Siおよび次世代半導体基板材料の無欠陥加工メカニズムと最適加工環境・条件の解明

阐明硅和下一代半导体衬底材料的无缺陷加工机制以及最佳加工环境和条件

基本信息

  • 批准号:
    17760099
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.73万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2005
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2005 至 2006
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究の目的は、半導体基板の無欠陥加工メカニズムおよびそのための最適加工環境と加工条件を明らかにすることである。手法として、砥粒材質・形状はもとより、加工環境・条件を広範に変化させて検討可能な微視的加工実験およびそれに対応する分子動力学シミュレーションを行なう。平成18年度の検討項目および得られた成果を以下に示す。(1)鋭利なダイヤモンドおよびセリア砥粒を用いたナノ引っかき実験先端半径100nm程度の鋭利なダイヤモンドとセリア砥粒を用い、大気、真空、高温環境下において、主にSi基板を対象としてナノ引っかき実験を行なった。その結果、鋭利なダイヤモンドを用いた場合、環境による引っかき痕の形態に大きな差は見られず,引っかき痕として比較的明確にプローブの形状が転写されることがわかった。すなわち、ダイヤモンド荒加工において加工能率を上げるには、先端の先鋭化が有効であることを明らかにした。セリア砥粒によってナノ引っかきを行った場合、商用的に利用されている化学機械的研磨面と同等な仕上げ面が形成されることを明らかにした。(2)化学作用を模擬した3次元分子動力学シミュレーションH17年度に構築したモデルにおいて、砥粒-Si基板間およびSi表面のSi同士の結合を原子間ポテンシャルパラメータによって制御することにより、物理化学的作用、化学物理的作用を模擬し、Si基板のナノ引っかきの分子動力学シミュレーションを行なった。その結果、砥粒-基板間の接近に伴い、Si基板表面の結合が弱まるポテンシャルを採用したシミュレーションにおいて、加工後の表面欠陥が最小化されることが判明した。この現象は、セリア砥粒によってSi基板をナノ加工した際の実機実験結果と類似している。よって、本シミュレーションの化学作用援用加工現象解明への有効性が示された。
The purpose of this study is to determine the optimal processing environment and processing conditions for semiconductor substrates without defects. The technique is the same, the grain material and shape are the same, and the processing environment and conditions are the same as the standard. It is possible that the processing of microscopic vision is done by Molecular Dynamics. The results of the FY2018 research project are shown below. (1) 鋭利なダイヤモンドおよびセリア砥 Granule いたナノっかき実験 tip radius of approximately 100nm の鋭利なダイヤモンドとセセリア砥を い, large 気, vacuum, high temperature environment において, main にSi substrate を対 resemble としてナノ cited っかき実験を行なった.そのRESULT, 鋭利なダイヤモンドを Use いた occasion, environment による cited っかき Trace の form に大きな difference はSee られず, lead っかき Trace として compare the clear にプローブのshape が転write されることがわかった.すなわち, ダイヤモンドAWA processing efficiency において processing efficiency を上げるには, tip の first 鋭化がeffective であることを明らかにした.セリア砥片によってナノ玣かきを行ったoccasion, commercial use されていThe polishing surface of the chemical machine is the same as the polished surface. (2) Chemical interaction simulation and 3-dimensional molecular dynamics simulation H17 annual constructionたモデルにおいて, abrasive-Si substrate およびSi surface のSi same person のbonding をbetween atoms ポテンシャルパラメータによってcontrolled することにより, the role of physical and chemical, chemical and physical Functional simulation, Si substrate molecular dynamics and molecular dynamics. The results, the closeness between the abrasive and the substrate, and the weak bonding on the surface of the Si substrate are obtained Use the したシミュレーションにおいて, and the surface defects after processing are minimized and the されることが is clearly identified. This phenomenon is similar to the result of the processing of the Si substrate using the Si substrate.よって, this シミュレーションのchemical action refers to the processing phenomenon to explain the effectiveness of への Show された.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
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专利数量(0)
Molecular Dynamics Simulation of Vibration-Assisted Cutting : Influences of Vibration, Acceleration and Velocity
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2005
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    周立波;清水淳;江田弘;木村俊一郎
  • 通讯作者:
    木村俊一郎
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2006
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    高橋裕和;江田 弘;清水 淳
  • 通讯作者:
    清水 淳
Molecular Dynamics Simulation of Friction Process in AFM/FFM Surface Observation
AFM/FFM 表面观察中摩擦过程的分子动力学模拟
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  • 通讯作者:
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