Growth of Ferromagnetic Silicide for Source/Drain Engineering
Growth of Ferromagnetic Silicide for Source/Drain Engineering
用于源极/漏极工程的铁磁性硅化物的生长
批准号：
18063018
负责人：
MIYAO Masanobu
金额：
$34.3万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2009
中文摘要
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英文摘要
The spin-based electronic (spintronic) technologies are promising to break through the scaling limits of the CMOS. In particular, group-IV semiconductor spintronics, compatible with the conventional Si-LSI, is desired. In line with this, we have investigated high-quality formation of the ferromagnetic silicide (Fe_3Si) on SiGe to realize source-drain (S/D) engineering of spin-transistors. Consequently, we have developed a technique for the atomically-controlled epitaxial growth of Fe_3Si on SiGe and demonstrated the electrical spin injection and detection in Si.
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DOI：
10.1063/1.2996581
发表时间：
2008-09-29
期刊：
APPLIED PHYSICS LETTERS
影响因子：
4
作者：
[Hamaya, K., Ueda, K., Miyao, M.]
通讯作者：
Miyao, M.
Low Temperature Hetero-Epitaxy of Ferromagnetic Silicide on Ge Substrates for Spin-Transistor Application
用于自旋晶体管应用的 Ge 衬底上铁磁性硅化物的低温异质外延
用于自旋晶体管应用的 Ge 衬底上铁磁性硅化物的低温异质外延
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
IEICE TRANSACTIONS on Electronics Vol. E91-C No. 5
影响因子：
--
作者：
[Y.Ohta, et al, Y. Ando et. al, Takeshi Machida, Y. Ando et. al]
通讯作者：
Y. Ando et. al
Low Temperature Epitaxial Growth of Full Heusler Alloy Fe2MnSi on Ge(111) Substrates for Spintronics Application
用于自旋电子学应用的 Ge(111) 基底上全 Heusler 合金 Fe2MnSi 的低温外延生长
用于自旋电子学应用的 Ge(111) 基底上全 Heusler 合金 Fe2MnSi 的低温外延生长
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
ECS Transactions Vol.16No.10
影响因子：
--
作者：
[K. Ueda, Y. Ando, K. Yamamoto, M. Kumano, K. Hamaya, T. Sadoh, K. Narumi, Y. Maeda, M. Miyao]
通讯作者：
M. Miyao
Atomically Controlled Epitaxy of Ferromagnetic Silicide on SiGe for SiGe-Channel Schottky Source/Drain Spin Transistor
用于 SiGe 通道肖特基源极/漏极自旋晶体管的 SiGe 上铁磁硅化物的原子控制外延
用于 SiGe 通道肖特基源极/漏极自旋晶体管的 SiGe 上铁磁硅化物的原子控制外延
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Sadoh, K. Ueda, Y. Ando, Y. Kishi, K. Hamaya, Y. Maeda, M. Miyao]
通讯作者：
M. Miyao
Atomically Controlled Epitaxial Growth of Ferromagnetic Heusler Alloys for Group-IV- Semiconductor Spintronic Applications (invited)
用于 IV 族半导体自旋电子应用的铁磁 Heusler 合金的原子控制外延生长（邀请）
用于 IV 族半导体自旋电子应用的铁磁 Heusler 合金的原子控制外延生长（邀请）
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Miyao, K. Hamaya, T. Sadoh, K. Ueda, Y. Ando, Y. Nozaki, K. Matsuyama, H. Itoh, and Y. Maeda]
通讯作者：
and Y. Maeda
共 51 条
Non-Thermal-Equilibrium Solid-Phase Crystallization of GeSn-on-Insulator on Si Platform
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批准号：25289089
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.07万
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财政年份：2013
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负责人：MIYAO Masanobu
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依托单位：
Development of Hetero-Materials Integration Technology for Multi-Functional Hybrid Large-Scale Integrated Circuits
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批准号：24656209
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.58万
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财政年份：2012
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负责人：MIYAO Masanobu
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依托单位：
Atomically-control of halfmetal/Si interface for spin-transistors
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批准号：22360127
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.9万
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财政年份：2010
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负责人：MIYAO Masanobu
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依托单位：
Development of spin-function on flexible semiconductors
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批准号：21656005
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$2.18万
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财政年份：2009
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负责人：MIYAO Masanobu
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依托单位：
High-Quality Formation of SiGe on Flexible Substrates for Transistor Application
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批准号：19360011
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.81万
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财政年份：2007
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负责人：MIYAO Masanobu
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依托单位：
Low-temperature orientation-control of SiGe quasi-single crystal on glass and its device application
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批准号：15360169
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$8.19万
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财政年份：2003
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负责人：MIYAO Masanobu
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依托单位：
Formation of Si Quasi-Single Crystal by Controlled Excess Vacancy
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批准号：12450015
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$9.47万
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财政年份：2000
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负责人：MIYAO Masanobu
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依托单位：
海外基金