ヘテロ素構造の高次組織化による新機能発現

通过异构结构的高阶组织表达新功能

基本信息

  • 批准号:
    07241102
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 65.15万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
  • 财政年份:
    1995
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1995 至 1997
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

本年度得られた研究成果は以下のようなものである。1.層状物質のヘテロ構造を利用した有機ナノ構造の作製,ならびに異種のアルカリハライド基板上への選択成長性を利用した有機パタ-ニングの手法の確立が図られた。これらの手法の確立により,三次元方向に原子レベル制御した有機ヘテロ構造を構築する道が拓かれた。2.近接場光学顕微鏡を試作する段階で、probe tipから放射される光は近接場の性格を持っているが、通常の遠視野観察では、高いFourier成分が失われるために、細かい空間情報が効率良く取り込めていないことが分かった。そこで、このような成分を測定するために、遠視野で「禁制光」となる光を収集できる近接場光学顕微鏡を設計、試作、稼働させた。これによって、遠視野での背景雑音無しに近接場の情報のみを見ることが可能になった。3.導波モード薄膜の光誘起複素屈折率変化に基づく新しい全光空間変調の応答特性に及ぼす膜厚の分布など種々の因子を解析し、銅フタロシアニンを含む高分子薄膜でナノ秒パルスレーザー励起によりマイクロ秒以下の時定数で繰り返し応答を実現し、3桁以上の高速化が可能になった。4.超高真空中で、シリコン単結晶基板上にC_<60>を一分子層(1nm)蒸着し,その上にRbを0.3nm蒸着したRb_xC_<60>錯体薄膜を走査型トンネル顕微鏡を用いてその場観察することに成功した。錯体膜中のある場所にC_<60>ダイマーとRbの共存するSTM像が認められ、その部分はRb_1C_<60>構造をとっていると思われる。
The られた research achievements of this year are as follows: ような ような である である である. 1. Layered material の ヘ テ ロ constructing を using し た organic ナ ノ の cropping structure, な ら び に heterogeneous の ア ル カ リ ハ ラ イ ド substrate へ の sentaku growth を using し た organic パ タ - ニ ン グ の gimmick の establish が 図 ら れ た. こ れ ら の gimmick の establish に よ り, three dimensional direction に atomic レ ベ ル suppression し た organic ヘ テ を ロ structure constructing す る way が billiton か れ た. 2. Nearly meet field optical 顕 micromirror を attempt す る Duan Jie で, the probe tip か ら radiation さ れ る light は を hold nearly meet の character っ て い る が, usually の far horizons 観 examine で は, high い Fourier components が lost わ れ る た め に, fine か い space intelligence が sharper rate take good く り 込 め て い な い こ と が points か っ た. そ こ で, こ の よ う な を determing す る た め に, far horizons で "banned light" と な る light を 収 set で き る near field optical 顕 micro mirror を design, test, grain 働 さ せ た. Youdaoplaceholder2 れによって, far-field で で <s:1> background 雑 no <s:1> に near field <s:1> intelligence みを みを see る とが とが possible になった. 3. The guided wave モ ー ド film の light up element inflectional lure rate - the に base づ く new し い whole space - light tones の 応 a characteristic に and ぼ す film thickness distribution な の ど kind 々 の factor analytical し を, copper フ タ ロ シ ア ニ ン を containing む polymer film で ナ ノ seconds パ ル ス レ ー ザ ー wound up に よ り マ イ ク ロ seconds when the following の destiny で Qiao り return し 応 answer を be し now, more than 3 girder の is high Accelerate が possibly になった. 4. で in ultra high vacuum, シ リ コ ン 単 crystal substrate に C_ < > 60 を a molecular layer (1 nm) steamed し, そ の に Rb を 0.3 nm on steamed し た Rb_xC_ < > 60 misprinted film を walkthrough type ト ン ネ ル 顕 micromirror を with い て そ の field 観 examine す る こ と に successful し た. Misprinted membrane in の あ る places に C_ < > 60 ダ イ マ ー と Rb の coexistence す る STM as が recognize め ら れ, そ の part は Rb_1C_ < > 60 tectonic を と っ て い る と think わ れ る.

项目成果

期刊论文数量(33)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
T.Nagamura: "Ultrafast Photon-mode Recording and Switching by Photoinduced Electron Transfer" Pure Appl.Chem.(in print).
T.Nagamura:“通过光诱导电子转移进行超快光子模式记录和切换”Pure Appl.Chem.(印刷中)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
T.Nagamura: "Firt Ion-Pair Charge-Transfer Complex Showing Electronic Absorption with Well-Rosolved Vibrational Structure in Solution" Chem.Phys.Lett.238. 353-358 (1995)
T.Nagamura:“第一个离子对电荷转移复合物在溶液中显示出电子吸收和良好溶解的振动结构”Chem.Phys.Lett.238。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
K.Miyano: "Optics of Langmuir-Blodgett Films:Are Two-Dimensional Systems Unique?" Appl.Surf.Sci.113/114. 299-303 (1997)
K.Miyano:“Langmuir-Blodgett 薄膜的光学:二维系统是否独特?”
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
A.Suzuki: "“Patterning of epitaxial organic films by selective epitaxial growth."" Jpn.J.Appl.Phys.35. 254-257 (1996)
A.Suzuki:“通过选择性外延生长形成外延有机薄膜的图案。”Jpn.J.Appl.Phys.35 (1996)。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
E.Frankevich: "“Laser pulse induced transient photoconductivity of C_<70> Single Crystal."" J.Phys.Chem.Solid. 57. 483-494 (1996)
E. Frankevich:“C_<70> 单晶的激光脉冲诱导瞬态光电导。”J.Phys.Chem.Solid. 57. 483-494 (1996)
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

