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Growth of Ferromagnetic Silicide for Source/Drain Engineering
用于源极/漏极工程的铁磁性硅化物的生长
基本信息
- 批准号：18063018
- 负责人：
- 金额：$ 34.3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份：2006
- 资助国家：日本
- 起止时间：2006 至 2009
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
The spin-based electronic (spintronic) technologies are promising to break through the scaling limits of the CMOS. In particular, group-IV semiconductor spintronics, compatible with the conventional Si-LSI, is desired. In line with this, we have investigated high-quality formation of the ferromagnetic silicide (Fe_3Si) on SiGe to realize source-drain (S/D) engineering of spin-transistors. Consequently, we have developed a technique for the atomically-controlled epitaxial growth of Fe_3Si on SiGe and demonstrated the electrical spin injection and detection in Si.
基于自旋的电子（自旋电子）技术有望突破CMOS的缩放限制。特别地，需要与常规Si-LSI兼容的IV族半导体自旋电子学。基于此，我们研究了在SiGe上形成高质量的铁磁硅化物（Fe_3Si）以实现自旋晶体管的源漏（S/D）工程。因此，我们发展了一种在SiGe上原子控制外延生长Fe_3Si的技术，并证明了Si中的电自旋注入和检测。
项目成果
期刊论文数量（64）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Epitaxial ferromagnetic Fe3Si/Si(111) structures with high-quality heterointerfaces
- DOI：10.1063/1.2996581
- 发表时间：2008-09-29
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：Hamaya, K.;Ueda, K.;Miyao, M.
- 通讯作者：Miyao, M.
Low Temperature Hetero-Epitaxy of Ferromagnetic Silicide on Ge Substrates for Spin-Transistor Application
用于自旋晶体管应用的 Ge 衬底上铁磁性硅化物的低温异质外延
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y.Ohta;et al;Y. Ando et. al;Takeshi Machida;Y. Ando et. al
- 通讯作者：Y. Ando et. al
Low Temperature Epitaxial Growth of Full Heusler Alloy Fe2MnSi on Ge(111) Substrates for Spintronics Application
用于自旋电子学应用的 Ge(111) 基底上全 Heusler 合金 Fe2MnSi 的低温外延生长
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Ueda;Y. Ando;K. Yamamoto;M. Kumano;K. Hamaya;T. Sadoh;K. Narumi;Y. Maeda;M. Miyao
- 通讯作者：M. Miyao
Atomically Controlled Epitaxy of Ferromagnetic Silicide on SiGe for SiGe-Channel Schottky Source/Drain Spin Transistor
用于 SiGe 通道肖特基源极/漏极自旋晶体管的 SiGe 上铁磁硅化物的原子控制外延
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T. Sadoh;K. Ueda;Y. Ando;Y. Kishi;K. Hamaya;Y. Maeda;M. Miyao
- 通讯作者：M. Miyao
Atomically Controlled Epitaxial Growth of Ferromagnetic Heusler Alloys for Group-IV- Semiconductor Spintronic Applications (invited)
用于 IV 族半导体自旋电子应用的铁磁 Heusler 合金的原子控制外延生长（邀请）
- DOI：
- 发表时间：2008
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Miyao;K. Hamaya;T. Sadoh;K. Ueda;Y. Ando;Y. Nozaki;K. Matsuyama;H. Itoh;and Y. Maeda
- 通讯作者：and Y. Maeda
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