掘起し現象のMEMS利用に関する研究

挖掘现象的MEMS利用研究

基本信息

  • 批准号:
    20656028
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.24万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2008
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2008 至 2009
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本研究では,金属に対するナノ・マイクロ引っかきによって生じる掘起し(塑性盛上り)による極微小隆起細線パターンをナノ電極リソグラフィー用の電極として利用する方法を提案するため,ナノ電極の創成とそれを用いたナノ電極リソグラフィー実験を試みる.本手法によれば,比較的簡便な機械加工法である引っかきにより,比較的高精度でかつ切りくずを生じずに,半導体回路用マスとクレスエッチングパターン製作のためのナノ電極の製造が見込める.H21年度は,以下の内容について検討し,それぞれ以下に示す成果を得た.(1)電極の面積の拡大を図るべく,精密旋盤による高速マイクロ・ナノ引っかき実験を無酸素銅の円板試料に対して実施し,数百nm~数μmのレベルの掘起しがほぼ安定的に創成できること,および加工速度を変化させることによって掘起し高さが制御できることを明らかにした.さらに,引っかき速度が低下するにつれて,掘起し形状・寸法が安定することを明らかにした.ただし,引っかき溝の両縁に均等な高さの掘起しを創成するまでには至らなかった.(2)ナノ電極リソグラフィー用ユニットとシリコン系スピンコート樹脂を活用して,数十~数百nmオーダの般差を施したCMG(化学作用援用研削)により準備した高平坦な単結晶シリコン試験片(5mm角,ピコ秒レーザにて溝創成し割断)に対し,上述の微小引っかきによって得られた電極を用いて,局所陽極酸化実験を行ない,所どころに高さ2~3nmの隆起状の局所陽極酸化パターンが創成できることを確認した.ただし,より平坦な電極試料の準備が重要となることも課題として明らかになった.
In this study, metal particles were found to have small bumps and fine lines, and the electrodes were found to have small bumps and fine lines. This method is a simple and convenient machining method, a high precision machining method, and a semiconductor circuit electrode manufacturing method. In H21, the following contents are discussed, and the following results are obtained. (1)The electrode area is large, the precision rotary disk is high speed, and the acid-free copper plate sample is applied to the process, hundreds of nm~ several μm, and the electrode area is stable. The speed is slow, the shape is stable, and the light is bright. The first step is to open the door and open the door. (2)The use of electrode separation technology is very important for the development of CMG.(Chemical action application grinding) Preparation of high-level flat crystalline silicon test piece (5mm angle, high temperature and high temperature) for the above micro-lead electrode application, local anodization process, high temperature and high temperature 2~3nm, local anodization process. The preparation of flat electrode samples is an important task.

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    山本武幸;周立波;清水淳;溝口高史
  • 通讯作者:
    溝口高史
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2010
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    周立波;光田孝仁;清水淳;田業氷;山本武幸
  • 通讯作者:
    山本武幸
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    J. Shimizu;H. Eda;L. Zhou;H. Okabe;清水淳;尾嶌裕隆;清水淳;清水淳;尾嶌裕隆;清水淳
  • 通讯作者:
    清水淳
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    清水淳;陶久夢高;周立波;山本武幸;青木俊暁
  • 通讯作者:
    青木俊暁
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  • 发表时间:
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  • 影响因子:
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    Etsuji Ohmura;Kazufumi Nomura;Takeshi Monodane;Masayoshi Kumagai;Etsuji Ohmura;植木章太;大村悦二;大村悦二;大村悦二;大村悦二;大村悦二;宮本 勇;K.Nomura et al.;T.Sano et al.;J.Shimizu et al.;E.Ohmura et al.;K.Yamamoto et al.;K.Nomura et al.;K.Nomura et al.;E.Ohmura et al.;K.Nomura et al.;E.Ohmura et al.;M.Kumagai et al.;S.Ueki et al.;E.Ohmura et al.;E.Ohmura;E.Ohmura;E.Ohmura;I.Miyamoto et al.;Etsuji Ohmura;Masayoshi Kumagai;Etsuji Ohmura;大村悦二;野村泰光;Kazufumi Nomura;植木章太;清水 淳;Tomokazu Sano;大村悦二;Tomohiro Okamoto
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  • 发表时间:
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  • 作者:
    Etsuji Ohmura;Kazufumi Nomura;Takeshi Monodane;Masayoshi Kumagai;Etsuji Ohmura;植木章太;大村悦二;大村悦二;大村悦二;大村悦二;大村悦二;宮本 勇;K.Nomura et al.;T.Sano et al.;J.Shimizu et al.;E.Ohmura et al.;K.Yamamoto et al.;K.Nomura et al.;K.Nomura et al.;E.Ohmura et al.;K.Nomura et al.;E.Ohmura et al.;M.Kumagai et al.;S.Ueki et al.;E.Ohmura et al.;E.Ohmura;E.Ohmura;E.Ohmura;I.Miyamoto et al.;Etsuji Ohmura;Masayoshi Kumagai;Etsuji Ohmura;大村悦二;野村泰光;Kazufumi Nomura;植木章太;清水 淳;Tomokazu Sano;大村悦二;Tomohiro Okamoto;Tomokazu Sano;Tomokazu Sano;山本幸司;野口 暁;Etsuji Ohmura;佐野智一;山本幸司;J.Shimizu et al.;T.Sano et al.;E.Ohmura et al.;T.Okamoto et al.;T.Sano et al.;T.Sano et al.;K.Yamamoto et al.;S.Noguchi et al.;Y.Nomura et al.;T.Monodane et al.;E.Ohmura et al.;T.Sano et al.;K.Yamamoto et al.;Tomokazu Sano;野口暁;山本幸司;清水 淳;佐野智一;大村悦二
  • 通讯作者:
    大村悦二
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2004
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Etsuji Ohmura;Kazufumi Nomura;Takeshi Monodane;Masayoshi Kumagai;Etsuji Ohmura;植木章太;大村悦二;大村悦二;大村悦二;大村悦二;大村悦二;宮本 勇;K.Nomura et al.;T.Sano et al.;J.Shimizu et al.;E.Ohmura et al.;K.Yamamoto et al.;K.Nomura et al.;K.Nomura et al.;E.Ohmura et al.;K.Nomura et al.;E.Ohmura et al.;M.Kumagai et al.;S.Ueki et al.;E.Ohmura et al.;E.Ohmura;E.Ohmura;E.Ohmura;I.Miyamoto et al.;Etsuji Ohmura;Masayoshi Kumagai;Etsuji Ohmura;大村悦二;野村泰光;Kazufumi Nomura;植木章太;清水 淳;Tomokazu Sano;大村悦二;Tomohiro Okamoto;Tomokazu Sano;Tomokazu Sano;山本幸司;野口 暁;Etsuji Ohmura;佐野智一;山本幸司;J.Shimizu et al.;T.Sano et al.;E.Ohmura et al.;T.Okamoto et al.;T.Sano et al.;T.Sano et al.;K.Yamamoto et al.;S.Noguchi et al.;Y.Nomura et al.;T.Monodane et al.;E.Ohmura et al.;T.Sano et al.;K.Yamamoto et al.;Tomokazu Sano;野口暁;山本幸司;清水 淳;佐野智一;大村悦二;大村悦二;大村悦二;野村和史;Etsuji Ohmura;Jun Shimizu;Tomokazu Sano;Tomokazu Sano;Etsuji Ohmura;Koji Yamamoto;大村悦二;大村悦二;T.Sano et al.;E.Ohmura et al.;E.Ohmura et al.;E.Ohmura et al.
  • 通讯作者:
    E.Ohmura et al.

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