权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

ナイトライド系化合物半導体の立方晶構造変換ヘテロエピタキシー機構の研究

氮化物半导体立方结构相变异质外延机理研究

基本信息

批准号：
04227211
负责人：
尾鍋研太郎
金额：
$ 1.09万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1992
资助国家：
日本
起止时间：
1992 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-04227211/
关键词：
ナイトライド GaN 立方晶GaN ヘテロエピタキシー構造変換エピタキシー機構 GaAsN GaPN

项目摘要

本年度は、GaAsないしGaP上への立方晶GaNおよび関連の混晶のMOVPE成長と結晶評価を行い、以下の成果を得た。1)GaAs上の不純物添加のない立方晶GaNにおいて、従来困難とされていたp型電気伝導特性を見い出した。再現性およびp型伝導の起源についての検討を進め、結晶粒界などの結晶性状に由来するものとの見通しを得た。2)SiO_2をマスクとして用いたGaAs上の5μm平方の微小領域への立方晶GaNのMOVPE成長において、単結晶領域のサイズが基板全面への通常の成長の場合に比べて数倍程度大きくなることを見い出した。3)立方晶GaN/GaAs界面の高分解能透過型電子顕微鏡による直接観察により、界面が(100)B面より成ること、また界面に直接接してほとんど無歪みの立方晶GaNが形成されているなどの界面微構造を明らかにした。4)GaAsおよびGaP上にGaAsNおよびGaPN混晶のMOVPE成長を行い、GaAsNにおいて最大N濃度0.5%、GaPNにおいて同2.9%の混晶を得ることに成功した。またフォトルミネッセンスにより発光ピークエネルギーがN濃度の増加により長波長化することを見い出した。またラマン分光により混晶の結晶性評価を行い、混晶化によるラマンシフトを見い出した。以上によりGaNにおける立方晶構造変換ヘテロエピタキシーの基本的特性が明らかになり、結晶成長機構を解明する上での有力な知見を得た。

During the year, the following results were obtained from MOVPE growth and crystallization evaluation of cubic GaN on GaAs and GaP. 1) Impurities added to GaAs and cubic GaN are difficult to obtain and p-type conductivity characteristics are revealed. The origin of reproducibility and p-type conductivity is discussed, and the origin of crystalline properties is discussed. 2) The MOVPE growth of cubic GaN in the 5μm square micro-domain on GaAs with SiO_2 is several times larger than that in the case of normal growth in the 5μm square micro-domain on GaAs. 3)High resolution energy transmission electron microscope for cubic GaN/GaAs interface directly detects the formation of (100) B-plane, and the formation of interface microstructure for cubic GaN without distortion. 4)GaAs and GaP on GaAsN and GaPN mixed crystal MOVPE growth process, GaAsN maximum N concentration of 0.5%, GaPN maximum N concentration of 2.9% mixed crystal obtained successfully. For example, if the concentration of N increases, the wavelength of N increases, and the wavelength of N increases, the wavelength of N increases. The crystallization of mixed crystals was evaluated by spectroscopic methods. The basic characteristics of GaN crystal structure transformation are discussed in detail.