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ファンデルワ-ルス・エピタキシ-法による人工準結晶の作成とその物性の解明

通过范德华外延法制造人造准晶体并阐明其物理性质

基本信息

批准号：
01630503
负责人：
小間篤
金额：
$ 2.56万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1989
资助国家：
日本
起止时间：
1989 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

膜厚をフィルボナッチ数列に従って変化させ、一次元の準結晶構造を作成するためには、原子層レベルで平担で充分な強度を持った基板物質の深索が不可欠である。本年度は一次元準結晶構造の構成物質と考えている層状構造遷移金属ダイカルコゲナイド(MX_2)のエピタキシャル成長に適切な基板の探索に重点を置いた。白雲母(muscovite)は天然に産出する鉱物で、表面の平担さおよび物理的な安定性は充分である。また層状構造であるため劈開面上にはダングリングボンドは現れず、同様な層状構造のMX_2のエピタキシャル基板として適していると考えられる。雲母劈開面を基板としてその上にMX_2の成長をおこなうと、成長層の厚さが5〜6層までは層状成長が確認され、RHEEDで観測した成長膜の結晶性も良好であった。しかし、膜厚がそれ以上の領域では、面内に30度回転した領域が現れ結晶性が低下することが明らかになった。次に、硫化物処理し表面を不活性化したGaAs基板上への成長を試みた。その結果、膜厚が10nm程度まで結晶性の良いMX_2膜がエピタキシャル成長することが確認できた。本年度の経費で購入した高圧電源および直流安定化電源を用い、複数の電子衝撃型蒸発源から高融点金属NbおよびMoを蒸発させ、異種のMX_2から成る積層構造(NbSe2/MoSe2/NbSe2)を硫化物処理したGaAs基板上に作成することにも成功し、MX_2を構成物質とした1次元準結晶構造の作成への道が拓かれた。一方、3次元結晶構造ではあるが、表面が不活性なアルカリハライドを構成物質とする1次元準結晶構造の作成を開始し、エピタキシャル条件などの基礎的なデ-タの集積をおこなった。

The thickness of the film is determined by the number of layers, and the number of layers. This year, the research on the constituent materials of one-dimensional quasicrystal structure and the exploration of appropriate substrates for the migration of layered structure metals (MX_2) are emphasized. Muscovite is a natural product, and its surface stability is sufficient. A study of the structure of MX_2 and the substrate of MX_2 MX_2 growth on mica cleavage surface was confirmed to be 5 ~ 6 layers thick, and the crystallinity of the growth film was good. The film thickness is higher than 30 degrees in the surface, and the crystallinity is lower than that in the surface. Second, sulfide treatment and surface inactivation of GaAs substrate growth test As a result, the film thickness is about 10nm, and the crystallinity of MX_2 film is good. This year, we purchased high-voltage power supplies and DC stabilized power supplies, a plurality of electron impact evaporation sources, high-melting point metal Nb and Mo evaporation, heterogeneous MX_2, multilayer structure (NbSe2/MoSe2/NbSe2), sulfide treatment, GaAs substrate production, MX_2, constituent materials, and 1-dimensional quasicrystal structure production. The first and third dimensional crystal structures are composed of inactive materials on the surface, and the first dimensional quasi-crystal structures are composed of active materials on the surface.