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Non-Thermal-Equilibrium Solid-Phase Crystallization of GeSn-on-Insulator on Si Platform
Si 平台上绝缘体上 GeSn 的非热平衡固相结晶
基本信息
- 批准号：25289089
- 负责人：
- 金额：$ 11.07万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Laser-Anneal Seeded Solid-Phase Crystallization for Ultra-Low Temperature Growth of Germanium-Tin
用于超低温生长锗锡的激光退火籽晶固相结晶
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：R. Matsumura;K. Moto;H. Chikita;T. Sadoh;H. Ikenoue;and M. Miyao
- 通讯作者：and M. Miyao
High Sn-concentration (~ 8%) GeSn by low-temperature (~ 150 °C) solid-phase epitaxy of a-GeSn/c-Ge
- DOI：10.1016/j.tsf.2015.09.069
- 发表时间：2016-03
- 期刊：
- 影响因子：2.1
- 作者：T. Sadoh;A. Ooato;J. Park;M. Miyao
- 通讯作者：T. Sadoh;A. Ooato;J. Park;M. Miyao
High-Quality Hybrid-GeSn/Ge Stacked-Structures by Low-Temperature -Induced-Melting Growth
低温诱导熔融生长高质量混合 GeSn/Ge 堆叠结构
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Kinoshita;R. Matsumura;T. Sadoh;T. Nishimura and M. Miyao
- 通讯作者：T. Nishimura and M. Miyao
Laser-Annealing-Induced Crystallization of Ge1-xSnx (0≦x≦0.2) on Insulating Substrate
绝缘基板上Ge1-xSnx (0≤x≤0.2)的激光退火诱导结晶
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Moto;R. Matsumura;T. Sadoh;H. Ikenoue;and M.u Miyao
- 通讯作者：and M.u Miyao
Melting Sn Induced Low-Temperature Seeding for Position Controlled Giant GeSn Crystal Arrays
用于位置控制巨型 GeSn 晶体阵列的熔化锡诱导低温晶种
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Kai;H. Chikita;R. Matsumura;T. Sadoh;and M. Miyao
- 通讯作者：and M. Miyao
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