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Development and application of totally low-temperature semiconductor process using atmospheric-pressure plasma
常压等离子体全低温半导体工艺的开发与应用
基本信息
- 批准号：19206018
- 负责人：
- 金额：$ 21.88万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2007
- 资助国家：日本
- 起止时间：2007 至 2009
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
We have developed constituent technologies to realize a totally low-temperature semiconductor process by using atmospheric-pressure plasma ; namely in-situ doped Si epitaxial growth at 570℃ by atmospheric-pressure plasma CVD and SiO_2 film formation by atmospheric-pressure plasma oxidation at 400℃. From the electrical measurements, it has been revealed that the prepared Si and SiO_2 films have high qualities for device application.
我们开发了实现大气压等离子体全低温半导体工艺的组成技术，即570℃大气压等离子体CVD原位掺杂Si外延生长和400℃大气压等离子体氧化SiO_2膜。电性能测试表明，所制备的Si和SiO_2薄膜具有良好的器件性能。
项目成果
期刊论文数量（40）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric-Pressure Plasma CVD
常压等离子体 CVD 低温选择性外延生长
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Kirihata;T. Ohnishi;H. Ohmi;H. Kakiuchi;K. Yasutake
- 通讯作者：K. Yasutake
新コーティングのすべて」第2章,2.2(1),大気圧プラズマCVD法-フィルムコーティングのための大気圧・超高周波プラズマ技術-
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- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：垣内弘章;大参宏昌;安武潔
- 通讯作者：安武潔
In Situ Doped Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD
大气压等离子体 CVD 低温原位掺杂硅选择性外延生长
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：T.Ohnishi;Y.Kirihata;H.Ohmi;H.Kakiuchi;K.Yasutake
- 通讯作者：K.Yasutake
Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Fabrication of Si and SiO_2 Thin Films at Low-Temperatures (Invited)
低温常压等离子体工艺制备Si和SiO_2薄膜（特邀）
- DOI：
- 发表时间：2007
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：安武潔;垣内弘章;大参宏昌
- 通讯作者：大参宏昌
大気圧プラズマ(基礎と応用)(日本学術振興会プラズマ材料科学第153委員会編)
大气压等离子体（基础与应用）（日本学术振兴会等离子体材料学会第153届委员会编）
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：櫻圭彪;ほか
- 通讯作者：ほか
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