ヘテロ素構造の高次組織化による新機能発現

通过异构结构的高阶组织表达新功能

基本信息

  • 批准号:
    07241102
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 65.15万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1995
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1995 至 1997
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本年度得られた研究成果は以下のようなものである。1.層状物質のヘテロ構造を利用した有機ナノ構造の作製,ならびに異種のアルカリハライド基板上への選択成長性を利用した有機パタ-ニングの手法の確立が図られた。これらの手法の確立により,三次元方向に原子レベル制御した有機ヘテロ構造を構築する道が拓かれた。2.近接場光学顕微鏡を試作する段階で、probe tipから放射される光は近接場の性格を持っているが、通常の遠視野観察では、高いFourier成分が失われるために、細かい空間情報が効率良く取り込めていないことが分かった。そこで、このような成分を測定するために、遠視野で「禁制光」となる光を収集できる近接場光学顕微鏡を設計、試作、稼働させた。これによって、遠視野での背景雑音無しに近接場の情報のみを見ることが可能になった。3.導波モード薄膜の光誘起複素屈折率変化に基づく新しい全光空間変調の応答特性に及ぼす膜厚の分布など種々の因子を解析し、銅フタロシアニンを含む高分子薄膜でナノ秒パルスレーザー励起によりマイクロ秒以下の時定数で繰り返し応答を実現し、3桁以上の高速化が可能になった。4.超高真空中で、シリコン単結晶基板上にC_<60>を一分子層(1nm)蒸着し,その上にRbを0.3nm蒸着したRb_xC_<60>錯体薄膜を走査型トンネル顕微鏡を用いてその場観察することに成功した。錯体膜中のある場所にC_<60>ダイマーとRbの共存するSTM像が認められ、その部分はRb_1C_<60>構造をとっていると思われる。
The following research results were obtained this year. 1. The structure of the layered material is produced using the organic structure of the material, and the different types of materials are used. The selection and growth properties of the ハライド substrate are established using the organic パタ-ニングの technique. The これらのtechnique is established, the three-dimensional direction is atomic and controlled, and the organic structure is constructed and constructed. 2.Prototype and prototype of near-field optical micromirrors tip からradiation される光は close field のcharacter をhold っているが, normal far field Observation では, high いFou The rier component is good, the efficiency is good, the space intelligence is fine, the efficiency is good, and the efficiency is good.そこで, このようなComponent measurement するために, far field で "forbidden light" となるlight を collection できる near-field optical micromirror を design, trial production, harvesting させた.これによって、Far sight でのBackground 雑音无しにClose field のInformation のみを见ることがpossible になった. 3. The light-induced complex refractive index change of the waveguide film is based on the new all-optical spatial adjustment and the response characteristics and film thickness distribution are analyzed and the copper filter is used. Polymer film containing polymer film The timing of the next trip is fixed and the return speed is high. It is not possible to speed up the trip with more than 3 beams. 4. One molecule layer (1nm) of C_<60> is evaporated on a solid crystal substrate in ultra-high vacuum, and Rb0.3 is evaporated on it. nm steamed したRb_xC_<60> The inspection type トンネル顕microscope of the wrong body film has been successfully used for the いてそのfield observation and することに.のあるplaceにC_<60>ダイマーとRbのcoexistenceするSTMimageが in the body film Recognize められ、そのpartはRb_1C_<60> Structure をとっていると思われる.

项目成果

期刊论文数量(33)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Nagamura: "Ultrafast Photon-mode Recording and Switching by Photoinduced Electron Transfer" Pure Appl.Chem.(in print).
T.Nagamura:“通过光诱导电子转移进行超快光子模式记录和切换”Pure Appl.Chem.(印刷中)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Nagamura: "Firt Ion-Pair Charge-Transfer Complex Showing Electronic Absorption with Well-Rosolved Vibrational Structure in Solution" Chem.Phys.Lett.238. 353-358 (1995)
T.Nagamura:“第一个离子对电荷转移复合物在溶液中显示出电子吸收和良好溶解的振动结构”Chem.Phys.Lett.238。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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K.Miyano:“Langmuir-Blodgett 薄膜的光学:二维系统是否独特?”
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
A.Suzuki: "“Patterning of epitaxial organic films by selective epitaxial growth."" Jpn.J.Appl.Phys.35. 254-257 (1996)
A.Suzuki:“通过选择性外延生长形成外延有机薄膜的图案。”Jpn.J.Appl.Phys.35 (1996)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
E.Frankevich: "“Laser pulse induced transient photoconductivity of C_<70> Single Crystal."" J.Phys.Chem.Solid. 57. 483-494 (1996)
E. Frankevich:“C_<70> 单晶的激光脉冲诱导瞬态光电导。”J.Phys.Chem.Solid. 57. 483-494 (1996)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
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    {{ item.doi }}
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    {{ item.publish_year }}
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  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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