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Development of spin-function on flexible semiconductors

Development of spin-function on flexible semiconductors
柔性半导体自旋函数的发展
批准号：
21656005
负责人：
MIYAO Masanobu
金额：
$2.18万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2009
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2009 至 2011
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-21656005/
关键词：
フレキシブルスピントランジスタ電子デバイス・機器集積回路ディスプレイ強磁性体

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英文摘要
To achieve spin-function on flexible semiconductors, a new low-temperature(. 350oC) crystallization technique of SiGe has been developed. Moreover, magnetic and electronic properties of ferromagnetic Heusler alloy/SiGe stacked structures have been clarified.
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会议论文
Au誘起層交換成長法による多結晶Si/絶縁膜の極低温形成(~ 250oC)
通过金诱导层交换生长法低温形成多晶硅/绝缘膜（~ 250oC）
DOI： --
发表时间： 2010
期刊：
影响因子： --
作者： [J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh, 川畑直之,黒澤昌志,朴鍾.,佐道泰造,宮尾正信, 朴鍾.,黒澤昌志,川畑直之,宮尾正信,佐道泰造]
通讯作者： 朴鍾.,黒澤昌志,川畑直之,宮尾正信,佐道泰造
Comparison of nonlocal and local magnetoresistance signals in laterally fabricated Fe3Si/Si spin-valve devices
横向制造的 Fe3Si/Si 自旋阀器件中非局部和局部磁阻信号的比较
DOI： --
发表时间： 2010
期刊： APPLIED PHYSICS EXPRESS
影响因子： 2.3
作者： [Y.Ando, et al.]
通讯作者： et al.
Au-Catalyst Induced Low Temperature(~ 250oC) Layer Exchange Crystallization for SiGe On Insulator
Au 催化剂诱导绝缘体上 SiGe 的低温（~ 250oC）层交换结晶
DOI： --
发表时间： 2011
期刊： ECS Transactions
影响因子： --
作者： [J.-H. Park, M. Kurosawa, N. Kawabata, M. Miyao, and T. Sadoh]
通讯作者： and T. Sadoh
A u誘起層交換成長法による大粒径G e(1 1 1)結晶/絶縁膜の形成:界面酸化膜挿入効果
通过Au诱导层交换生长法形成大晶粒尺寸G e(1 1 1)晶体/绝缘膜：界面氧化膜插入效应
DOI： --
发表时间： 2012
期刊：
影响因子： --
作者： [Y.Ando, et al., 朴鍾.,鈴木恒晴,黒澤昌志,宮尾正信,佐道泰造]
通讯作者： 朴鍾.,鈴木恒晴,黒澤昌志,宮尾正信,佐道泰造
共 27 条
    Non-Thermal-Equilibrium Solid-Phase Crystallization of GeSn-on-Insulator on Si Platform
    • 批准号：
      25289089
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.07万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      MIYAO Masanobu
    • 依托单位：
      Kyushu University
    Development of Hetero-Materials Integration Technology for Multi-Functional Hybrid Large-Scale Integrated Circuits
    • 批准号：
      24656209
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.58万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      MIYAO Masanobu
    • 依托单位：
      Kyushu University
    Atomically-control of halfmetal/Si interface for spin-transistors
    • 批准号：
      22360127
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.9万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      MIYAO Masanobu
    • 依托单位：
      Kyushu University
    High-Quality Formation of SiGe on Flexible Substrates for Transistor Application
    • 批准号：
      19360011
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $11.81万
    • 财政年份：
      2007
    • 负责人：
      MIYAO Masanobu
    • 依托单位：
      Kyushu University
    海外基金