磁界によるイオン・ラジカルの生成・輸送・成膜制御
使用磁场控制离子/自由基的产生、传输和成膜
基本信息
- 批准号:02214225
- 负责人:
- 金额:$ 1.79万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1990
- 资助国家:日本
- 起止时间:1990 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究ではSiH_4ガスを用いたプラズマCVD法において、プロセスの最終結果として形成される水素化アモルファスシリコン膜の膜厚や膜質の分布と磁界によって制御されたプラズマや一次反応生成物(SiHやHなどの発光種)の基板近傍での空間分布を対比させることにより、測定の困難な二次反応生成物の振舞いに関する知見を得ることを目的とする。研究は主に以下の3項目に分けて行った。<1.イオン・ラジカルの生成制御>___ー 電子密度の高い負グロ-領域に加え、陰域シ-ス内でもSiHが形成されていることがわかった。また、陰域降下電圧が高くなるとむしろ前者よりも後者での発光が強いことやHαの発光がこの陰域シ-ス中で主に起こることなどから、発光のメカニズムは、陰域から放出されシ-ス電界によって加速された高エネルギ-γ電子の衝突による励起発光が主であるとの結論を得た。これによりラジカル生成やPowder形成においてシ-ス中のγ電子の重要性が示唆された。<2.イオン・ラジカルの運送制御>___ー 走査プラズマ法などの新しい反応性プラズマの制御法に関連するクロスフィ-ルド磁界中におけるE×B方向のプラズマ輸送の現象を調べた。この輸送効果を理論的ならびに実験的に調べ、輸送される粒子束や輸送速度を定量化した。この研究により弱いクロスフィ-ルド磁界を印加したCVDプラズマ中では、電子のみが磁化されるため両極性拡散的なE×Bドリフトでプラズマが輸送されることがわかった。<3.成膜制御>___ー SiH・発光分布とアモルファスシリコン膜厚および膜質分布の対応から、SiH・分布よりも広い膜厚分布となることが示され、より長寿命のラジカルの成膜への寄与が示唆された。また、変調クロスフィ-ルド磁界を用いた走査プラズマ法の装置設計に必要な3つの一般化された膜厚均一化条件が得られた。
In this study, the SiH_4 system was used to determine the thickness of the film, the film thickness, the film thickness Determine the secondary product of the trap, the vibration, the dance, the knowledge, the purpose, the purpose. Study the following 3 items in the main line. & lt;1. The generation and control of the gt;___ electronic density equipment-the increase in the field, and the generation of the SiH in the domain. After lowering the power supply and the power supply of the power plant, the power supply of the former leads to the emission of the light intensity of the H α light source. In the middle of the cycle, the main engine starts the emission of the power supply, the emission of the power supply, the acceleration of the engine, the acceleration of the camera, the gamma-ray generator, and the excitation of the main engine of the light. The importance of the gamma electrons in the production of the Powder is very important. & lt;2. In the magnetic field, the direction of E × B is in the direction of E × B, and the direction of the magnetic field is in the direction of E × B. In the theory of fruit delivery, the speed of delivery is quantified in terms of delivery speed. The purpose of this paper is to study the influence of the magnetic field on the magnetization of the CVD system, the magnetization of the electronic system, the effect of the magnetic field, the magnetic field. & lt;3. Gt;___ SiH photoluminescence distribution, film thickness distribution, film thickness distribution, SiH distribution, film thickness, film thickness, film thickness and film thickness. In the magnetic field, the device is designed to make it necessary to generalize the film thickness uniformity condition.
项目成果
期刊论文数量(14)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
川崎 仁晴、松田 良信、藤山 寛: "SiH_4プラズマにおける陰極シ-ス内の発光機構" 電気学会研究会資料プラズマ研究会. EPー91ー1. 11-20 (1991)
Hitoshiharu Kawasaki、Yoshinobu Matsuda、Hiroshi Fujiyama:“SiH_4 等离子体中阴极鞘内的光发射机制”IEEJ 研究组材料等离子体研究组 (1991)。
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- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
H.Kawasaki,Y.Matsuda and H.Fujiyama: "TwoーDimensional Profile of Enissive Species in a Magnetized SiH_4/Ar Glow Discharge for Scanning Plasma CVD Method" IEEE Plasma Science. (1991)
H. Kawasaki、Y. Matsuda 和 H. Fujiyama:“用于扫描等离子体 CVD 方法的磁化 SiH_4/Ar 辉光放电中的二维剖面”IEEE 等离子体科学 (1991)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
H.Kawasaki,Y.Matsuda,H.Fujiyama: "Preparing of LargeーArea Uniform Thin Film Using a Modulated Cross Magnetic Field" Proc.of the 8th Symposium on Plasma Processing. 185-188 (1991)
H. Kawasaki、Y. Matsuda、H. Fujiyama:“利用调制交叉磁场制备大面积均匀薄膜”第 8 届等离子体处理研讨会论文集 (1991)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
H.Kawasaki,Y.Matsuda and H.Fujiyma: "Preparation of Uniform aーSi:H Thin Films Using Averaging Effect of Scanning Plasma CVD" Applied Physics Letters.
H. Kawasaki、Y. Matsuda 和 H. Fujiyma:“利用扫描等离子体 CVD 的平均效应制备均匀的 a-Si:H 薄膜”应用物理快报。
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- 发表时间:
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- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
H.Fujiyama,H.Kawasaki,K.Kuwahara and Y.Matsuda: "Development of New Production Technique for 2m^2 Amorphous Silicon Solar Cell" Proc.of Fukuoka International Symposium on Global Environment and Energy Issues,. 181-182 (1990)
H.Fujiyama、H.Kawasaki、K.Kuwahara 和 Y.Matsuda:“2m^2 非晶硅太阳能电池新生产技术的开发”福冈全球环境与能源问题国际研讨会论文集。
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