反射電子顕微鏡法によるイオンスパッター過程のその場観察

使用反射电子显微镜原位观察离子溅射过程

• 批准号: 60220007
• 负责人: 八木 克道
• 金额: $ 1.92万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Special Project Research
• 财政年份: 1985
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1985 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-60220007/
• 关键词: 反射電顕法; FAB; イオンスパッター; 表面ステップ

本研究は表面1原子層レベルの観察を行うことが出来る反射電顕法をイオンスパッター過程のその場観察に応用することによってスパッター過程の表面現象とアニール過程の表面変化を明らかにすることを目的として立案された。本年度はFABガンを購入し電顕に取付けられるようガンチェンバーを試作した。FABガンを選んだ理由は (1)対物レンズの磁場で曲げられない、(2)スパッター中イオン電流などによる試料まわりの電界・磁界の乱れ、従って像質の劣化が起らない、等にある。頭初、超高真空電顕試料室の真空の劣化を除去するため、ターボ分子ポンプによるガンチェンバーの差動排気を考えたが、予算の関係で断念した。結果として 【10^(-6)】torr台の高い圧力まで試料室の真空が上昇した。本年度はPt(111)表面のスパッター過程を観察した。表面を清浄化した後スパッターすると (1)20秒ほどで表面の単原子層高さのステップのコントラストが消失し、10原子層高さのステップがわずかにそのコントラストを残している。反射回折像はストリークを示し、菊池線など消失する。これらは、スパッターによって表面の乱れが大きくなったためと解宙される。アニール過程をまとめると、250℃でステップがあらわれる。400℃でステップの下段階が平担になり元の結晶性を回復する。650℃で広いテラスでも回復がすすみ800℃で完全に平担な表面にもどるが、ステップの位置はスパッター量だけ移動した。

This paper studies the surface phenomenon of atomic layer and its application in the field of reflection. This year's FAB purchase is on trial. FAB is selected for the following reasons: (1) the magnetic field of the object is distorted;(2) the current of the object is distorted; the quality of the image is deteriorated; etc. The vacuum degradation of the first and ultra-high vacuum sample chambers is eliminated. The results showed that the vacuum in the sample chamber increased due to the high pressure of the torr table. This year, the Pt(111) surface has been observed. After the surface is cleaned, the atomic layer height of the surface will disappear in 20 seconds, and the atomic layer height of the surface will disappear in 10 seconds. Reflective reflection image is displayed on the screen, and the Kikuchi line disappears. This is the first time I've ever seen a woman who's had sex with someone else. The temperature of the process is 250℃. 400℃, the lower stage of the temperature is stable, and the crystallinity of the element is restored. 650 ° C, 800 ° C, completely flat surface, position, movement

项目成果

Thin Solid Films. 126-1. (1985)

固体薄膜。

Jpn.J.Appl.Phys.24-Suppl. (1985)

Jpn.J.Appl.Phys.24-增刊。

Ultramicroscopy. 18-2. (1985)

超显微镜检查。

Ferroelectries. 64-1. (1985)

铁电。