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Development and application of totally low-temperature semiconductor process using atmospheric-pressure plasma

Development and application of totally low-temperature semiconductor process using atmospheric-pressure plasma
常压等离子体全低温半导体工艺的开发与应用
批准号：
19206018
负责人：
YASUTAKE Kiyoshi
金额：
$21.88万
依托单位：
Osaka University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2007
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2007 至 2009
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19206018/
关键词：
大気圧プラズマ半導体プロセスエピタキシャル薄膜成長プラズマ酸化機能材料シリコン大気圧プラズマCVD大気圧プラズマ酸化大気圧プラズマ窒化全低温プロセスエピタキシャル成長ドーピング・エピ技術

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翻译
我们开发了利用大气压等离子体实现全低温半导体工艺的组成技术，即在570℃下用大气压等离子体化学气相沉积原位掺杂Si外延，在400℃大气压等离子体氧化下形成SiO_2薄膜。电学测试表明，所制备的Si和SiO_2薄膜具有较高的器件应用质量。
英文摘要
We have developed constituent technologies to realize a totally low-temperature semiconductor process by using atmospheric-pressure plasma ; namely in-situ doped Si epitaxial growth at 570℃ by atmospheric-pressure plasma CVD and SiO_2 film formation by atmospheric-pressure plasma oxidation at 400℃. From the electrical measurements, it has been revealed that the prepared Si and SiO_2 films have high qualities for device application.
期刊论文(40)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric-Pressure Plasma CVD
常压等离子体 CVD 低温选择性外延生长
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [Y. Kirihata, T. Ohnishi, H. Ohmi, H. Kakiuchi, K. Yasutake]
通讯作者： K. Yasutake
新コーティングのすべて」第2章,2.2(1),大気圧プラズマCVD法-フィルムコーティングのための大気圧・超高周波プラズマ技術-
《All About New Coatings》第 2 章 2.2(1)，大气压等离子体 CVD 方法 - 用于薄膜涂层的大气压和超高频等离子体技术 -
DOI： --
发表时间： 2009
期刊：
影响因子： --
作者： [垣内弘章, 大参宏昌, 安武潔]
通讯作者： 安武潔
In Situ Doped Si Selective Epitaxial Growth at Low Temperatures by Atmospheric Pressure Plasma CVD
大气压等离子体 CVD 低温原位掺杂硅选择性外延生长
DOI： --
发表时间： 2009
期刊： ECS Trans. 25
影响因子： --
作者： [T.Ohnishi, Y.Kirihata, H.Ohmi, H.Kakiuchi, K.Yasutake]
通讯作者： K.Yasutake
Atmospheric-Pressure Plasma Processes for Fabrication of Si and SiO_2 Thin Films at Low-Temperatures (Invited)
低温常压等离子体工艺制备Si和SiO_2薄膜（特邀）
DOI： --
发表时间： 2007
期刊：
影响因子： --
作者： [安武潔, 垣内弘章, 大参宏昌]
通讯作者： 大参宏昌
共 39 条
    Formation process of solar grade silicon by atomic hydrogen reduction of quartz sand
    • 批准号：
      24656103
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2012
    • 负责人：
      YASUTAKE Kiyoshi
    • 依托单位：
      Osaka University
    Fabrication of Large-Grained Polycrystalline Si Thin Films by Controlling Nucleation Sites on Glass Substrates
    • 批准号：
      16360070
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $6.66万
    • 财政年份：
      2004
    • 负责人：
      YASUTAKE Kiyoshi
    • 依托单位：
      Osaka University
    Formation of Monochromatic Atomic Beam for Atom interferometer
    • 批准号：
      11450059
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $9.28万
    • 财政年份：
      1999
    • 负责人：
      YASUTAKE Kiyoshi
    • 依托单位：
      Osaka University
    Development of Anisotropic Dry Etching Process Using Laser Cooling Method
    • 批准号：
      09555046
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
    • 资助金额：
      $4.99万
    • 财政年份：
      1997
    • 负责人：
      YASUTAKE Kiyoshi
    • 依托单位：
      Osaka University
    海外基金