Low-temperature orientation-control of SiGe quasi-single crystal on glass and its device application
玻璃上SiGe准单晶的低温取向控制及其器件应用
基本信息
- 批准号:15360169
- 负责人:
- 金额:$ 8.19万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2003
- 资助国家:日本
- 起止时间:2003 至 2005
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Low temperature orientation control of SiGe quasi-single crystals and its device application have been investigated.The solid-phase crystallization of a-Si/a-Ge/glass and a-Si/a-Ge/a-Si/glass stacked structures was studied systematically. It was found that two-dimensional nucleation was selectively induced by inserting Ge layers thicker than the critical thickness at the interface between the a-Si layer and the glass substrate. This is an important finding for orientation control of SiGe quasi-single crystals.In addition, a novel device structure, suitable for low-temperature processing, was studied, and the fabrication process of the Schottky source/drain structure transistor was established at a low-temperature (≦450℃). Moreover, a good transistor operation of transistors fabricated on the glass substrate was demonstrated.
本文研究了SiGe准单晶的低温取向控制及其器件应用,系统地研究了a-Si/a-Ge/glass和a-Si/a-Ge/a-Si/glass叠层结构的固相晶化过程。结果表明,在a-Si层与玻璃衬底的界面处插入大于临界厚度的Ge层,可以选择性地诱导二维成核。此外,研究了一种适合低温工艺的新型器件结构,建立了低温(~ 450℃)下肖特基源/漏结构晶体管的制备工艺。此外,证明了在玻璃衬底上制造的晶体管的良好晶体管操作。
项目成果
期刊论文数量(26)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Sadoh 他: "Ge-dependent Morphological Change in Poly-SiGe Formed by Ni-mediated Crystallization"Applied Surface Science. 224(1-4). 227-230 (2004)
T. Sadoh 等人:“Ni 介导的结晶形成的多晶硅Ge 的形态变化”应用表面科学 224(1-4) (2004)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Ge fraction dependent improved thermal stability of in-situ doped boron in polycrystalline Si1-XGeX (0≦x≦0.5) films on SiON
SiON 上多晶 Si1-XGeX (0≤x≤0.5) 薄膜中原位掺杂硼的 Ge 分数依赖性改善热稳定性
- DOI:
- 发表时间:2005
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M.Miyao 他;M.Miyao 他;M.Miyao et al.;M.miyao et al.
- 通讯作者:M.miyao et al.
H.Kanno 他: "Metal-Induced Solid-Phase Crystallization of Amorphous SiGe Films on Insulator"Jpn.J.Appl.Phys.. 42(4B). 1933-1936 (2003)
H. Kanno 等人:“绝缘体上非晶 SiGe 薄膜的金属诱导固相结晶”Jpn.J.Appl.Phys. 42(4B) (2003)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Nucleation Control in Solid-Phase Crystallization of a-Si/SiO_2 by Local Ge Insertion
局部Ge插入对a-Si/SiO_2固相结晶的成核控制
- DOI:
- 发表时间:2004
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M.Miyao 他;M.Miyao 他;M.Miyao et al.;M.miyao et al.;M.Miyao 他;M.Miyao 他;I.Tsunoda 他;I.Tsunoda 他
- 通讯作者:I.Tsunoda 他
絶縁膜状におけるSiGe結晶成長とデバイス応用
绝缘膜形式的 SiGe 晶体生长和器件应用
- DOI:
- 发表时间:2004
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M.Miyao 他;M.Miyao 他;M.Miyao et al.;M.miyao et al.;M.Miyao 他;M.Miyao 他;I.Tsunoda 他;I.Tsunoda 他;宮尾 正信 他
- 通讯作者:宮尾 正信 他
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