Formation of Si Quasi-Single Crystal by Controlled Excess Vacancy

控制过量空位形成Si准单晶

基本信息

  • 批准号:
    12450015
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 9.47万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2000
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2000 至 2002
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Low temperature solid-phase crystallization (SPC) of a-SiGe on SiO2 has been investigated. The crystal nucleation of a-Si occurred at temperatures above 700℃, while the nucleation temperature was significantly decreased to 500℃ by using a-SiGe and ion irradiation during SPC. It was also shown that local doping of Ge at the a-Si/Si02 interface could control crystal orientation during SPC. These new polycrystal line SiGe films on Si02 can be used for the system-in-display and three-dimensional ULSI.
本文研究了a-SiGe在SiO_2衬底上的低温固相晶化。a-Si的成核温度高于700℃,而采用a-SiGe和离子辐照可将SPC过程中的成核温度显著降低到500℃。还表明,在a-Si/Si 〇 2界面处的Ge的局部掺杂可以在SPC期间控制晶体取向。这些在SiO2上的新的多晶线SiGe膜可用于显示器中的系统和三维ULSI。

项目成果

期刊论文数量(56)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
I. Tsunoda et al.: "Low-temperature solid-phase crystallization of a-Sil-XGeX ON SiO2 by ion-beam stimulation"Materials Science and Engineering B. Vol. 89. 336-340 (2002)
I. Tsunoda 等:“通过离子束刺激实现 a-Sil-XGeX ON SiO2 的低温固相结晶”材料科学与工程 B.卷。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M.Miyao et al.: "Ion-beam Stimulated Solid-phase Crystallization of Amorphous Si on SiO_2"Book of Abst.of European Materials Conference (E-MRS). O-8-O-8 (2000)
M.Miyao等人:“SiO_2上非晶硅的离子束刺激固相结晶”欧洲材料会议(E-MRS)摘要书。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
M.Miyao et al.: "Ion-beam Stimulated Solid-phase Crystallization of Amorphous Si on SiO_2"Thin Solid Films. Vol.383. 104-106 (2001)
M.Miyao等人:“SiO_2上非晶硅的离子束刺激固相结晶”固体薄膜。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Y.Murakami et al.: "Dose Rate Dependence of Ion-Induced-Damage in Si Evaluated by Spectroscovic Ellipsometry"Solid State Phenomena. Vol.78-79. 341-344 (2001)
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  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
I.Tsunoda et al.: "Low-temperature solid-phase crystallization of a-Si_<1-x>Gex ON SiO_2 by ion-beam stimulation"Materials Science and Engineering B. Vol.89. 336-340 (2002)
I.Tsunoda等:“通过离子束刺激实现a-Si_1-xGex ON SiO_2的低温固相结晶”材料科学与工程B.Vol.89。
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