表面における光化学反応過程のREM-PEEM観察
REM-PEEM观察表面光化学反应过程
基本信息
- 批准号:06239221
- 负责人:
- 金额:$ 1.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
- 财政年份:1994
- 资助国家:日本
- 起止时间:1994 至 无数据
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
本研究計画は、われわれの開発した超高真空反射電子顕微鏡法(REM)および超高真空光電子顕微鏡法(PEEM)を表面光反応過程の研究に応用することにある。この手法は、反応過程を直接観察するものではないが、反応過程の結果生じる表面の構造変化をREM観察し、反応による電子状態の変化をPEEM観察することが出来る。本年度は、Si(111)表面に塩素を吸着させたときの反応過程の観察を試みた。まず、超高真空電顕内に塩素ガスを導入するための電解セルを設計製作した。溶融AgClを加熱しながら通電させて電解によってガスを発生させるものである。本年度購入備品であるQマスで分析した結果、発生するガスで自然界の同位体存在比が確認された。まず、熱化学反応過程をREM観察した。その結果、650℃で表面を低い分圧の塩素に暴露すると、反応エッチングが起こり、表面に1原子層深さのくぼみが形成され、これがステップでの優先的な脱離として説明できることが分かった。また、室温で塩素を暴露して昇温すると、ステップの下段側と7x7構造の位相境界で優先的に1x1構造に変化すること、電子線照射効果が強いこと等が分かった。塩素を吸着させると仕事関数が増加し、PEEM観察は不可能となった。光照射を続けると、塩素の脱離に連れて、光反応による塩素ガスの脱離に伴って光電子量の増加が認められた。表面修飾等によって環境場を制御しながら観察するのが今後の課題である。
This research project uses ultra-high vacuum reflective electron micromirror (REM) and ultra-high vacuum photoelectron micromirror (PEEM) methods to study the surface light reflection process.このtechnique, reflection process, direct observation, reflection process, result production, surface structure The change of the electron state is caused by REM, and the electronic state of the reaction is changed by PEEM. This year, the surface of Si(111) has been tested for adsorption and reaction process.まず、Ultra-high vacuum electrolytic furnace is designed and manufactured by imported するためのelectrolysis セルを. Melted AgCl is heated and energized, and electrolysis is performed. The analysis results of the spare parts purchased this year and the isotopic existence ratio in nature were confirmed.まず, thermochemical reaction process をREM Observation した.その results, 650℃ surface を low い divided pressure の 塩 element に す る と, reaction 応 エ ッ チ ン グ が こ り, surface に 1 original Sub-layer deep さのくぼみが formation され, これがステップでの priority な breakaway として explanation できることが分かった.また, room temperature で塩素を exposed してheating すると, ステップの Lower section side 7x7 structure の phase environment The priority is given to the 1x1 structure and the strong electron beam irradiation effect, etc.婩素を吃させると事事related numberがincreasedし, PEEMObservationはimpossibleとなった. Light irradiation, を続けると, 桩素の出に连れて, light reflection 応による塩素ガスのdeviation, accompanying, って, photoelectron quantity, のincrease, and recognition, められた. Surface modification, etc., is a future issue of environmental field control and inspection.
项目成果
期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
H.Minoda,K.Yagi: "Growth of Ge on In-sdsorbed Si(111) Surfaces Studied by REM" Surface Review and Letters. 2(in press). (1995)
H.Minoda、K.Yagi:“REM 研究的 Ge 在吸收 Si(111) 表面上的生长”表面评论和快报。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
八木克道、小間、塚田、青野: "表面科学入門" 丸善, 249 (1994)
Katsumichi Yagi、Koma、Tsukada、Aono:“表面科学导论” Maruzen,249 (1994)
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Ohkawa, K.Yagi: "Observations of Steps and Step Bands on Si (111) by PEEM" Proc.ICEM. 13 2b. 1035-1036 (1994)
T.Ohkawa、K.Yagi:“PEEM 对 Si (111) 上的阶梯和阶梯带的观察”Proc.ICEM。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
T.Suzuki,K.Yagi: "Structure of High Index Clean Si Surfaces Studied by REM: (hhm)Surface with m/h=1.4-1.5" phys.stat.sol.a(146). 246-249 (1994)
T.Suzuki、K.Yagi:“REM 研究的高折射率洁净硅表面的结构:(hhm) 表面,m/h=1.4-1.5” phys.stat.sol.a(146)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
H.Minoda, K.Yagi: "REM Studies of Ge Growth on Au Adsorbed Si (001) Surfaces" Surface Science. (in press). (1995)
H.Minoda、K.Yagi:“金吸附硅 (001) 表面上 Ge 生长的 REM 研究”表面科学。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
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