
$27.04万
依托单位：
Tokyo University of Agriculture and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2014
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2014-04-01 至 2017-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-26246018/
关键词：
窒化物結晶THVPEエピタキシャル成長気相成長三元混晶発光材料受光材料HVPEInGaN三元混晶窒化物半導体発光素子太陽電池InGaN発光素子材料大陽電池材料

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Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN and InGaN Layers
厚 GaN 和 InGaN 层的三卤化物气相外延
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [H. Murakami, T. Hirasaki, Q. T. Thieu, R. Togashi, Y. Kumagai, K. Matsumoto, A. Koukitu]
通讯作者： A. Koukitu
Recent Progress in Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN and InGaN
厚GaN和InGaN三卤化物气相外延最新进展
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [Hisashi Murakami, Nao Takekawa, Takahide Hirasaki, Yoshinao Kumagai, Kou Matsumoto, Akinori Koukitu]
通讯作者： Akinori Koukitu
High-Speed Growth of Thick InGaN Ternary Alloy by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy
三卤化物气相外延法高速生长厚InGaN三元合金
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： [H. Murakami, T. Hirasaki, M. Meguro, Q.-T. Thieu, R. Togashi, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu]
通讯作者： A. Koukitu
Temperature Dependence of InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase epitaxy
三卤化物气相外延生长 InGaN 的温度依赖性
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [T. Hirasaki, Y. Watanabe, T. Hasegawa, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu]
通讯作者： A. Koukitu
共 23 条
    Is it possible to grow InGaN ternary alloy by HVPE?
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