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Physics of highly polarized semiconductors and their application to deep ultraviolet light emitting devices

Physics of highly polarized semiconductors and their application to deep ultraviolet light emitting devices
高偏振半导体物理及其在深紫外发光器件中的应用
批准号：
25000011
负责人：
AMANO Hiroshi
金额：
$233.29万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013 至 2015
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-25000011/
关键词：
電気・電子材料AlNAlGaN結晶成長その場観察ナノカーボン熱処理分極ドーピング深紫外ナノワイヤ深紫外発光素子バルクAlN基板電子線ホログラフィ分極電荷エンジニアリング低加速電圧SEMカーボンナノチューブグラフェン分極半導体ナノカーボン電極バルクAlNソーラーブラインド紫外線検出器電子線励起深紫外レーザ電子線励起電流

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Au/Ni触媒を用いた高均一な多層グラフェンCVD成長の成長温度依存
使用 Au/Ni 催化剂的高度均匀多层石墨烯 CVD 生长的生长温度依赖性
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [上田悠貴, 山田純平, 内堀樹, 堀部真史, 松田晋一, 丸山隆浩, 成塚重弥]
通讯作者： 成塚重弥
Epitaxial Growth of AlN Templates with Smooth Surfaces on Sapphire
蓝宝石上光滑表面 AlN 模板的外延生长
DOI： --
发表时间： 2015
期刊：
影响因子： --
作者： [Syouta Katsuno, Koudai Hagiwara, Toshiki Yasuda, Norikatsu Koide, Motoaki Iwaya, Tetsuya Takeuchi, Satoshi Kamiyama, Isamu Akasaki]
通讯作者： Isamu Akasaki
窒化物半導体発光素子
氮化物半导体发光器件
DOI： --
发表时间： 2016
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Growth of multilayer graphene by hybrid method of alcohol CVD and precipitation
醇CVD和沉淀混合法生长多层石墨烯
DOI： --
发表时间： 2014
期刊：
影响因子： --
作者： [Shigeya Naritsuka, Yusuke Kito, Manabu Suzuki, Naokuni Hayakawa, Junpei Yamada, and Takahiro Maruyama]
通讯作者： and Takahiro Maruyama
共 191 条
    Growth of high quality InGaN-based superlattice using pulsed modulation plasma assisted molecular beam epitaxy
    • 批准号：
      23656015
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.66万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      AMANO Hiroshi
    • 依托单位：
      Nagoya University
    Growth of high-quality thick InGaN by raised-pressure MOVPE
    • 批准号：
      22246004
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $31.53万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      AMANO Hiroshi
    • 依托单位：
      Nagoya University
    Establishment of the farmer support system in use of natural enemies of pests by development of the simple growth chamber
    • 批准号：
      21580062
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.24万
    • 财政年份：
      2009
    • 负责人：
      AMANO Hiroshi
    • 依托单位：
      Kyoto University
    High-Efficiency Nitride-based Power Devices in the Next Generation
    • 批准号：
      18206036
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $26.29万
    • 财政年份：
      2006
    • 负责人：
      AMANO Hiroshi
    • 依托单位：
      Meijo University
    国内基金
    海外基金
    异质衬底低温AlN缓冲层外延与界面调控机制研究
    • 批准号：
      2026JJ80239
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2026
    • 负责人：
      刘三姐
    • 依托单位：
      湖南理工学院
    离子注入辅助有序化磨削减薄AlN/TiN复合陶瓷静电吸附调控表面纹理创成机理
    • 批准号：
      52505507
    • 项目类别：
      青年科学基金项目（C类）
    • 资助金额：
      30.00万元
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      杨雪
    • 依托单位：
      上海理工大学
    基于自动乳腺超声影像组学的深度学习结合临床特征模型在ALN肿瘤负荷预测中的应用与验证
    • 批准号：
    • 项目类别：
      省市级项目
    • 资助金额：
      --
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      黄德益
    • 依托单位：
    高锰高铝钢冶炼过程中AlN夹杂物生成及演变行为研究
    • 批准号：
      52504349
    • 项目类别：
      青年科学基金项目（C类）
    • 资助金额：
      30.00万元
    • 批准年份：
      2025
    • 负责人：
      储建华
    • 依托单位：
      安徽工业大学