控制过量空位形成Si准单晶-猫眼课题宝

控制过量空位形成Si准单晶

批准号：

12450015

负责人：

MIYAO Masanobu

金额：

$9.47万

依托单位：

Kyushu University

依托单位国家：

日本

项目类别：

Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

财政年份：

2000

资助国家：

日本

项目状态：

已结题

起止时间：

2000 至 2002

来源：

https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-12450015/

关键词：

silicon ion beam solid-phase crystallization

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项目成果

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Low temperature solid-phase crystallization (SPC) of a-SiGe on SiO2 has been investigated. The crystal nucleation of a-Si occurred at temperatures above 700℃, while the nucleation temperature was significantly decreased to 500℃ by using a-SiGe and ion irradiation during SPC. It was also shown that local doping of Ge at the a-Si/Si02 interface could control crystal orientation during SPC. These new polycrystal line SiGe films on Si02 can be used for the system-in-display and three-dimensional ULSI.

期刊论文(56)

专著(0)

科研奖励(0)

会议论文

I. Tsunoda et al.: "Low-temperature solid-phase crystallization of a-Sil-XGeX ON SiO2 by ion-beam stimulation"Materials Science and Engineering B. Vol. 89. 336-340 (2002)

I. Tsunoda 等：“通过离子束刺激实现 a-Sil-XGeX ON SiO2 的低温固相结晶”材料科学与工程 B.卷。

DOI： --

发表时间：

期刊：

影响因子： --

作者：

[]

通讯作者：

M.Miyao et al.: "Ion-beam Stimulated Solid-phase Crystallization of Amorphous Si on SiO_2"Book of Abst.of European Materials Conference (E-MRS). O-8-O-8 (2000)

M.Miyao等人：“SiO_2上非晶硅的离子束刺激固相结晶”欧洲材料会议(E-MRS)摘要书。

DOI： --

发表时间：

期刊：

影响因子： --

作者：

[]

通讯作者：

M.Miyao et al.: "Ion-beam Stimulated Solid-phase Crystallization of Amorphous Si on SiO_2"Thin Solid Films. Vol.383. 104-106 (2001)

M.Miyao等人：“SiO_2上非晶硅的离子束刺激固相结晶”固体薄膜。

DOI： --

发表时间：

期刊：

影响因子： --

作者：

[]

通讯作者：

Y.Murakami et al.: "Dose Rate Dependence of Ion-Induced-Damage in Si Evaluated by Spectroscovic Ellipsometry"Solid State Phenomena. Vol.78-79. 341-344 (2001)

Y.Murakami 等人：“通过光谱椭圆偏振法评估硅中离子诱导损伤的剂量率依赖性”固态现象。

DOI： --

发表时间：

期刊：

影响因子： --

作者：

[]

通讯作者：

I.Tsunoda et al.: "Low-temperature solid-phase crystallization of a-Si_<1-x>Gex ON SiO_2 by ion-beam stimulation"Materials Science and Engineering B. Vol.89. 336-340 (2002)

I.Tsunoda等：“通过离子束刺激实现a-Si_1-xGex ON SiO_2的低温固相结晶”材料科学与工程B.Vol.89。

DOI： --

发表时间：

期刊：

影响因子： --

作者：

[]

通讯作者：

共 27 条

Non-Thermal-Equilibrium Solid-Phase Crystallization of GeSn-on-Insulator on Si Platform

批准号：

25289089
项目类别：

Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
资助金额：

$11.07万
财政年份：

2013
负责人：

MIYAO Masanobu
依托单位：

Kyushu University

Development of Hetero-Materials Integration Technology for Multi-Functional Hybrid Large-Scale Integrated Circuits

批准号：

24656209
项目类别：

Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
资助金额：

$2.58万
财政年份：

2012
负责人：

MIYAO Masanobu
依托单位：

Kyushu University

Atomically-control of halfmetal/Si interface for spin-transistors

批准号：

22360127
项目类别：

Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
资助金额：

$11.9万
财政年份：

2010
负责人：

MIYAO Masanobu
依托单位：

Kyushu University

Development of spin-function on flexible semiconductors

批准号：

21656005
项目类别：

Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
资助金额：

$2.18万
财政年份：

2009
负责人：

MIYAO Masanobu
依托单位：

Kyushu University

High-Quality Formation of SiGe on Flexible Substrates for Transistor Application

批准号：

19360011
项目类别：

Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
资助金额：

$11.81万
财政年份：

2007
负责人：

MIYAO Masanobu
依托单位：

Kyushu University

Growth of Ferromagnetic Silicide for Source/Drain Engineering

批准号：

18063018
项目类别：

Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
资助金额：

$34.3万
财政年份：

2006
负责人：

MIYAO Masanobu
依托单位：

Kyushu University

Low-temperature orientation-control of SiGe quasi-single crystal on glass and its device application

批准号：

15360169
项目类别：

Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
资助金额：

$8.19万
财政年份：

2003
负责人：

MIYAO Masanobu
依托单位：

Kyushu University

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