磁界中マイクロ波による低気圧マイクロプラズマの生成と診断
磁界中マイクロ波による低気圧マイクロプラズマの生成と診断
批准号:
16040214
负责人:
藤山 寛
金额:
$3.2万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
2004
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2004 至 2005
中文摘要
本研究は,低気圧,短ギャップ条件下における新たなマイクロプラズマ源の開発およびその診断を目的として研究を行った.固体壁に囲まれた小さな閉空間プラズマでは,放電そのものが固体壁の影響を強く受けるのみならず,壁の状態がプラズマパラメータにフィードバックされる.プラズマが生成され始める磁界(放電開始磁界)を測定した結果,ECRおよび2^<nd> Harmonic ECR条件付近の磁界を印加したときに放電が開始する傾向が確認され,同軸型低気圧マイクロプラズマの生成を行うにあたり,ECR共鳴および2^<nd> Harmonic ECRの高次の共鳴が有効であることが確認された.また,プローブ測定,発光分光測定により,電子軌道の収縮に起因していると考えられる2^<nd> Harmonic ECR条件付近での電子密度,発光強度の増加が確認された.さらに,磁界配位を一様磁界からミラー磁界へと変更することにより,電子密度の増加が確認された.これは電子の軸方向の閉じ込め効果が効いているものと考えられる.二次電子放出係数の高いMgO電極壁を有する閉空間マイクロプラズマでは,2^<nd> Harmonic ECR条件で電子密度が最大,ECR条件で電子密度が最小となる結果が得られた.これはSUS電極と定性的に同じ結果である.しかしながら,壁との相互作用が激しいRCR条件でのマイクロプラズマは,壁の影響を強く受けて電子密度の増加率が最大となるという興味ある結果が得られた.この考察を裏付けるように,電子の閉じ込めの良い2^<nd> Harmonic ECR条件付近では,SUS電極をMgO電極に代えても電子密度がほとんど変化しない結果となった.また,二次電子放出係数を変化させて行われたPIC-MCシミュレーションの結果から,プローブ法及び発光分光法を用いたプラズマパラメータ診断の実験結果とシミュレーション結果が定性的に一致していることが確認された
英文摘要
本研究は,低気圧,短ギャップ条件下における新たなマイクロプラズマ源の開発およびその診断を目的として研究を行った.固体壁に囲まれた小さな閉空間プラズマでは,放電そのものが固体壁の影響を強く受けるのみならず,壁の状態がプラズマパラメータにフィードバックされる.プラズマが生成され始める磁界(放電開始磁界)を測定した結果,ECRおよび2^<nd> Harmonic ECR条件付近の磁界を印加したときに放電が開始する傾向が確認され,同軸型低気圧マイクロプラズマの生成を行うにあたり,ECR共鳴および2^<nd> Harmonic ECRの高次の共鳴が有効であることが確認された.また,プローブ測定,発光分光測定により,電子軌道の収縮に起因していると考えられる2^<nd> Harmonic ECR条件付近での電子密度,発光強度の増加が確認された.さらに,磁界配位を一様磁界からミラー磁界へと変更することにより,電子密度の増加が確認された.これは電子の軸方向の閉じ込め効果が効いているものと考えられる.二次電子放出係数の高いMgO電極壁を有する閉空間マイクロプラズマでは,2^<nd> Harmonic ECR条件で電子密度が最大,ECR条件で電子密度が最小となる結果が得られた.これはSUS電極と定性的に同じ結果である.しかしながら,壁との相互作用が激しいRCR条件でのマイクロプラズマは,壁の影響を強く受けて電子密度の増加率が最大となるという興味ある結果が得られた.この考察を裏付けるように,電子の閉じ込めの良い2^<nd> Harmonic ECR条件付近では,SUS電極をMgO電極に代えても電子密度がほとんど変化しない結果となった.また,二次電子放出係数を変化させて行われたPIC-MCシミュレーションの結果から,プローブ法及び発光分光法を用いたプラズマパラメータ診断の実験結果とシミュレーション結果が定性的に一致していることが確認された
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Low-Pressure Micro Plasma Generation using Microwave in a Magnetic Field,
在磁场中使用微波产生低压微等离子体,
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
Proc.5th Asian-European Int.Conf.on Plasma Surface Engineering
影响因子:
--
作者:
[Y.Furue, D.Kurogi, H.Inoue, H.Fujiyama]
通讯作者:
H.Fujiyama
Characteristics of the 2nd Harmonic ECR Micro Plasma by using PIC-MC Simulation
使用 PIC-MC 模拟二次谐波 ECR 微等离子体的特性
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
Proc.5th Asian-European Int.Conf.on Plasma Surface Engineering
影响因子:
--
作者:
[D.Kurogil, Y.Matsuda, H.Fujiyama, S.J.Kim, J.K.Lee]
通讯作者:
J.K.Lee
磁界中マイクロ波による低気圧マイクロプラズマ生成
在磁场中使用微波产生低压微等离子体
DOI:
--
发表时间:
2004
期刊:
電気学会プラズマ研究会資料 PST-04-67
影响因子:
--
作者:
[古江陽光, 井上弘之, 隈本 稔, 黒木大輔, 藤山 寛]
通讯作者:
藤山 寛
Low-pressure Micro Plasma Generation using Microwave in Mirror-type Magnetic Fields
在镜面磁场中使用微波产生低压微等离子体
DOI:
--
发表时间:
2006
期刊:
Proc.of the 6^<th> International Conference on Reactive Plasmas
影响因子:
--
作者:
[H.Fujiyama, D..Kurogi, Y.Furue, T.Nakatani]
通讯作者:
T.Nakatani
Influence of Electrode Size on Generation of Low-Pressure Coaxial ECR Micro Plasma
电极尺寸对低压同轴ECR微等离子体产生的影响
DOI:
--
发表时间:
2005
期刊:
Thin Solid Films 475
影响因子:
--
作者:
[M.Kumamoto, H.Inoue, M.Matsushita, H.Fujiyama]
通讯作者:
H.Fujiyama
固体壁微小空間における高電離度マイクロプラズマの生成
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批准号:18030013
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.75万
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财政年份:2006
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
歯科治療用プラズマプロセスの開発
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批准号:18654103
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2006
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
基板表面磁界による軟磁性窒化鉄薄膜の配向性制御
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批准号:08650019
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1996
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
磁化シランプラズマ中におけるラジカル生成と微粒子輸送
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批准号:07217216
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1995
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
シランプラズマにおける陰極シース内のラジカル生成とその挙動
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批准号:06228224
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1994
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
シランプラズマにおける陰極シース内のラジカル生成とその挙動
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批准号:05237226
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1993
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
磁界によるイオン・ラジカルの生成・輸送・成膜制御
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批准号:02214225
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1990
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
磁界による反応性プラズマの制御
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批准号:01632522
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1989
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
磁界による反応性プラズマの制御
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批准号:63632521
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.56万
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财政年份:1988
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
プラズマメーザの実験的研究
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批准号:61780012
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1986
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
大振幅ラングミュア波のソリトンコラプスに伴う電磁波放射機構の研究
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批准号:60780015
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1985
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
ローアハイブリッド共鳴加熱におけるパラメトリック不安定性の拡散に及ぼす影響
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批准号:X00210----378008
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.26万
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财政年份:1978
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负责人:藤山 寛
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依托单位: