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Development of spin-function on flexible semiconductors
柔性半导体自旋函数的发展
基本信息
- 批准号：21656005
- 负责人：
- 金额：$ 2.18万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2009
- 资助国家：日本
- 起止时间：2009 至 2011
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
To achieve spin-function on flexible semiconductors, a new low-temperature(. 350oC) crystallization technique of SiGe has been developed. Moreover, magnetic and electronic properties of ferromagnetic Heusler alloy/SiGe stacked structures have been clarified.
为了在柔性半导体上实现自旋功能，一种新的低温（。350 ℃）晶化技术。此外，铁磁Heusler合金/SiGe堆叠结构的磁性和电子特性已得到澄清。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Au誘起層交換成長法による多結晶Si/絶縁膜の極低温形成(~ 250oC)
通过金诱导层交换生长法低温形成多晶硅/绝缘膜（~ 250oC）
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：J.-H. Park;M. Kurosawa;N. Kawabata;M. Miyao;and T. Sadoh;川畑直之,黒澤昌志,朴鍾.,佐道泰造,宮尾正信;朴鍾.,黒澤昌志,川畑直之,宮尾正信,佐道泰造
- 通讯作者：朴鍾.,黒澤昌志,川畑直之,宮尾正信,佐道泰造
Comparison of nonlocal and local magnetoresistance signals in laterally fabricated Fe3Si/Si spin-valve devices
横向制造的 Fe3Si/Si 自旋阀器件中非局部和局部磁阻信号的比较
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：Y.Ando;et al.
- 通讯作者：et al.
Au-Catalyst Induced Low Temperature(~ 250oC) Layer Exchange Crystallization for SiGe On Insulator
Au 催化剂诱导绝缘体上 SiGe 的低温（~ 250oC）层交换结晶
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：J.-H. Park;M. Kurosawa;N. Kawabata;M. Miyao;and T. Sadoh
- 通讯作者：and T. Sadoh
A u誘起層交換成長法による大粒径G e(1 1 1)結晶/絶縁膜の形成:界面酸化膜挿入効果
通过Au诱导层交换生长法形成大晶粒尺寸G e(1 1 1)晶体/绝缘膜：界面氧化膜插入效应
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y.Ando;et al.;朴鍾.,鈴木恒晴,黒澤昌志,宮尾正信,佐道泰造
- 通讯作者：朴鍾.,鈴木恒晴,黒澤昌志,宮尾正信,佐道泰造
Low-temperature (～250oC) Crystallization of Poly-SiGe Films by Gold-Induced Layer-Exchange Technique for Flexible Electronics
利用金诱导层交换技术实现柔性电子多晶硅Ge薄膜的低温（~250oC）结晶
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：J.Park;et al
- 通讯作者：et al
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