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半導体表面に調製したヘリックスペプチド自己組織化膜による光・電子機能の発現

半导体表面制备的螺旋肽自组装膜表达光学和电子功能

基本信息

批准号：
17655098
负责人：
木村俊作
金额：
$ 1.92万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Exploratory Research
财政年份：
2005
资助国家：
日本
起止时间：
2005 至 2006
项目状态：
已结题

项目摘要

分子ダイポール工学の一環として、ガリウム砒素をベースとするFET(HEMT)のゲートに、ヘリックスペプチドを固定化し、ヘリックスペプチドのダイポールがHEMTの特性に及ぼす効果を解析した。ヘリックスペプチドとしては、安定なαヘリックス構造をとりパッキングのよい膜を形成することで知られている、ロイシンとαアミノイソ酪酸との交互配列8量体、あるいは16量体を用いた。リンカー部位としてアセチルチオフェニル基をN末端に導入した。既に、RAS測定およびエリプソ測定より、ヘリックス軸が表面に垂直に配向した薄膜の調製できることを確認している。今回、小角X線回折測定からもヘリックス軸の配向を確認した。ガリウム砒素層上の絶縁層であるシリコンナイトライド層を除去したHEMTとヘリックスペプチドを固定介したHEMTの電流-電圧応答曲線を比較したところ、2DEG層での電子移動度は、gm値がおよそ60mSから30mSへと減少した。ヘリックスペプチドは、N末端で表面に固定化されており、このダイポールが原因となるポテンシャルドロップの効果が考えられる。また、ヘリックスペプチド層のキャパシティブな寄与が小さくなったことも示唆された。ヘリックスペプチドのダイポールがHEMTの電流-電圧応答に影響を与えたことは興味深く、今後、16量体ペプチドを固定化したHEMTの電流-電圧応答の結果を得て、ヘリックスペプチドのダイポールの効果を定量的に議論する。

Molecular chemistry, arsenic, FET (HEMT), immobilization, immobilization, HEMT properties, and fruit analysis. You know, I know, I know. This is the first time that the N-end of the base has been put into the box. Both RAS and RAS determine that the surface is vertically oriented and that the film is perpendicular to the surface. This time, the small angle X line is folded back to determine the orientation confirmation. The number of response curves of fixed media HEMT streams is much lower than that of 2DEG devices, 2DEG devices, gm devices, 60mS devices and 30mS devices. The reason for the immobilization of the N-terminal surface and the cause of the disease is that the results show that the results are different. I don't know, I don't know. In the future, the results of the immobilization of HEMT currents and electrical currents are satisfactory. In the future, the results of the immobilization of HEMT currents are satisfactory, and the results of the results are satisfactory.