基板表面磁界による軟磁性窒化鉄薄膜の配向性制御
基板表面磁界による軟磁性窒化鉄薄膜の配向性制御
批准号:
08650019
负责人:
藤山 寛
金额:
$1.34万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份:
1996
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1996 至 --
中文摘要
本研究では、主として成膜時に基板表面に平行に印加される磁界が、鉄および窒化鉄薄膜の結晶構造に及ぼす影響を調査することによって、基板表面磁界という全く新しいパラメーターにより窒化鉄薄膜の膜室を制御する方法を検討した。先ず外部磁界型マグネトロンスパッタ法において基板下部に設置された板の枚数によって、基板表面磁界を変化できることを示した。基板表面磁界中で鉄スパッタ薄膜を堆積し、基板表面磁界が、その結晶構造に及ぼす影響について実験的に調べた。その結果、X線回折測定から、基板表面磁界の増加により、鉄薄膜の配向が{110}から{100}へと変化することが確認された。この原因として、装置内の不純物ガスについて着目し、スパッタ法による膜堆積時に、基板表面磁界と不純物ガスが、薄膜の配向に及ぼす影響について調べた。その結果、基板表面磁界と酸素により、鉄薄膜の配向を{110}と{100}に制御できることを発見した。また、この場合、酸素の浸入による薄膜の酸化は起こらないことがX線光電子分光法により確認された。次に反応性スパッタ法による窒化鉄薄膜堆積時に、基板表面磁界を印加して、薄膜のN原子含有量と結晶構造の制御を試みた。初めに、雰囲気ガス圧の窒素分圧比を制御することにより、N-マルテンサイト・g'-Fe4Nが形成できることを確認した。次に、N-マルテンサイト・g'-Fe4Nが形成される窒素分圧比において、基板表面磁界を印加して薄膜を堆積し、その結晶構造を調査した。その結果、基板表面磁界の増加によって薄膜の窒化が抑制されていき、さらに基板表面磁界を増加させて成膜を行うと、窒素分圧比の制御だけでは、得られなかったa"-Fe16N2が、形成できた。また、これらの薄膜の磁気特性を振動試料型磁力計を用いて測定し、基板表面磁界によって、磁気特性を向上できることを示した。
英文摘要
本研究では、主として成膜時に基板表面に平行に印加される磁界が、鉄および窒化鉄薄膜の結晶構造に及ぼす影響を調査することによって、基板表面磁界という全く新しいパラメーターにより窒化鉄薄膜の膜室を制御する方法を検討した。先ず外部磁界型マグネトロンスパッタ法において基板下部に設置された板の枚数によって、基板表面磁界を変化できることを示した。基板表面磁界中で鉄スパッタ薄膜を堆積し、基板表面磁界が、その結晶構造に及ぼす影響について実験的に調べた。その結果、X線回折測定から、基板表面磁界の増加により、鉄薄膜の配向が{110}から{100}へと変化することが確認された。この原因として、装置内の不純物ガスについて着目し、スパッタ法による膜堆積時に、基板表面磁界と不純物ガスが、薄膜の配向に及ぼす影響について調べた。その結果、基板表面磁界と酸素により、鉄薄膜の配向を{110}と{100}に制御できることを発見した。また、この場合、酸素の浸入による薄膜の酸化は起こらないことがX線光電子分光法により確認された。次に反応性スパッタ法による窒化鉄薄膜堆積時に、基板表面磁界を印加して、薄膜のN原子含有量と結晶構造の制御を試みた。初めに、雰囲気ガス圧の窒素分圧比を制御することにより、N-マルテンサイト・g'-Fe4Nが形成できることを確認した。次に、N-マルテンサイト・g'-Fe4Nが形成される窒素分圧比において、基板表面磁界を印加して薄膜を堆積し、その結晶構造を調査した。その結果、基板表面磁界の増加によって薄膜の窒化が抑制されていき、さらに基板表面磁界を増加させて成膜を行うと、窒素分圧比の制御だけでは、得られなかったa"-Fe16N2が、形成できた。また、これらの薄膜の磁気特性を振動試料型磁力計を用いて測定し、基板表面磁界によって、磁気特性を向上できることを示した。
期刊论文(1)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
K.Kuwahara: "Critical Surface Magnetic Field for Control of Crystal Orientation of Iron-sputtered Thin Films" Proc.of 3rd International Conference on Reactive Plasmas. 138-139 (1997)
K.Kuwahara:“控制铁溅射薄膜晶体取向的临界表面磁场”第三届国际反应等离子体会议论文集。
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
固体壁微小空間における高電離度マイクロプラズマの生成
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批准号:18030013
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.75万
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财政年份:2006
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
歯科治療用プラズマプロセスの開発
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批准号:18654103
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项目类别:Grant-in-Aid for Exploratory Research
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资助金额:$2.11万
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财政年份:2006
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
磁界中マイクロ波による低気圧マイクロプラズマの生成と診断
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批准号:16040214
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$3.2万
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财政年份:2004
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
磁化シランプラズマ中におけるラジカル生成と微粒子輸送
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批准号:07217216
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1995
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
シランプラズマにおける陰極シース内のラジカル生成とその挙動
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批准号:06228224
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1994
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
シランプラズマにおける陰極シース内のラジカル生成とその挙動
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批准号:05237226
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.34万
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财政年份:1993
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
磁界によるイオン・ラジカルの生成・輸送・成膜制御
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批准号:02214225
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.79万
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财政年份:1990
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
磁界による反応性プラズマの制御
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批准号:01632522
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1989
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
磁界による反応性プラズマの制御
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批准号:63632521
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.56万
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财政年份:1988
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
プラズマメーザの実験的研究
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批准号:61780012
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.64万
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财政年份:1986
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
大振幅ラングミュア波のソリトンコラプスに伴う電磁波放射機構の研究
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批准号:60780015
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1985
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
ローアハイブリッド共鳴加熱におけるパラメトリック不安定性の拡散に及ぼす影響
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批准号:X00210----378008
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.26万
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财政年份:1978
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负责人:藤山 寛
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依托单位:
海外基金