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Development of Hetero-Materials Integration Technology for Multi-Functional Hybrid Large-Scale Integrated Circuits
多功能混合大规模集成电路异质材料集成技术发展
基本信息
- 批准号：24656209
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2014-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
To achieve hybrid-integration of multi-functional devices on Si platform, formation techniques of Si1-XGeX(X:0-1) on insulator have been investigated. First, the successive rapid-melting-growth technique has been developed, by utilizing the Ge fraction-dependent melting point of SiGe. This enables formation of multi-layered SiGe templates with different Ge fractions. Second, SiGe template with laterally-graded Ge fraction is achieved by controlling Si segregation during rapid-melting growth. These techniques facilitate heterogeneous integration of new functional devices on Si platform.
为了在硅平台上实现多功能器件的混合集成，研究了在绝缘体上形成Si1-XGeX(X：0-1)的工艺。首先，利用Ge组分依赖于SiGe的熔点，发展了连续快速熔化生长技术。这使得能够形成具有不同Ge分数的多层SiGe模板。其次，通过控制快速熔化生长过程中硅的偏析，获得了具有横向梯度Ge组分的SiGe模板。这些技术有助于在硅平台上实现新功能器件的异质集成。
项目成果
期刊论文数量（22）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Dynamic control of lateral crystallization for Group IV mixed-crystal semiconductor on insulating substrate
绝缘衬底上IV族混晶半导体横向晶化的动态控制
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：R. Matsumura;H. Chikita;T. Sadoh;and M. Miyao
- 通讯作者：and M. Miyao
Melting-Induced-Mixing in a-Ge/Sn/c-Ge Structures for Sn-Doped Ge Films
Sn 掺杂 Ge 薄膜的 a-Ge/Sn/c-Ge 结构中的熔融诱导混合
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Kinoshita;Y. Tojo;R. Matsumura;T. Sadoh;T. Nishimura;and M. Miyao
- 通讯作者：and M. Miyao
Hybrid-Formation of Single-Crystalline Ge(Si,Sn)-on-Insulator Structures by Self-Organized Melting-Growth
自组织熔融生长杂化形成绝缘体上单晶Ge(Si,Sn)结构
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Miyao;R. Matsumura;M. Kurosawa;K. Toko;and T. Sadoh
- 通讯作者：and T. Sadoh
Cooling-Rate-Controlled Rapid-Melting-Growth for Giant-Single-Crystal SiGe on Insulator
绝缘体上巨型单晶 SiGe 的冷却速率控制快速熔化生长
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：R. Matsumura;R. Kato;Y. Tojo;T. Sadoh;and M. Miyao
- 通讯作者：and M. Miyao
Giant-Lateral-Growth of SiGe Stripes on Insulating-Substrate by Self-Organized-Seeding and Rapid-Melting-Growth in Solid-Liquid Coexisting Region
- DOI：10.1149/2.003405ssl
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：R. Matsumura;Ryusuke Kato;Y. Tojo;M. Kurosawa;T. Sadoh;M. Miyao
- 通讯作者：R. Matsumura;Ryusuke Kato;Y. Tojo;M. Kurosawa;T. Sadoh;M. Miyao
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
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