Development of topography-sensitive nano device processing aided by in-situ ellipsometry in supercritical fluids
Development of topography-sensitive nano device processing aided by in-situ ellipsometry in supercritical fluids
超临界流体中原位椭圆光度辅助的形貌敏感纳米器件加工的开发
批准号：
18206031
负责人：
KONDOH Eiichi
金额：
$15.39万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2006
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2006 至 2008
中文摘要
翻译
超臨界流体は気体と液体の中間の性質を有する高密度の溶媒である。超臨界流体中に有機金属錯体を溶解し反応により固体を析出させると細孔内へ原料が凝集して細孔内にのみ選択的に物質を充填でき, 微細プロセス限界を凌駕できると期待できる。本研究ではこの現象を理解するため, 超臨界流体中での吸着・凝集現象を観測する超臨界エリプソメトリーを構築した。実際に凝集の観測に成功するとともに, サブナノ細孔の評価にも適用した。また堆積の評価も行った。
英文摘要
超臨界流体は気体と液体の中間の性質を有する高密度の溶媒である。超臨界流体中に有機金属錯体を溶解し反応により固体を析出させると細孔内へ原料が凝集して細孔内にのみ選択的に物質を充填でき, 微細プロセス限界を凌駕できると期待できる。本研究ではこの現象を理解するため, 超臨界流体中での吸着・凝集現象を観測する超臨界エリプソメトリーを構築した。実際に凝集の観測に成功するとともに, サブナノ細孔の評価にも適用した。また堆積の評価も行った。
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Kinetics of Deposition of Cu Thin Films in Supercritical Carbon Dioxide Solutions from a F-Free Copper(II) -Diketone Complex
无氟铜(II)-二酮配合物在超临界二氧化碳溶液中沉积铜薄膜的动力学
无氟铜(II)-二酮配合物在超临界二氧化碳溶液中沉积铜薄膜的动力学
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
J. Electrochem. Soc. 156, 6
影响因子：
--
作者：
[Masahiro Matsubara, Michiru Hirose, Kakeru Tamai, Yukihiro Shimogaki, and Eiichi Kondoh]
通讯作者：
and Eiichi Kondoh
薄膜ハンドブック
薄膜手册
薄膜手册
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[木股 雅章, 浅地 伸洋, 太田 喬, 高畑 晶弘, 島田 佳玄, 吉岡 文雄, 吉田 昌史, Masafumi Kimata, Masafumi kimata, 木股雅章, 木股 雅章, Masafumi Kimata, Masafumi Kimata, 木股雅章, 木股雅章, 木股雅章, Masafumi Kimata, 木股雅章]
通讯作者：
木股雅章
Condensation and cleaning of a metalorganic copper compound to from porous low-dielectric constant thin films in su-percritical carbon dioxide
超临界二氧化碳中金属有机铜化合物的缩合和清洗以形成多孔低介电常数薄膜
超临界二氧化碳中金属有机铜化合物的缩合和清洗以形成多孔低介电常数薄膜
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
physica status solidi c, 5
影响因子：
--
作者：
[E. Kondoh, E. Ukai, and S. Aruga]
通讯作者：
and S. Aruga
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
Microelectronics Engineering 86
影响因子：
--
作者：
[Tomohisa HAYASHI, Ikuo SAKURADA, Kensuke HONDA, Shigeyasu, Eiichi Kondoh]
通讯作者：
Eiichi Kondoh
超臨界流体技術の開発と応用
超临界流体技术的发展及应用
超临界流体技术的发展及应用
DOI：
--
发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Ogura, Hirohito Hirata, Keiko Nakamura, K.K. Cheralathan, 松野隆, 佐古猛]
通讯作者：
佐古猛
Process technologies for integrating nano-crystalline Si and wide-bandgap semiconductors aiming to fabricating novel optoelectronics devices
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批准号：16H04327
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$5.16万
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财政年份：2016
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负责人：KONDOH Eiichi
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依托单位：
Interconnect formation for high-band-width packaging
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批准号：23656213
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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资助金额：$1.25万
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财政年份：2011
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负责人：KONDOH Eiichi
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依托单位：
Development of Novel, High-Speed, and Environmentally-Friendly Thin Film Deposition Technology using Supercritical Carbon Dioxide Fluids
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批准号：15360162
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$5.31万
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财政年份：2003
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负责人：KONDOH Eiichi
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依托单位：
海外基金