小間 篤其他文献

小間 篤的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

{{ truncateString('小間 篤', 18)}}的其他基金

フラーレンおよびその化合物のヘテロ構造化による新物性の探求
通过异质结构富勒烯及其化合物探索新的物理性质
  • 批准号:
    11165212
  • 财政年份:
    1999
  • 资助金额:
    $ 65.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
ファンデアワールス・エピタキシ-法によるフラーレン超薄膜の作製とのその物性の解明
范德华外延法制备超薄富勒烯薄膜并阐明其物理性能
  • 批准号:
    06224206
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 65.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
原子モアレ変調構造の走査トンネル分光
原子莫尔调制结构的扫描隧道光谱
  • 批准号:
    06236204
  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 65.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
原子モアレ変調構造の走査トンネル分光
原子莫尔调制结构的扫描隧道光谱
  • 批准号:
    05245203
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 65.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
ファンデアワールス相互作用によるヘテロエピタキシャル成長と界面構造の解明
阐明范德华相互作用引起的异质外延生长和界面结构
  • 批准号:
    05211206
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 65.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
ファンデアワールス・エピタキシー法によるフラーレン超薄膜の作製とその物性の解明
范德华外延法制备超薄富勒烯薄膜并阐明其物理性能
  • 批准号:
    05233208
  • 财政年份:
    1993
  • 资助金额:
    $ 65.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
層状物質を用いた生層-半導体ヘテロ構造の作成とその特性の解明
使用层状材料创建生物层-半导体异质结构并阐明其特性
  • 批准号:
    01650511
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 65.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
ファンデルワ-ルス・エピタキシ-法による人工準結晶の作成とその物性の解明
通过范德华外延法制造人造准晶体并阐明其物理性质
  • 批准号:
    01630503
  • 财政年份:
    1989
  • 资助金额:
    $ 65.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
フアン・デルワールスエピタキシー法による人工準結晶の作成とその物性の解明
使用胡安德华外延法制造人造准晶体并阐明其物理性质
  • 批准号:
    63630503
  • 财政年份:
    1988
  • 资助金额:
    $ 65.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
ファンデルワ-ルス界面を利用した単結晶超薄膜の作成とその精密物性の解明
使用范德华界面创建单晶超薄膜并阐明其精确的物理性质
  • 批准号:
    63420021
  • 财政年份:
    1988
  • 资助金额:
    $ 65.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)

相似海外基金

Cell membrane-targeting proteoglycan chimeras as selective growth factor signaling actuators
作为选择性生长因子信号传导执行器的细胞膜靶向蛋白聚糖嵌合体
  • 批准号:
    10588085
  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 65.15万
  • 项目类别:
Application of Bottom-Up Selective Growth Technology to Hybrid Bonding
自下而上选择性生长技术在混合键合中的应用
  • 批准号:
    21K20426
  • 财政年份:
    2021
  • 资助金额:
    $ 65.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
III-As/Sbナノワイヤヘテロ構造選択成長と立体集積回路応用に関する研究
三-As/Sb纳米线异质结构选择性生长及其在三维集成电路中的应用研究
  • 批准号:
    20J20578
  • 财政年份:
    2020
  • 资助金额:
    $ 65.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Selective growth inhibition of Streptococcus mutans by antisense peptide nucleic acid
反义肽核酸对变形链球菌的选择性生长抑制
  • 批准号:
    19K24083
  • 财政年份:
    2019
  • 资助金额:
    $ 65.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
Selective growth of ultra-long grain in metal thin film for microelectronic application
微电子应用金属薄膜中超长晶粒的选择性生长
  • 批准号:
    18K14139
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 65.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Integrated Selective Growth of Diamond and GaN for Maximum Heat Extraction from Electronic Devices
金刚石和 GaN 的集成选择性生长可最大限度地从电子设备中提取热量
  • 批准号:
    1810419
  • 财政年份:
    2018
  • 资助金额:
    $ 65.15万
  • 项目类别:
    Standard Grant
選択成長法による反りのない高品質ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の作製
选择性生长法制备高质量无翘曲异质外延金刚石基片
  • 批准号:
    17K06800
  • 财政年份:
    2017
  • 资助金额:
    $ 65.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
超高速MOSFET実現に向けたゲルマニウムスズ選択成長および局所歪技術の確立
建立用于实现超高速MOSFET的锗锡选择性生长和局部应变技术
  • 批准号:
    14J10705
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 65.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
有機金属気相選択成長法による化合物半導体ナノワイヤのナノ発光素子応用
有机金属气相选择性生长法化合物半导体纳米线在纳米发光器件中的应用
  • 批准号:
    13J01918
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 65.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
有機金属気相選択成長法による異種基板上への半導体ナノワイヤ形成と発光デバイス応用
使用有机金属气相选择性生长方法在异质基底上形成半导体纳米线及其在发光器件中的应用
  • 批准号:
    12J01477
  • 财政年份:
    2012
  • 资助金额:
    $ 65.15万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了