Development of High?precision and High-ef icient Finishing Process of Over Meter Size Photomask Substrate for LCD

米级以上LCD光罩基板高精度、高效率精加工工艺开发

• 批准号: 18206017
• 负责人: MORI Yuzo
• 金额: $ 30.37万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
• 财政年份: 2006
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2006 至 2008
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18206017/
• 关键词: 液晶; フォトマスク基板; ウエットエッチング; 平坦度; ローカルウエットエッチング; 数値制御加工; 石英ガラス; プラズマ加工; 精密研磨; リソグラフィー

局所的な液相エッチング領域を加工対象物の表面上において速度制御して走査することにより、平面基板の平坦度を向上させる数値制御ローカルウエットエッチング法を開発した。本研究では、液晶ディスプレイ作製用の大型フォトマスク基板の高能率・高精度加工を目的として直径125mmの大口径ノズルヘッドならびに2段階修正加工プロセスを開発し、1辺の長さが1mを超える超大型基板を実用的な加工時間で目標とする10μm以内の平坦度を達成する目途を得た。

The liquid phase of the substrate is processed on the surface of the object, and the speed of the substrate is controlled. This study aims to achieve the goal of high energy efficiency and high precision machining of large substrates with a diameter of 125mm, and the goal of achieving flatness within 10μm by developing two-stage correction machining for large substrates with a length of 1m and a length of 1 m.

项目成果

数値制御ローカルウエットエッチング法を用いたSOIの膜厚均一化加工 -フッ硝酸を用いたSiの加工特性-

使用数控局部湿式蚀刻法进行SOI的均匀膜厚加工-使用氟硝酸的Si的加工特性-

• 发表时间: 2007
• 作者: 三谷卓朗;山村和也
• 通讯作者: 山村和也

ローカルウエットエッチングにより加工した表面の評価-加工後表面の表面粗さ悪化の原因解明-

局部湿式蚀刻加工表面的评价 - 加工后表面粗糙度恶化的原因解析 -

• 发表时间: 2008
• 作者: 永野幹典;他
• 通讯作者: 他

Improvement of Thickness Distribution of SOI Using Numerically Controlled Local Wet Etching

采用数控局部湿法刻蚀改善 SOI 厚度分布

• 发表时间: 2007
• 作者: R.Matsumoto;T.Inoue;S.taketomi;N.Miyazaki;T. Mitani and K. Yamamura
• 通讯作者: T. Mitani and K. Yamamura

Figuring of ultraprecision aspherical focusing mirror using numerically controlled local wet etching

数控局部湿法刻蚀超精密非球面聚焦镜

• 发表时间: 2008
• 作者: K. Yamamura;H. Takai
• 通讯作者: H. Takai

Development of numerically controlled local wet etching

• DOI: 10.1016/j.stam.2007.02.003
• 发表时间: 2007-04-01
• 期刊: SCIENCE AND TECHNOLOGY OF ADVANCED MATERIALS
• 影响因子: 5.5
• 作者: Yamamura, Kazuya