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Physics of highly polarized semiconductors and their application to deep ultraviolet light emitting devices

Physics of highly polarized semiconductors and their application to deep ultraviolet light emitting devices
高偏振半导体物理及其在深紫外发光器件中的应用
批准号:
25000011
负责人:
AMANO Hiroshi
金额:
$233.29万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Specially Promoted Research
财政年份:
2013
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2013 至 2015

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DOI: --
发表时间: 2015
期刊:
影响因子: --
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DOI: --
发表时间: 2015
期刊:
影响因子: --
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窒化物半導体発光素子
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DOI: --
发表时间: 2016
期刊:
影响因子: --
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发表时间: 2014
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影响因子: --
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通讯作者: and Takahiro Maruyama
191
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    • 批准号:
      23656015
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额:
      $2.66万
    • 财政年份:
      2011
    • 负责人:
      AMANO Hiroshi
    • 依托单位:
    Growth of high-quality thick InGaN by raised-pressure MOVPE
    • 批准号:
      22246004
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额:
      $31.53万
    • 财政年份:
      2010
    • 负责人:
      AMANO Hiroshi
    • 依托单位:
    Establishment of the farmer support system in use of natural enemies of pests by development of the simple growth chamber
    • 批准号:
      21580062
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额:
      $3.24万
    • 财政年份:
      2009
    • 负责人:
      AMANO Hiroshi
    • 依托单位:
    High-Efficiency Nitride-based Power Devices in the Next Generation
    • 批准号:
      18206036
    • 项目类别:
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额:
      $26.29万
    • 财政年份:
      2006
    • 负责人:
      AMANO Hiroshi
    • 依托单位:
    国内基金
    海外基金
    异质衬底低温AlN缓冲层外延与界面调控机制研究
    • 批准号:
      2026JJ80239
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2026
    • 负责人:
      刘三姐
    • 依托单位:
    基于自动乳腺超声影像组学的深度学习结合临床特征模型在ALN肿瘤负荷预测中的应用与验证
    • 批准号:
    • 项目类别:
      省市级项目
    • 资助金额:
      --
    • 批准年份:
      2025
    • 负责人:
      黄德益
    • 依托单位:
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    高模量高塑性(CNTs+AlN)/AZ91复合材料的制备及性能调控机理研究
    • 批准号:
      52301198
    • 项目类别:
      青年科学基金项目
    • 资助金额:
      30万元
    • 批准年份:
      2023
    • 负责人:
      张斌
    • 依托单位: