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Thermodynamic analysis system for vapor phase epitaxy by using internet

Thermodynamic analysis system for vapor phase epitaxy by using internet
基于互联网的气相外延热力学分析系统
批准号：
10555003
负责人：
KOUKITU Akinori
金额：
$9.73万
依托单位：
Tokyo University of Agriculture & Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B).
财政年份：
1998
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1998 至 2000
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-10555003/
关键词：
NitridesThermodynamic analysisVapor-solid relationInternetWebVapor phase epitaxyMOVPEHVPE化合物半導体固相組成ネットワークIII族窒化物計算機能を有するデータベースMBEVPE

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项目成果

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Group III nitrides and their alloys are promising materials for applications to short-wavelength light emitting devices. In particular, fabrication of InGaN-based heterostructures has been extensively studied for violet/blue laser diodes (LDs) by a large number of researchers. Matalorganic vapor-phase epitax (MOVPE) is used generally for the epitaxial growth of these structures.In this project, we have investigated thermodynamic analysis system for vapor phase epitaxy of the group III nitrides, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN and AlInN, because the thermodynamic analysis of epitaxial growth system provides usefull information on the growth conditions. The new thermodynamic analysis system which we set up informs favorable conditions for the growth through the internet web to any researchers who want to find out the best conditions.The web site is http : //epi.chem..tuat.ac.jp/
期刊论文(50)
专著(0)
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会议论文
A.Koukitu: "Thermodynamic Study of Hydride VPE of GaN" Extend Abstructs of the 17th Electronic Materials Symposium. 65-68 (1998)
A.Koukitu：“GaN 的氢化物 VPE 的热力学研究”扩展第 17 届电子材料研讨会摘要。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Y.KUMAGAI: "Influence of Growth Temperature on the Crystalline Quality of Hexagonal GaN Layer on GaAs (111) A by Metalorganic Hydrogen Chloride Vapor Phase Epitaxy"Int. Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conf. Series. 1. 42-45 (2000)
Y.KUMAGAI：“通过金属有机氯化氢气相外延生长温度对 GaAs(111)A 上六方 GaN 层晶体质量的影响”Int。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
M.MAYUMI: "Thermodynamic Analysis and In Situ Gravimetric Monitoring of GaN Decomposition"Int.Workshop on Nitride Semiconductors, IPAP Conf.Series. 1. 38-41 (2001)
M.MAYUMI：“GaN 分解的热力学分析和原位重量监测”氮化物半导体国际研讨会，IPAP 会议系列。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
A Koukitu: "Thermodynamic study of the role of hydrogen during the MOVPE growth of group III nitridos" J.Crystal Growth. 197. 99-105 (1999)
A Koukitu：“III 族氮化物 MOVPE 生长过程中氢作用的热力学研究”J.Crystal Growth。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 15 条
    Thick and high quarity InGaN growth by THVPE
    Is it possible to grow InGaN ternary alloy by HVPE?
    New Growth Method for Bulk GaN using molecule-controlling method
    Thick Epitaxy of AlN and AlGaN with controlling source molecules and nano-crystal field.
    海外基金