Development of digital etching of 2D layered materials using the inward plasma method
Development of digital etching of 2D layered materials using the inward plasma method
使用向内等离子体方法开发二维层状材料数字蚀刻
批准号：
15K13310
负责人：
Miyawaki Jun
金额：
$2.58万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2017-03-31
中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
期刊论文(18)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
登录
查看更多内容
二次元原子薄膜材料の単層剥離技術の開発
二维原子薄膜材料单层剥离技术开发
二维原子薄膜材料单层剥离技术开发
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[久保 利隆, 宮脇 淳, 清水 哲夫, 新堀俊一郎, 高橋 賢, 安藤 淳]
通讯作者：
安藤 淳
Morphology and Electrical Studies on Defect-induced MoS2 Nanosheet by O2 Plasma Treatment
O2 等离子体处理引起缺陷的 MoS2 纳米片的形貌和电学研究
O2 等离子体处理引起缺陷的 MoS2 纳米片的形貌和电学研究
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[安藤 淳, 堀川 昌代, 宮脇 淳, 清水 哲夫, 久保 利隆]
通讯作者：
久保 利隆
吸引型プラズマによる二次元層状物質の広範囲単層エッチング
使用抽吸等离子体对二维层状材料进行广泛的单层蚀刻
使用抽吸等离子体对二维层状材料进行广泛的单层蚀刻
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[宮脇 淳, 久保 利隆, 清水 哲夫, 新堀俊一郎, 高橋 賢, 安藤 淳]
通讯作者：
安藤 淳
吸引型プラズマによる二次元層状物質の単層エッチング
使用抽吸等离子体对二维层状材料进行单层蚀刻
使用抽吸等离子体对二维层状材料进行单层蚀刻
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[久保 利隆, 宮脇 淳, 清水 哲夫, 新堀俊一郎, 高橋 賢, 安藤 淳]
通讯作者：
安藤 淳
Etching morphology of HOPG and Molybdenum Disulfide (MoS2) treated with inward-plasma
内向等离子体处理的 HOPG 和二硫化钼 (MoS2) 的蚀刻形貌
内向等离子体处理的 HOPG 和二硫化钼 (MoS2) 的蚀刻形貌
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[久保利隆, 宮脇淳, 清水哲夫, 新堀俊一郎, 高橋賢, 安藤淳]
通讯作者：
安藤淳
共 18 条
Development of angle-resolved resonant inelastic X-ray scattering and X-ray polarization precession spectroscopy for magnonic materials
-
批准号：18H03467
-
项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
-
资助金额：$11.32万
-
财政年份：2018
-
负责人：Miyawaki Jun
-
依托单位：
海外基金