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Clarification of Grinding Mechanism of Next Generation Semiconductor Substrates for Minimizing the Damaged Layers Using Nanomachining and Metrology

Clarification of Grinding Mechanism of Next Generation Semiconductor Substrates for Minimizing the Damaged Layers Using Nanomachining and Metrology
利用纳米加工和计量学阐明下一代半导体衬底的研磨机制,以最大限度地减少损坏层
批准号:
23H01311
负责人:
清水 淳
金额:
$12.31万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份:
2023
资助国家:
日本
项目状态:
未结题
起止时间:
2023-04-01 至 2027-03-31

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ナノ加工・計測を駆使したダメージ層を最小化する次世代半導体基板研削機構の解明
  • 批准号:
    23K26006
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 资助金额:
    $4.33万
  • 财政年份:
    2024
  • 负责人:
    清水 淳
  • 依托单位:
掘起し現象のMEMS利用に関する研究
  • 批准号:
    20656028
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 资助金额:
    $2.24万
  • 财政年份:
    2008
  • 负责人:
    清水 淳
  • 依托单位:
Siおよび次世代半導体基板材料の無欠陥加工メカニズムと最適加工環境・条件の解明
  • 批准号:
    17760099
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 资助金额:
    $1.73万
  • 财政年份:
    2005
  • 负责人:
    清水 淳
  • 依托单位:
老齢マウス由来免疫抑制性CD4T細胞の抑制機構解析
  • 批准号:
    16043262
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额:
    $3.78万
  • 财政年份:
    2004
  • 负责人:
    清水 淳
  • 依托单位:
海外基金