Investigation of CMP Mechanism of GaN Wafer and Development of High-Efficiency & High-Quality CMP Machine using Fixed Abrasive Tape

GaN晶圆CMP机理研究及高效率开发

基本信息

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使用 GaN 衬底模型的化学机械抛光工艺的计算化学研究（分步骤）

冲击波引起的纳米气泡塌陷对精密抛光的影响：分子动力学研究

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Hirosawa;K. Fujii;T. Ueki;Y.Kitazawa;M. Watanabe;E. P. Gilbert;and M. Shibayama;彌田智一;Yoshimasa Aoyama
通讯作者：
Yoshimasa Aoyama

使用计算科学模拟阐明化学机械抛光过程中的多物理场现象

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
西岡央成;河原成元;山本祥正;丹下慶範・瀬戸雄介・尾崎典雅・奥地拓生・宮西宏併・HARTLEY Nicholas ・梅田悠平・西川豊人・OCHANTE Ricardo ・松岡健之・高橋謙次郎・松山智至・山内和人・佐藤友子・関根利守・田中和夫・兒玉了祐・籔内俊毅・犬伏雄一・矢橋牧名;Hiroko Yamada;尾澤伸樹
通讯作者：
尾澤伸樹

利用反作用力场分子动力学模拟研究氮化物半导体衬底纳米气泡化学机械抛光工艺

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
三原大空;野口賢至;河原成元;松岡健之・尾崎典雅・奥地拓生・瀬戸雄介・宮西宏併・高橋謙次郎・羽原英明・犬伏雄一・籔内俊毅・富樫格・館野繁彦・平尾直久・大石泰生・FAENOV Anatoly・PIKUZ Tatiana・兒玉了祐・田中和夫・矢橋牧名・石川哲也;Tomokazu Iyoda;建石寿枝;木村颯太
通讯作者：
木村颯太

利用计算科学方法研究 GaN CMP 中具有高化学反应活性的抛光磨粒

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纳秒脉冲激光赋予生物相容性的研究

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Harai Tomohiro;Hirota Masatsugu;Hayakawa Tohru;Shimada Keita;Mizutani Masayoshi;Kuriyagawa Tsunemoto;廣田正嗣，塚越　好，野本理恵，早川　徹．;廣田正嗣，吉田英史，早川　徹．;原井智広，嶋田慶太，水谷正義，厨川常元，廣田正嗣，早川　徹．;廣田正嗣，原井智広，石橋信治，水谷正義，早川　徹;廣田正嗣，水谷正義，早川　徹;原井智広，廣田正嗣，早川　徹，嶋田慶太，水谷正義，厨川常元;廣田正嗣，原井智広，水谷正義，厨川常元，早川　徹;原井智広，廣田正嗣，早川　徹，嶋田慶太，水谷正義，厨川常元
通讯作者：
原井智広，廣田正嗣，早川　徹，嶋田慶太，水谷正義，厨川常元

用纳秒脉冲激光赋予氧化锆植入物生物相容性：微槽的形成和热效应研究

DOI：
10.2320/jinstmet.j2018043
发表时间：
2019
期刊：
Journal of the Japan Institute of Metals and Materials
影响因子：
0.5
作者：
Harai Tomohiro;Hirota Masatsugu;Hayakawa Tohru;Shimada Keita;Mizutani Masayoshi;Kuriyagawa Tsunemoto
通讯作者：
Kuriyagawa Tsunemoto

纳秒脉冲激光照射氧化锆植入物的骨相容性

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Harai Tomohiro;Hirota Masatsugu;Hayakawa Tohru;Shimada Keita;Mizutani Masayoshi;Kuriyagawa Tsunemoto;廣田正嗣，塚越　好，野本理恵，早川　徹．;廣田正嗣，吉田英史，早川　徹．;原井智広，嶋田慶太，水谷正義，厨川常元，廣田正嗣，早川　徹．;廣田正嗣，原井智広，石橋信治，水谷正義，早川　徹;廣田正嗣，水谷正義，早川　徹
通讯作者：
廣田正嗣，水谷正義，早川　徹