Physics of highly polarized semiconductors and their application to deep ultraviolet light emitting devices

高偏振半导体物理及其在深紫外发光器件中的应用

基本信息

  • 批准号：
    25000011
  • 负责人：
    AMANO Hiroshi
  • 金额：
    $ 233.29万
  • 依托单位：
    Nagoya University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
  • 财政年份：
    2013
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2013 至 2015
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（226）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Challenge for energy savings and energy harvesting by new materials
新材料节能和能量收集的挑战
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    細田憲弘;渡邊隆広;中村俊夫;土屋範芳;丸山　豊・小野寺真一・齋藤光代・北岡豪一;Hua Tong and Hajime Tanaka;天野浩
  • 通讯作者：
    天野浩
Au/Ni触媒を用いた高均一な多層グラフェンCVD成長の成長温度依存
使用 Au/Ni 催化剂的高度均匀多层石墨烯 CVD 生长的生长温度依赖性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    上田悠貴;山田純平;内堀樹;堀部真史;松田晋一;丸山隆浩;成塚重弥
  • 通讯作者：
    成塚重弥
CVD-growth of highly-uniform multilayer graphene using Au/Ni catalyst
使用 Au/Ni 催化剂 CVD 生长高度均匀的多层石墨烯
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yuki Ueda;Junpei Yamada;Itsuka Uchibori;Masashi Horibe;Shinichi Matsuda;Takahiro Maruyama;and Shigeya Naritsuka
  • 通讯作者：
    and Shigeya Naritsuka
Low-pressure microplasma treatment of GaN surface for improvement of reproducibility of micro-scale growth
GaN 表面的低压微等离子体处理可提高微尺度生长的再现性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Yasuhiro Kusakabe;Yuichi Nagatsu;Shogo Suzuki;Shigeya Naritsuka;Takahiro Maruyama;and Kazuo Sshimizu
  • 通讯作者：
    and Kazuo Sshimizu
光電流測定によるLED内部量子効率評価
通过光电流测量评估 LED 内部量子效率
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    宇佐美 茂佳;本田 善央;天野 浩
  • 通讯作者：
    天野 浩
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AlN基板を用いた窒化物半導体新規電子デバイス構造の提案と結晶成長
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    $ 233.29万
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  • 批准号：
    20H02633
  • 财政年份：
    2020
  • 资助金额：
    $ 233.29万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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