金属超格子を作る新しい試みのその場電顕法による研究
金属超格子を作る新しい試みのその場電顕法による研究
批准号:
03240212
负责人:
八木 克道
金额:
$0.96万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份:
1991
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1991 至 --
中文摘要
今年度は、蒸着装置の作製と、完成するまでの予備実験として我々の電顕に備えてある既存の蒸着装置を用いて下地単結晶上に金属をエピタクシャル成長させ、その上で異種金属の成長過程の電顕内その場観察を行った。蒸着して得たステップ構造を持つ(III)方位のPd上にAgを蒸着するとPdのステップの下段側にAgの成長が観察された。逆にステップ構造を持つ(lll)方位のAgの上にPdを0.5層蒸着するとPdは三角形状の2次元核を生成する。同時にAgとPdの格子常数の違いによる歪みによるコントラストが現れる。更にAgを0.5層ほど蒸着してもコントラストの変化はほとんど認められなかった。また、Agを厚く蒸着すると、AgとPdの相互拡散が無視できる程度の低温でもPdによるコントラストは消失し、PdがAgに埋め込まれてしまう事が分かった。これらは、AgとPdの表面拡散距離の大きな違いの為と考えられる。以上の事からこの系による金属超格子の作製は難しいと考えられる。今後、系を変えて実験を行う事を検討している。もう一つの試みとしてMoS_2結晶上のAuを(lll)方位でエピタクシャル成長させて表面超格子構造を持つAuの板状結晶を作る。その上にPbを蒸着すると表面が全面Pbで覆われてAuの表面構造は消失する。その上に再びAuを蒸着した時にAuの表面構造が現れない事からPbは常に表面最上層に浮く事が分かった。PbがAu蒸着後も表面最上層に浮くという事実は、PbがAuの表面活性物質(surfactant)の候補として有力な物質であることを示唆している。従って、Auを含む金属超格子の作製の見通しは明るいと考えられる。今後は完成した蒸着装置を電顕に取り付け、SurfactantとしてPbを用いたAuを含む金属超格子の作製を目指す予定である。
英文摘要
今年度は、蒸着装置の作製と、完成するまでの予備実験として我々の電顕に備えてある既存の蒸着装置を用いて下地単結晶上に金属をエピタクシャル成長させ、その上で異種金属の成長過程の電顕内その場観察を行った。蒸着して得たステップ構造を持つ(III)方位のPd上にAgを蒸着するとPdのステップの下段側にAgの成長が観察された。逆にステップ構造を持つ(lll)方位のAgの上にPdを0.5層蒸着するとPdは三角形状の2次元核を生成する。同時にAgとPdの格子常数の違いによる歪みによるコントラストが現れる。更にAgを0.5層ほど蒸着してもコントラストの変化はほとんど認められなかった。また、Agを厚く蒸着すると、AgとPdの相互拡散が無視できる程度の低温でもPdによるコントラストは消失し、PdがAgに埋め込まれてしまう事が分かった。これらは、AgとPdの表面拡散距離の大きな違いの為と考えられる。以上の事からこの系による金属超格子の作製は難しいと考えられる。今後、系を変えて実験を行う事を検討している。もう一つの試みとしてMoS_2結晶上のAuを(lll)方位でエピタクシャル成長させて表面超格子構造を持つAuの板状結晶を作る。その上にPbを蒸着すると表面が全面Pbで覆われてAuの表面構造は消失する。その上に再びAuを蒸着した時にAuの表面構造が現れない事からPbは常に表面最上層に浮く事が分かった。PbがAu蒸着後も表面最上層に浮くという事実は、PbがAuの表面活性物質(surfactant)の候補として有力な物質であることを示唆している。従って、Auを含む金属超格子の作製の見通しは明るいと考えられる。今後は完成した蒸着装置を電顕に取り付け、SurfactantとしてPbを用いたAuを含む金属超格子の作製を目指す予定である。
期刊论文(1)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Hiroki Minoda 他: "Growth of Si on Au Deposited Si(lll)Surfaces Studied by UHVーREM" Appl.Surface Sci.(1992)
Hiroki Minoda 等人:“UHV-REM 研究的 Au 沉积 Si(III) 表面上 Si 的生长”Appl.Surface Sci.(1992)
DOI:
--
发表时间:
期刊:
影响因子:
--
作者:
[]
通讯作者:
表面、界面-異なる対称性の接点の物性
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批准号:08NP1201
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项目类别:Grant-in-Aid for Creative Basic Research
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1996
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负责人:八木 克道
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依托单位:
表面・界面-異なる対称性の接点の物性
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批准号:09NP1201
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项目类别:Grant-in-Aid for Creative Basic Research
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1996
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负责人:八木 克道
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依托单位:
表面・界面-異なる対称性の接点の物性
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批准号:07NP1501
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项目类别:Grant-in-Aid for Creative Basic Research
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资助金额:$0.0万
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财政年份:1995
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负责人:八木 克道
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依托单位:
表面における光化学反応過程のREM-PEEM観察
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批准号:06239221
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1994
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负责人:八木 克道
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依托单位:
金属超格子を作る新しい試みのその場電子顕微鏡法による研究
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批准号:04224208
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$0.58万
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财政年份:1992
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负责人:八木 克道
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依托单位:
表面顕微鏡法による表面観察と解析
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批准号:01609501
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$27.2万
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财政年份:1989
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负责人:八木 克道
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依托单位:
表面顕微鏡法による表面の観察と解析
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批准号:63609509
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$24.96万
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财政年份:1988
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负责人:八木 克道
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依托单位:
表面顕微鏡法による表面の観察と解析
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批准号:62609511
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$1.41万
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财政年份:1987
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负责人:八木 克道
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依托单位:
反射電子顕微鏡法によるイオンスパッター過程のその場観察
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批准号:61212008
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.02万
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财政年份:1986
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负责人:八木 克道
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依托单位:
反射電子顕微鏡法によるイオンスパッター過程のその場観察
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批准号:60220007
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.92万
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财政年份:1985
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负责人:八木 克道
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依托单位:
STM を組み込んだ超高電圧反射電顕の開発とその表面構造解析への応用
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批准号:59850004
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$6.4万
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财政年份:1984
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负责人:八木 克道
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依托单位:
超高真空表面電子顕微鏡法の定量化による表面構造解析
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批准号:58460023
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额:$1.98万
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财政年份:1983
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负责人:八木 克道
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依托单位:
反射電子顕微鏡法におけるELS法の開発とその表面吸着過程, 吸着構造相転移への応用
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批准号:57212008
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1982
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负责人:八木 克道
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依托单位:
超高電圧・超高真空高分解能電子顕微鏡用蒸着源の試作とその金属表面薄膜研究への応用
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批准号:56850161
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$3.97万
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财政年份:1981
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负责人:八木 克道
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依托单位:
反射電子顕微鏡法におけるELS法の開発とその表面吸着過程, 吸着構造相転移への応用
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批准号:56219009
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项目类别:Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额:$6.21万
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财政年份:1981
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负责人:八木 克道
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依托单位:
固体表面反射電顕像観察用高温試料ゴニオメーターの試作
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批准号:X00120----485038
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项目类别:Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research
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资助金额:$3.9万
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财政年份:1979
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负责人:八木 克道
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依托单位:
200KV・超高真空高分解能電顕による薄膜成長・表面現象の研究
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批准号:X00070----342018
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
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资助金额:$17.15万
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财政年份:1978
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负责人:八木 克道
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依托单位:
海外基金