Low-temperature orientation-control of SiGe quasi-single crystal on glass and its device application

玻璃上SiGe准单晶的低温取向控制及其器件应用

基本信息

  • 批准号:
    15360169
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 8.19万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2003
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2003 至 2005
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Low temperature orientation control of SiGe quasi-single crystals and its device application have been investigated.The solid-phase crystallization of a-Si/a-Ge/glass and a-Si/a-Ge/a-Si/glass stacked structures was studied systematically. It was found that two-dimensional nucleation was selectively induced by inserting Ge layers thicker than the critical thickness at the interface between the a-Si layer and the glass substrate. This is an important finding for orientation control of SiGe quasi-single crystals.In addition, a novel device structure, suitable for low-temperature processing, was studied, and the fabrication process of the Schottky source/drain structure transistor was established at a low-temperature (≦450℃). Moreover, a good transistor operation of transistors fabricated on the glass substrate was demonstrated.
本文研究了SiGe准单晶的低温取向控制及其器件应用,系统地研究了a-Si/a-Ge/glass和a-Si/a-Ge/a-Si/glass叠层结构的固相晶化过程。结果表明,在a-Si层与玻璃衬底的界面处插入大于临界厚度的Ge层,可以选择性地诱导二维成核。此外,研究了一种适合低温工艺的新型器件结构,建立了低温(~ 450℃)下肖特基源/漏结构晶体管的制备工艺。此外,证明了在玻璃衬底上制造的晶体管的良好晶体管操作。

项目成果

期刊论文数量(26)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Sadoh 他: "Ge-dependent Morphological Change in Poly-SiGe Formed by Ni-mediated Crystallization"Applied Surface Science. 224(1-4). 227-230 (2004)
T. Sadoh 等人:“Ni 介导的结晶形成的多晶硅Ge 的形态变化”应用表面科学 224(1-4) (2004)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Ge fraction dependent improved thermal stability of in-situ doped boron in polycrystalline Si1-XGeX (0≦x≦0.5) films on SiON
SiON 上多晶 Si1-XGeX (0≤x≤0.5) 薄膜中原位掺杂硼的 Ge 分数依赖性改善热稳定性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2005
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M.Miyao 他;M.Miyao 他;M.Miyao et al.;M.miyao et al.
  • 通讯作者:
    M.miyao et al.
H.Kanno 他: "Metal-Induced Solid-Phase Crystallization of Amorphous SiGe Films on Insulator"Jpn.J.Appl.Phys.. 42(4B). 1933-1936 (2003)
H. Kanno 等人:“绝缘体上非晶 SiGe 薄膜的金属诱导固相结晶”Jpn.J.Appl.Phys. 42(4B) (2003)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Nucleation Control in Solid-Phase Crystallization of a-Si/SiO_2 by Local Ge Insertion
局部Ge插入对a-Si/SiO_2固相结晶的成核控制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2004
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M.Miyao 他;M.Miyao 他;M.Miyao et al.;M.miyao et al.;M.Miyao 他;M.Miyao 他;I.Tsunoda 他;I.Tsunoda 他
  • 通讯作者:
    I.Tsunoda 他
絶縁膜状におけるSiGe結晶成長とデバイス応用
绝缘膜形式的 SiGe 晶体生长和器件应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2004
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M.Miyao 他;M.Miyao 他;M.Miyao et al.;M.miyao et al.;M.Miyao 他;M.Miyao 他;I.Tsunoda 他;I.Tsunoda 他;宮尾 正信 他
  • 通讯作者:
    宮尾 正信 他
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

MIYAO Masanobu其他文献

MIYAO Masanobu的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('MIYAO Masanobu', 18)}}的其他基金

Non-Thermal-Equilibrium Solid-Phase Crystallization of GeSn-on-Insulator on Si Platform
Si 平台上绝缘体上 GeSn 的非热平衡固相结晶
  • 批准号:
    25289089
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 8.19万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of Hetero-Materials Integration Technology for Multi-Functional Hybrid Large-Scale Integrated Circuits
多功能混合大规模集成电路异质材料集成技术发展
  • 批准号:
    24656209
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 8.19万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Atomically-control of halfmetal/Si interface for spin-transistors
自旋晶体管半金属/硅界面的原子控制
  • 批准号:
    22360127
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 8.19万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of spin-function on flexible semiconductors
柔性半导体自旋函数的发展
  • 批准号:
    21656005
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 8.19万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
High-Quality Formation of SiGe on Flexible Substrates for Transistor Application
在晶体管应用的柔性衬底上高质量形成 SiGe
  • 批准号:
    19360011
  • 财政年份:
    2007
  • 资助金额:
    $ 8.19万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Growth of Ferromagnetic Silicide for Source/Drain Engineering
用于源极/漏极工程的铁磁性硅化物的生长
  • 批准号:
    18063018
  • 财政年份:
    2006
  • 资助金额:
    $ 8.19万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Formation of Si Quasi-Single Crystal by Controlled Excess Vacancy
控制过量空位形成Si准单晶
  • 批准号:
    12450015
  • 财政年份:
    2000
  • 资助金额:
    $ 8.19万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

相似海外基金

Development study on the Basic Technologies of Superconductive and large-scale Integrated Circuit for Radio Astronomy
射电天文超导与大规模集成电路基础技术发展研究
  • 批准号:
    16K13789
  • 财政年份:
    2016
  • 资助金额:
    $ 8.19万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
A Novel Mixed-Mode Design of Linear Feedback Shift Registersfor Very Large Scale Integrated Circuit Built-In Self-Test
超大规模集成电路内置自测试线性反馈移位寄存器的新型混合模式设计
  • 批准号:
    8660744
  • 财政年份:
    1987
  • 资助金额:
    $ 8.19万
  • 项目类别:
    Standard Grant
Presidential Young Investigator Award: Very Large Scale Integrated Circuit Theory and Design
总统青年研究员奖:超大规模集成电路理论与设计
  • 批准号:
    8658112
  • 财政年份:
    1987
  • 资助金额:
    $ 8.19万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
Theoretical Investigations Into Very Large Scale Integrated Circuit Technology (Computer Research)
超大规模集成电路技术的理论研究(计算机研究)
  • 批准号:
    8203405
  • 财政年份:
    1982
  • 资助金额:
    $ 8.19万
  • 项目类别:
    Continuing Grant
Very Large Scale Integrated Circuit Design Laboratory Facilities
超大规模集成电路设计实验室设施
  • 批准号:
    8162558
  • 财政年份:
    1981
  • 资助金额:
    $ 8.19万
  • 项目类别:
    Standard Grant
COMPUTATIONAL METHODS FOR LARGE SCALE INTEGRATED CIRCUIT DESIGN
大规模集成电路设计的计算方法
  • 批准号:
    7356252
  • 财政年份:
    1973
  • 资助金额:
    $ 8.19万
  • 项目类别:
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了