反射電子顕微鏡法によるイオンスパッター過程のその場観察

使用反射电子显微镜原位观察离子溅射过程

• 批准号: 61212008
• 负责人: 八木 克道
• 金额: $ 1.02万
• 依托单位: Tokyo Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Special Project Research
• 财政年份: 1986
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1986 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-61212008/
• 关键词: 反射電子顕微鏡; イオンスパッター; 白金(111); シリコン(111); 表面拡散; 表面アニール

以前われわれは、反射電子顕微法を起高真空条件下で行うと、表面の原子層レベルの構造とその変化が捉えられることを示した。一方イオンスパッター過程は表面処理技術の中で重要であるにも拘らず、そのミクロな過程については十分解っていない。本研究の目的は反射電顕法でスパッター過程をその場観察することにある。60年度は中性高速原子を発生させるFABガンをわれわれの超高真空電顕に取りつけた。そして60年度61年度とPt(111),Si(111)表面のスパッター過程とアニール過程をその場観察した。Pt(111)面の場合:(1)表面でのスパッター収率が0.3モノレーヤー程度の少量のスパッターにおいても表面は欠陥が導入され、ステップ等は見えなくなる。アニールすると800℃位で完全な表面に戻る。(2)スパッター量が多いいと表面上の高いステップも見えなくなり表面は不完全になる。アニールによる回復もおそくなり1100℃位にならないと完全な表面にはならない。(3)pt(111)表面を清浄化する際には通常1500℃位に加熱しなければならないが、本研究で用いたFABガンを使用して清浄化を行うと1200℃位のアニールで十分清浄になる。Si(111)面の場合:(1)室温でのスパッターによって表面はアモルファスになる。アニールによって、結晶表面にもどるが、900℃でも多くの欠陥が見られる。1000℃近くでアニールしないと清浄にはならない。(2)高温でスパッターすると、照射とアニールが同時に進行する。従って850℃位でスパッターするとステップの移動がはじめ観察されることになる。観察結果の定量化は今後の課題である。

Before わ れ わ れ は, reflective electronic 顕 micro を line up under the condition of high vacuum で う の と, surface atomic layer レ ベ ル の tectonic と そ の variations change が catch え ら れ る こ と を shown し た. One party イ オ ン ス パ ッ タ ー process は surface 処 manage technology の で important で あ る に も detained ら ず, そ の ミ ク ロ な process に つ い て は ten decomposition っ て い な い. The purpose of this study is to conduct 観 field 観 observation of the でスパッタ でスパッタ process of the 顕 electroreflective 顕 method する とにある とにある. In the 60th year, <s:1> neutral high-speed atoms を were produced させるFABガ をわれわれ をわれわれ <s:1> ultra-high vacuum electricity 顕に was taken as けた けた けた. そ し て 60 year 61 annual と Pt (111), Si (111) surface の ス パ ッ タ ー process と ア ニ ー ル process を そ の field 観 examine し た. Pt (111) surface の situations: (1) the surface で の ス パ ッ タ ー 収 rate が 0.3 モ ノ レ ー ヤ ー degree の small の ス パ ッ タ ー に お い て も surface は owe 陥 が import さ れ, ス テ ッ プ etc は see え な く な る. Youdaoplaceholder0 すると すると すると800℃ で complete な surface に戻る. (2) The amount of スパッタ スパッタ is が large, the surface of the と is <s:1> high, the surface of the ステップ is ステップ, the surface of the えなくな is incomplete, and the になる is になる. Youdaoplaceholder0 アニ による による による reply おそくな おそくな による 1100℃ position にならな と と complete な surface にならな ならな ならな と. (3) the pt (111) surface を qing incorporated す る interstate に は usually 1500 ℃ heating に し な け れ ば な ら な い が, this study で い た FAB ガ ン を use し て qing at the line を う と 1200 ℃ の ア ニ ー ル で ten distinguish incorporated に な る. Si(111) surface <s:1> occasions :(1) room temperature で スパッタ によって によって によって surface アモ アモ ファスになる ファスになる ファスになる. Youdaoplaceholder0 アニ るが によって によって によって, the surface of the crystal に に <s:1> るが るが, 900℃で <s:1> more く <s:1> less 陥が see られる. At 1000℃, the temperature is close to くでアニ くでアニ な な な と と clean に に ならな ならな ならな. (2) High temperature でスパッタ でスパッタ すると すると and irradiation とアニ とアニ が が が are carried out simultaneously with に する. Youdaoplaceholder0 850℃ position でスパッタ でスパッタ するとステップ するとステップ するとステップ <s:1> move が じめ観 じめ観 observe される される とになる とになる. Youdaoplaceholder0 the results of the examination are quantified 観 the future research topics are である.

项目成果

小川周一郎 他: J.Vac.Sci.Tech.(1987)

小川修一郎等人：J.Vac.Sci.Tech.(1987)

小川周一郎 他: Proc.【XI】 th Int.Cong.on Electron Microscopy.2. 1349-1350 (1986)

小川修一郎等：Proc.【XI】th Int.Cong.on Electron Microscopy.2.

八木克道: Proc.【XI】 th Int.Cong.on Electron Microscopy. 1. 79-82 (1986)

Katsumichi Yagi：Proc.【XI】th Int.Cong.on Electron Microscopy. 1. 79-82 (1986)