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High-Quality Formation of SiGe on Flexible Substrates for Transistor Application
在晶体管应用的柔性衬底上高质量形成 SiGe
基本信息
- 批准号：19360011
- 负责人：
- 金额：$ 11.81万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2007
- 资助国家：日本
- 起止时间：2007 至 2009
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Low-temperature growth of SiGe has been investigated to realize the flexible system-in-displays. We have developed a new solid-phase crystallization technique, which uses catalytic effects of some metals and electric-fields. Consequently, the low-temperature crystallization (<250℃) becomes possible. Moreover, new type of transistors having source and drain electrodes with Schottky barrier contacts have been fabricated. Very high carrier mobility compared to poly-Si has been demonstrated.
研究了SiGe的低温生长以实现柔性显示系统。我们开发了一种新的固相结晶技术，该技术利用某些金属和电场的催化作用。因此，低温结晶（<250℃）成为可能。此外，已经制造了具有带肖特基势垒接触的源电极和漏电极的新型晶体管。与多晶硅相比，已经证明了非常高的载流子迁移率。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Liquid-Phase Epitaxial Growth of Ge Island on Insulator Using Ni-Imprint-Induced Si Crystal as Seed
以镍压印诱导硅晶体为籽晶在绝缘体上液相外延生长Ge岛
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K.Toko;et al.
- 通讯作者：et al.
Enhancement of Local Strain in Si Microstructure by Oxidation Induced Ge Condensation
氧化诱导Ge凝结增强硅微观结构的局部应变
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Tanaka;et al.
- 通讯作者：et al.
Abnormal oxidation characteristics of SiGe/SOI structures depending on piled-up Ge fraction at SiO2/SiGe interface
SiGe/SOI 结构的异常氧化特性取决于 SiO2/SiGe 界面上堆积的 Ge 分数
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Tanaka;T. Ohka;T. Sadoh;M. Miyao
- 通讯作者：M. Miyao
Defect-free single-crystal Ge island arrays on insulator by rapid-melting-growth combined with seed-positioning technique
- DOI：10.1063/1.3231925
- 发表时间：2009-09
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：K. Toko;Takashi Sakane;Takanori Tanaka;T. Sadoh;M. Miyao
- 通讯作者：K. Toko;Takashi Sakane;Takanori Tanaka;T. Sadoh;M. Miyao
シリコン系ヘテロ超構造技術の創出と未来型デバイスの夢-半導体ナノテクノロジーリサーチコアの活動を中心として-
硅基异质结构技术的创造和未来器件的梦想 - 关注半导体纳米技术研究核心的活动 -
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Hashimoto;O. Karthaus;宮尾正信
- 通讯作者：宮尾正信
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
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$ 11.81万 - 项目类别：
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