课题基金 / 基金详情

ファンデルワ-ルス・エピタキシ-法による人工準結晶の作成とその物性の解明

ファンデルワ-ルス・エピタキシ-法による人工準結晶の作成とその物性の解明
通过范德华外延法制造人造准晶体并阐明其物理性质
批准号：
01630503
负责人：
小間 篤
金额：
$2.56万
依托单位：
The University of Tokyo
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1989
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1989 至 --
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-01630503/
关键词：
人工一次元準結晶硫化物処理雲母劈開面ファンデルワ-ルスエピタキシ-アルカリハライド

项目摘要

项目成果

小間 篤的其他基金

相关文献

中文摘要
翻译
膜厚をフィルボナッチ数列に従って変化させ、一次元の準結晶構造を作成するためには、原子層レベルで平担で充分な強度を持った基板物質の深索が不可欠である。本年度は一次元準結晶構造の構成物質と考えている層状構造遷移金属ダイカルコゲナイド(MX_2)のエピタキシャル成長に適切な基板の探索に重点を置いた。白雲母(muscovite)は天然に産出する鉱物で、表面の平担さおよび物理的な安定性は充分である。また層状構造であるため劈開面上にはダングリングボンドは現れず、同様な層状構造のMX_2のエピタキシャル基板として適していると考えられる。雲母劈開面を基板としてその上にMX_2の成長をおこなうと、成長層の厚さが5〜6層までは層状成長が確認され、RHEEDで観測した成長膜の結晶性も良好であった。しかし、膜厚がそれ以上の領域では、面内に30度回転した領域が現れ結晶性が低下することが明らかになった。次に、硫化物処理し表面を不活性化したGaAs基板上への成長を試みた。その結果、膜厚が10nm程度まで結晶性の良いMX_2膜がエピタキシャル成長することが確認できた。本年度の経費で購入した高圧電源および直流安定化電源を用い、複数の電子衝撃型蒸発源から高融点金属NbおよびMoを蒸発させ、異種のMX_2から成る積層構造(NbSe2/MoSe2/NbSe2)を硫化物処理したGaAs基板上に作成することにも成功し、MX_2を構成物質とした1次元準結晶構造の作成への道が拓かれた。一方、3次元結晶構造ではあるが、表面が不活性なアルカリハライドを構成物質とする1次元準結晶構造の作成を開始し、エピタキシャル条件などの基礎的なデ-タの集積をおこなった。
英文摘要
膜厚をフィルボナッチ数列に従って変化させ、一次元の準結晶構造を作成するためには、原子層レベルで平担で充分な強度を持った基板物質の深索が不可欠である。本年度は一次元準結晶構造の構成物質と考えている層状構造遷移金属ダイカルコゲナイド(MX_2)のエピタキシャル成長に適切な基板の探索に重点を置いた。白雲母(muscovite)は天然に産出する鉱物で、表面の平担さおよび物理的な安定性は充分である。また層状構造であるため劈開面上にはダングリングボンドは現れず、同様な層状構造のMX_2のエピタキシャル基板として適していると考えられる。雲母劈開面を基板としてその上にMX_2の成長をおこなうと、成長層の厚さが5〜6層までは層状成長が確認され、RHEEDで観測した成長膜の結晶性も良好であった。しかし、膜厚がそれ以上の領域では、面内に30度回転した領域が現れ結晶性が低下することが明らかになった。次に、硫化物処理し表面を不活性化したGaAs基板上への成長を試みた。その結果、膜厚が10nm程度まで結晶性の良いMX_2膜がエピタキシャル成長することが確認できた。本年度の経費で購入した高圧電源および直流安定化電源を用い、複数の電子衝撃型蒸発源から高融点金属NbおよびMoを蒸発させ、異種のMX_2から成る積層構造(NbSe2/MoSe2/NbSe2)を硫化物処理したGaAs基板上に作成することにも成功し、MX_2を構成物質とした1次元準結晶構造の作成への道が拓かれた。一方、3次元結晶構造ではあるが、表面が不活性なアルカリハライドを構成物質とする1次元準結晶構造の作成を開始し、エピタキシャル条件などの基礎的なデ-タの集積をおこなった。
期刊论文(10)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
A.Koma: "Heteroepitaxy of a Two-Dimensional Material on a Three-Dimensional Material" Applied Surface Science. 41/42. 451-456 (1989)
A.Koma：“二维材料在三维材料上的异质外延”应用表面科学。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
K.Ueno: "Heteroepitaxial Growth of Layered Transition Metal Dichalcogenides on Sulfur-terminated GaAs" Applied Physics Letters.
K.Ueno：“层状过渡金属二硫化物在硫封端的 GaAs 上的异质外延生长”应用物理快报。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
A.Koma: "Van der Waals Epitary" Proceeding of 1st International Conference of Electronic Materials. 105-110 (1989)
A.Koma：第一届国际电子材料会议“范德华外延”论文集。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
K.Saiki: "Application of van der Waals Epitaxy to Highly Heterogeneous Systems" Journal of Crystal Growth. 95. 603-606 (1989)
K.Saiki：“范德华外延在高度异质系统中的应用”晶体生长杂志。
DOI： --
发表时间：
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
フラーレンおよびその化合物のヘテロ構造化による新物性の探求
  • 批准号：
    11165212
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
  • 资助金额：
    $2.37万
  • 财政年份：
    1999
  • 负责人：
    小間 篤
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
ヘテロ素構造の高次組織化による新機能発現
  • 批准号：
    07241102
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $65.15万
  • 财政年份：
    1995
  • 负责人：
    小間 篤
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
ファンデアワールス・エピタキシ-法によるフラーレン超薄膜の作製とのその物性の解明
  • 批准号：
    06224206
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.09万
  • 财政年份：
    1994
  • 负责人：
    小間 篤
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
原子モアレ変調構造の走査トンネル分光
  • 批准号：
    06236204
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 资助金额：
    $1.47万
  • 财政年份：
    1994
  • 负责人：
    小間 篤
  • 依托单位：
    The University of Tokyo